2、濃度表達(dá)式。（二個(gè)績點(diǎn)）153N=10/cm4、設(shè)在均勻摻雜的半無窮大N型Si半導(dǎo)體中，施主摻雜濃度為d。1如果在Si表面禁帶中的Et（E-E=E）能級(jí)處存在態(tài)密度為tVG3162N=10/cm的界面態(tài)。1）求出平衡情形的Si表面的自建勢(shì)大?。?）如it果有功函數(shù)為f=4.8eV的金屬M(fèi)1與該半導(dǎo)體接觸形成肖特基勢(shì)壘結(jié)構(gòu)，M求出該肖特基勢(shì)壘的參數(shù)f和f的值。（二個(gè)績點(diǎn)）Bi5、設(shè)在厚度為W的N型半導(dǎo)體的表面（x=0）在有光照情形下，有過剩載流子產(chǎn)生，其產(chǎn)生率為G0，在該表面的復(fù)合率為R0；在半導(dǎo)體內(nèi)存在密度呈高斯分布的復(fù)合中心（高斯分布的峰值出現(xiàn)在另一表面（x=W）），過剩載流子的復(fù)合
3、率與復(fù)合中心密度成正比。假設(shè)過剩載流子的運(yùn)動(dòng)滿足擴(kuò)散方程，擴(kuò)散率為D0，忽略半導(dǎo)體中的電場(chǎng)，在交變光照條件下，求解半導(dǎo)體表面的過剩少子的濃度變化。（三個(gè)績點(diǎn)）6、MOS結(jié)構(gòu)的Si與氧化層界面存在連續(xù)分布的界面態(tài)，假設(shè)在禁帶中本征費(fèi)米Ei能級(jí)以上的界面態(tài)為類施主型，以下的是類受主型，討論分析界面態(tài)對(duì)CV特性曲線的影響（以理想情形為標(biāo)準(zhǔn)畫圖說明）；如果在在禁帶中本征費(fèi)米Ei能級(jí)以上的界面態(tài)為受主類型，以下的是類施主型，界面態(tài)對(duì)CV特性曲線的影響又如何（以理想情形為標(biāo)準(zhǔn)畫圖說明）？（一個(gè)績點(diǎn)）PDF文件使用"pdfFactoryPro"試用版本創(chuàng)建www.fineprint.cn------
4、---------------------------------第一題:名詞解釋1.直接禁帶半導(dǎo)體和間接禁帶半導(dǎo)體2.準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)3.pn結(jié)的自建勢(shì)4.非平衡載流子的復(fù)合5.歐姆接觸第二題:問答題1.雪崩擊穿和齊那擊穿的機(jī)制,攙雜濃度和禁帶寬度對(duì)它們的影響2.半導(dǎo)體電流輸運(yùn)的方式和電導(dǎo)率的公式3.SRH相關(guān)一題,光照后載流子產(chǎn)生復(fù)合的變化,準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的變化第三題:MS接觸的題目畫出ms接觸平衡時(shí)的圖畫出有釘扎效應(yīng)的圖計(jì)算耗盡層電容畫出C-V特性曲線第四題:nmos畫出C-V曲線,標(biāo)出VBF畫出平衡和平帶的圖計(jì)算電場(chǎng)分布.---------------------------------
5、--------05.6一、（每小題6分，共30分）名詞解釋：1、半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)和E-K關(guān)系2、本征費(fèi)米能級(jí)3、施主雜質(zhì)4、過剩載流子壽命5、肖特基勢(shì)壘二、（每題10分，共30分）1.簡述半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)機(jī)制及其電流表達(dá)式。2.什么是直接禁帶半導(dǎo)體和間接禁帶半導(dǎo)體？簡述二者在直接復(fù)合和間接復(fù)合過程中有什么不同。3.設(shè)一均勻穩(wěn)定的光照射在摻雜濃度為的n型半導(dǎo)體表面，其載流子濃度分布如圖所示，其中和分別為電子和空穴的平衡濃度值。1）畫出整個(gè)半導(dǎo)體內(nèi)載流子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分布曲線；2）假定空穴分布滿足，求解該半導(dǎo)體中內(nèi)電流表達(dá)式。三、（20分）已知在N＋-P結(jié)構(gòu)中，重?fù)诫s的N＋-Si的費(fèi)米能
6、級(jí)，P-Si摻雜濃度。1）分別畫出平衡、正偏、反偏情形下N＋-P結(jié)的能帶圖；2）在突變結(jié)耗盡近似下，求解N＋-P結(jié)的電場(chǎng)和電勢(shì)分布；3）給出該N＋-P結(jié)的耗盡電容表達(dá)式；PDF文件使用"pdfFactoryPro"試用版本創(chuàng)建www.fineprint.cn4）畫出相應(yīng)的C-V曲線。四、（20分）設(shè)nMOS（p-Si襯底）結(jié)構(gòu)的氧化層電容為，金屬柵和半導(dǎo)體功函數(shù)分別為和，其中>。1）畫出其低頻C-V特性曲線，正確標(biāo)出平帶電壓位置；2）設(shè)近平帶條件下，表面感應(yīng)電荷密度與表面勢(shì)滿足,其中Na為襯底摻雜濃度。求出平帶時(shí)MOS電容（稱為平帶電容）的表達(dá)式；3）實(shí)驗(yàn)顯示，樣品A和B的平帶電壓、和
7、強(qiáng)積累層電容相同，但A的平帶電容大于B的平帶電容，解釋其可能的原因；4）假設(shè)在氧化層（SiO2）/半導(dǎo)體（Si）界面存在界面態(tài)電荷，并滿足關(guān)系，分析其對(duì)MOS結(jié)構(gòu)C-V曲線的影響。---------------------------------------------------前四章內(nèi)容，因?yàn)闋砍兜焦腆w物理、量子力學(xué)和統(tǒng)計(jì)物理中的知識(shí)，所以比較難。但大家主要把握住基本物理圖景，理解相關(guān)概念的含義和意義，知道重要公式的推導(dǎo)原理。換句話說，定性
