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《銻化物的外延生長及其物性研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、分類號：——UDC：密級：編號：銻化物的外延生長及其物性研究一1一●·‘●1●‘Eptaxla上growthofantimonycompoundsand1tSphyslcalpropertiesresearch學(xué)位授予單位及代碼：籃查理王太堂(!Q!墨魚2研究方向：圭昱笠邀堂晝堇盔墨塑堡申請學(xué)位級別：亟±論文起止時(shí)間：迎2．11—--—2013．12長春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的碩士學(xué)位論文，《銻化物的外延生長及其物性研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)
2、人或集體己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均己文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：斗年j月丑日長春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定”同意長春理工大學(xué)保留并向中國科學(xué)信息研究所、中國優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫和CNXI系列數(shù)據(jù)庫及其它國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，也可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存
3、和匯編學(xué)位論文。作者簽名：趣導(dǎo)導(dǎo)師簽名：業(yè)年j月■日業(yè)年玉月斗日摘要本文主要研究內(nèi)容是GaSb的同質(zhì)／異質(zhì)外延生長和材料的表征和物性分析，利用同質(zhì)外延指導(dǎo)異質(zhì)外延的生長。具體如下：采用分子束外延在GaAs／GaSb襯底上同質(zhì)／異質(zhì)外延上生長GaSb薄膜，在外延生長過程中，我們利用RHEED對生長過程進(jìn)行監(jiān)測，記錄下各種衍射震蕩圖，確定了生長速率、III／V束流比，并且對生長的各個(gè)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化；然后采用X射線雙晶衍射、原子力顯微鏡、掃描電鏡、PLmapping等設(shè)備對外延片的質(zhì)量進(jìn)行光學(xué)、電學(xué)、形貌方面的測試。結(jié)果表明GaSb異質(zhì)外延外延片的結(jié)晶質(zhì)量和表
4、面形貌效果良好，并且電學(xué)質(zhì)量也達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo)。得到的結(jié)論是：采用GaSb作為緩沖層的最佳生長速率是414nm／h，AFM表面形貌得到表面粗糙在0．6個(gè)nnl左右，從PL光致發(fā)光可得到光峰強(qiáng)度在O．726eV，所需的能量比較小，GaSb薄膜從發(fā)光光譜這個(gè)角度來講，是非常理想的。最后用HALL測試對材料的摻雜和襯底溫度進(jìn)行了優(yōu)化。關(guān)鍵詞：分子束外延異質(zhì)外延銻化物高能電子衍射儀霍爾測試ABSTRACT1hemaincontentsofthisarticlearehomogeneousGaSb
5、hetero—epitaxialgrowthandcharacte
6、rizationandanalysisofphysicalpropertiesofmaterials，theuseofhomoepitaxialguidanceheteroepitaxialgrowth．Asfollows：usingmolecularbeamepitaxyonGaAslGaSbsubstratesgrownonGaSbfilmhomogeneity
7、heterogeneityepitaxy,theepitaxialgrowthprocess，weuseRHEEDmonitoringofthegrowthprocess，recordthe
8、variousshocksdiffractiondiagram，determinethegrowthrate，III／Vbeamratio，andthegrowthofthevariousparameterswereoptimized；thendouble．crystalX．raydiffraction．a(chǎn)tomicforcemicroscopy,scanningelectronmicroscopy,PLmappingandotherequipmentonthequalityoftheepitaxialwaferoptical，electrical，mo
9、rphologyaspectstesting．TheresultsshowthattheeffectofthecrystallinequalityandsurfacemorphologyofGaSbhetero．epitaxialwaferisgood，andelectricalqualitytoachievethedesiredgoal．Theconclusionis：theuseofGaSbasthebestgrowthrateofthebufferlayeris414nm／h．AFMsurfacetopographyofthesurfaceroug
10、hnessobtainedinabout0．6nlnfromthePLpeakp
