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《1.06μm半導(dǎo)體激光器材料結(jié)構(gòu)設(shè)計與外延生長》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、分類號:UDC:密級:可公開編號:1.061噸m半導(dǎo)體激光器材料結(jié)構(gòu)設(shè)計與外延生長1.061uLmEmittingWavelengthSemiconductorLaserMaterialSturcturedesignandEpitaxialGrowth學(xué)位授予單位及代碼:長春理工大學(xué)(10186)學(xué)科專業(yè)名稱及代碼:絲電王堂量固簽電王堂!QZZ墨Q圣2研究方向:圭昱簽邀當(dāng)塑堡皇堇查申請學(xué)位級別:亟±指導(dǎo)教師:奎鹽研究生:蘊逛皇論文起止時間:2012.9—2013.12長春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明JIIIIllllllllllll111JllllllllWIlllllUlIY2
2、529651本人鄭重聲明:所呈交的碩士學(xué)位論文,《1.061.tm半導(dǎo)體激光器材料結(jié)構(gòu)設(shè)計與外延生長》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下,獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外,本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體,均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名:牛年上月爭日長春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定”,同意長春理工大學(xué)保留并向中國科學(xué)信息研究所、中國優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫和CNKI系列數(shù)據(jù)庫及其它
3、國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版,允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索,也可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。作者簽名:導(dǎo)師簽名:午且、、L』埠掣苷幺益蘊摘要本文通過理論分析和軟件模擬,設(shè)計了InGaAs/GaAs材料的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)。利用LP—MOCVD(低壓金屬有機化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng)進行實驗生長,通過對比試驗和常溫PL(光熒光)測試,詳細(xì)討論了量子阱中In的組分、生長速率、生長溫度、V/IIILE值和襯底偏向角度等條件對樣品發(fā)光特性的影響。經(jīng)測試,樣品在常溫下PL發(fā)光FWHM(半峰寬)可以
4、達到15.2nm。在原有結(jié)果基礎(chǔ)上設(shè)計了GalnP應(yīng)變緩沖層和GaAsP應(yīng)變補償勢壘層,來進一步改善樣品的發(fā)光特性。通過實驗和PL測試,確定GalnP的生長條件,該條件下GalnP室溫下PL發(fā)光FWHM可以達到12.8nm。詳細(xì)討論了勢壘生長溫度、襯底偏向角和V/IIILk值對GaAsP生長質(zhì)量的影響,探究了GaAsP的最佳生長條件,在該條件下,GaAsP的常溫PL測試FWHM可以達到25.4nm。關(guān)鍵詞:黼lnGaAs/GaAsPLGaInPGa^sP應(yīng)變緩沖應(yīng)變補償ABSTRACTAepitaxialstructureofInGaAs/GaAsiSdesignedviatheo
5、reticalandsimulatio.ThesamplesaregrownbyLP—MOCVD(LowPressure_Metal-OrganicChemiealVaporDeposition)andmeasuredbyPL(photoluminescence)atroomtemperature.TheeffectofXln,growthrate,growthtemperature,V/IIIratioandoffcutangleofsubstrateareexplored.TheFWHM(Full、研dthatHalf-MaximunliS15.2nmatroomtempera
6、ture.TheGalnPSBL(strainbufferlayer)andGaAsPSCL(straincompensatedlayerlaredesignedtoincreasetheopticalcharacter.AgrowthconditionisconfirmedunderwhichtheFWHMofGalnPCanbeaslowasl2.8nm.Theeffectofthegorwthtemperatureofbarrierlayer,offcutangleandV/IIIratioarediscuessedindetial.ThegrowthconditionofG
7、aAsPisfoundunderwhichtheFWHMofGalnPCanbeaslowas25.4nm.Keywords:MOCVDInGaAs/GaAsPLGalnPGaAsPSBLSCL摘要???????????????????????????????????IABSTRACT????????????????????????????????????????????????II第一章緒論??????????????????????????????????l1.1