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《中波紅外激光器外延材料的生長(zhǎng)研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士(或博士)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的碩士(或博士)學(xué)位論文，《光纖耦合模塊的熱特性分析與封裝技術(shù)研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：雄絲年1月翌日長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定"，同意長(zhǎng)春理工大學(xué)保留并向中國(guó)科學(xué)信息研究所、中國(guó)優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)
2、據(jù)庫和CNKI系列數(shù)據(jù)庫及其它國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長(zhǎng)春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，也可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。作者簽名：數(shù)2墮年三月坦日導(dǎo)師簽名：蟬蘭墜三月生日摘要2-5}lm中紅外譜線波段是非常重要的大氣窗口。它可以應(yīng)用在氣體檢測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、化學(xué)和生物探測(cè)、醫(yī)學(xué)分析等方面。在軍事領(lǐng)域，該波段的激光器還可應(yīng)用在激光雷達(dá)和光電對(duì)抗等方面。本論文圍繞銻化物激光器開展了對(duì)銻化物材料的理論計(jì)算和銻化物量子阱結(jié)構(gòu)的模擬與設(shè)計(jì)、分子束外延生長(zhǎng)以及激光器器件開展了一些列研究。主要
3、內(nèi)容如下：(1)．簡(jiǎn)單介紹了中紅外波段激光器在民用和軍用方面的應(yīng)用及其前景，并且闡述了半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展和國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀，重點(diǎn)介紹了銻化物半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展和國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀。(2)．對(duì)材料的基本參數(shù)進(jìn)行理論計(jì)算，為量子阱的設(shè)計(jì)做理論基礎(chǔ)。(3)．對(duì)2．0阻n和2．3“m的量子阱進(jìn)行理論計(jì)算、通過計(jì)算的結(jié)果來優(yōu)化量子阱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)參數(shù)，包括應(yīng)變、阱寬；并且討論長(zhǎng)波長(zhǎng)量子阱的設(shè)計(jì)和波導(dǎo)理論。(4)．介紹外延生長(zhǎng)設(shè)備和步驟，研究量子阱的生長(zhǎng)條件，通過測(cè)試設(shè)備優(yōu)化了生長(zhǎng)溫度。(5)．設(shè)計(jì)了2．0um銻化物激光器的結(jié)構(gòu)，得到I．V特性曲線、激射譜線，使理論設(shè)計(jì)的結(jié)果通過實(shí)驗(yàn)得到證實(shí)。關(guān)鍵詞：
4、銻化物外延生長(zhǎng)量子阱ABSTRACTm2to5pmmid-infraredspectralregionhavehighvaluesandrequirements，itCallbeusefulinmanykindsofapplicationswhichincludinginfi'aredillpmination，medicaldiagnosticsandtreatment，chemicalandeventhoughintheareaofbiologicalspectralanalyze．2—5lxrninfraredsemiconductorlaserdiodesusedonlidar
5、andoptoelectroniccountermeasure．Inthisthesis,worksarefocusedonthecalculationofmaterialparameters，MBEgrowthof2．Olmaand2．3岬antimonidequanqxmwells．11lemainresearchandachievementsarelistedasthefollowing：(1)．Introduce2-5prosemiconductorlaserapplicationsforgasmonitor，lidarandoptoelectroniccountermeas
6、ure．Informationsintroducedtofocusonantimonidesemiconductorlaser．(2)．CalculationbasicparametersofmaterialanddesignparametersofQWs．(3)．Simulatecalculationof2．Opmand2．31maQWsandoptimizeparametersofQWs，theparametersarestrainandwellswidth，discusslongwaveQWsandtheoryofWaveguide．(4)．IntroduceMBEandtes
7、tequipmentofmaterials，optimizesubstratetemperatureandresearchgrowthconditionofQWs．(5)．Design2．01amantimonideofQWslaser,testtheemittingspectralandI-Vcurve，thetheorysimulationofQWsareconfirmed．Keywords：釧H6H蛐池mokmarbmmQWs(quantumwell
