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《鈦酸鍶鋇非線性鐵電薄膜的尺寸效應(yīng)研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、電子科技大學(xué)碩士論文摘要本論文系統(tǒng)研究了Ba06Sr04Ti03(BST)薄膜的介電性質(zhì)與薄膜微觀結(jié)構(gòu)、尺寸之間的依賴關(guān)系。首先本論文采用了射頻磁控濺射技術(shù)(RFMagnetronSputtering)在優(yōu)化工條件下制備得到了光滑均一質(zhì)量?jī)?yōu)良的BBT薄膜，研究了兩種后處理(快速退火和管式爐退火)工藝對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)的影響，討論了退火溫度對(duì)BST薄膜的晶化、結(jié)晶取向、表面粗粗度、晶粒大小等的影響以及退火氣氛、保溫時(shí)間等其他因素對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)的影響關(guān)系，并找到了控制薄膜尺寸的有效方法。進(jìn)一步對(duì)薄膜的介電性能進(jìn)行了研究，測(cè)
2、得低頻下薄膜介電常數(shù)為746，損耗1．7％。并測(cè)試了薄膜介電常數(shù)和損耗隨頻率與外加偏壓的變化曲線。并對(duì)曲線做出了合理解釋。在以上后處理研究基礎(chǔ)上，繼續(xù)研究了薄膜介電性能與薄膜尺寸之間的依賴情況。討論了薄膜同一厚度下晶粒大小、薄膜厚度對(duì)介電性能的影響關(guān)系。結(jié)果表明：同一厚度下薄膜介電常數(shù)及其變化率隨著晶粒的增大而不斷增大；隨著厚度的增加薄膜介電常數(shù)先增大后減小，變化率也各不相同，最薄時(shí)變化率最大，介電常數(shù)最大時(shí)變化率最小。關(guān)鍵詞：BST薄膜，電壓非線性，RFMagnetronSputtering，AFM，XRD電
3、子科技大學(xué)碩士論文AbstractInthisthesis，therelationshipsofthedielectricpropertieswiththemicrostructures，thicknessesandgrainsizeswerestudied．First．theBSTmiflfilmswerepreparedattheoptimizedparametersbyRFmagnetronsputteringandannealedbytwoposttreatments：RTAandtube—furnac
4、e．Howthefactors，temperature，atmospherecta1．，ofthesepostannealedmethodsinfluencedthemicrostructures(crystallization，orientation，roughnessdegreeofsurface，andthegrainsizes)ofBSTthinfilmswasinvestigated．AndtheeffectivemethodofcontrollinggrainsizesofBSTthinfilmsw
5、asgotatlast．Second，thedielectricpropertiesofBSTthinfilmswasmeasured：thedielectricconstantWaS746．thelosstangentdatawas1．7％．Thecuresofer—f’D—f-￡r—VweregotandthereaSonsofwhythesecureswerechangedasthatmannerweregivenandproved．Atlast，basedontheupwardstudies，thedi
6、fferencesoftheelectricpropertiesofBSTthinfilmswhichhaddifferentthicknessesandgrainsizeswereexperimented．Theresultsareasfollows：①theBSTthinfillsofthesamethickness，thelargerthegrainsizes，thehigherthedielectricconstantand△￡were；②withtheincreasingofthicknessesof
7、BSTthinfilms，thedielectricconstantwasincreasedatfirstandappearedamaximumat650nto，thendecreased；③the△ewasalsounequalatdifferentthicknesses．ThemaxJmulnappearedatthethinnestfilms(260hm)，theminimumatthefilmswhichhadthehighestdielectricconstant．Keywords：BSTt11協(xié)fi
8、lms．nonlineardielectricpropertyRFMagnetronSputtering，AFM，XRD2獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過(guò)的研究成果，也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本
