微晶硅鍺太陽(yáng)電池的光電模擬和實(shí)驗(yàn)研究

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1、萬(wàn)方數(shù)據(jù)中圖分類(lèi)號(hào)：UDC：學(xué)校代碼：10055密級(jí)：公開(kāi)蓋蕊犬淫博士學(xué)位論文微晶硅鍺太陽(yáng)電池的光電模擬和實(shí)驗(yàn)研究TheoreticalSimulationandExperimentalStudyofHydrogenatedMicrocrystallineSiliconGermaniumSolarCell指導(dǎo)教師韭建堊塑援南開(kāi)大學(xué)研究生院二。一四年五月萬(wàn)方數(shù)據(jù)南開(kāi)大學(xué)學(xué)位論文使用授權(quán)書(shū)根據(jù)《南開(kāi)大學(xué)關(guān)于研究生學(xué)位論文收藏和利用管理辦法》，我校的博士、碩士學(xué)位獲得者均須向南開(kāi)大學(xué)提交本人的學(xué)位論文紙質(zhì)本及相應(yīng)電子版。本人完全了解南開(kāi)大學(xué)有關(guān)研究生學(xué)位論文收藏和利用的管

2、理規(guī)定。南開(kāi)大學(xué)擁有在《著作權(quán)法》規(guī)定范圍內(nèi)的學(xué)位論文使用權(quán)，即：(1)學(xué)位獲得者必須按規(guī)定提交學(xué)位論文(包括紙質(zhì)印刷本及電子版)，學(xué)?？梢圆捎糜坝?、縮印或其他復(fù)制手段保存研究生學(xué)位論文，并編入《南開(kāi)大學(xué)博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù)》；(2)為教學(xué)和科研目的，學(xué)?？梢詫⒐_(kāi)的學(xué)位論文作為資料在圖書(shū)館等場(chǎng)所提供校內(nèi)師生閱讀，在校園網(wǎng)上提供論文目錄檢索、文摘以及論文全文瀏覽、下載等免費(fèi)信息服務(wù)；(3)根據(jù)教育部有關(guān)規(guī)定，南開(kāi)大學(xué)向教育部指定單位提交公開(kāi)的學(xué)位論文；(4)學(xué)位論文作者授權(quán)學(xué)校向中國(guó)科技信息研究所及其萬(wàn)方數(shù)據(jù)電子出版社和中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤(pán))電子出版社提交規(guī)定范圍

3、的學(xué)位論文及其電子版并收入相應(yīng)學(xué)位論文數(shù)據(jù)庫(kù)，通過(guò)其相關(guān)網(wǎng)站對(duì)外進(jìn)行信息服務(wù)。同時(shí)本人保留在其他媒體發(fā)表論文的權(quán)利。非公開(kāi)學(xué)位論文，保密期限內(nèi)不向外提交和提供服務(wù)，解密后提交和服務(wù)同公開(kāi)論文。論文電子版提交至校圖書(shū)館網(wǎng)站：http：／／202．113．20．163：8001／index．htm。本人承諾：本人的學(xué)位論文是在南開(kāi)大學(xué)學(xué)習(xí)期間創(chuàng)作完成的作品，并已通過(guò)論文答辯；提交的學(xué)位論文電子版與紙質(zhì)本論文的內(nèi)容一致，如因不同造成不良后果由本人自負(fù)。本人同意遵守上述規(guī)定。本授權(quán)書(shū)簽署一式兩份，由研究生院和圖書(shū)館留存。作者暨授權(quán)人簽字：黃堡堡2014年5月29日南開(kāi)大學(xué)研

4、究生學(xué)位論文作者信息論文題目微晶硅鍺太陽(yáng)電池的光電模擬和實(shí)驗(yàn)研究姓名黃振華學(xué)號(hào)1120110098答辯日期2014年05月27日論文類(lèi)別博士■學(xué)歷碩士E碩士專(zhuān)業(yè)學(xué)位口高校教師口同等學(xué)力碩士口院／系／所光電子薄膜器件與技術(shù)研究所專(zhuān)業(yè)電子科學(xué)與技術(shù)聯(lián)系電話(huà)13821626546Emailh__zhen_hua@163．COITI通信地址(郵編)：天津市南開(kāi)區(qū)衛(wèi)津路94號(hào)南開(kāi)大學(xué)光電子所(300071)備注：是否批準(zhǔn)為非公開(kāi)論文否注：本授權(quán)書(shū)適用我校授予的所有博士、碩士的學(xué)位論文。由作者填寫(xiě)(一式兩份)簽字后交校圖書(shū)t官，非公開(kāi)學(xué)位論文須附《南開(kāi)大學(xué)研究生申請(qǐng)非公開(kāi)學(xué)位論

5、文審批表》。萬(wàn)方數(shù)據(jù)南開(kāi)大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行研究工作所取得的研究成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本學(xué)位論文的研究成果不包含任何他人創(chuàng)作的、已公開(kāi)發(fā)表或者沒(méi)有公開(kāi)發(fā)表的作品的內(nèi)容。對(duì)本論文所涉及的研究工作做出貢獻(xiàn)的其他個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名：童堡堡2014年5月29日非公開(kāi)學(xué)位論文標(biāo)注說(shuō)明(本頁(yè)表中填寫(xiě)內(nèi)容須打印)根據(jù)南開(kāi)大學(xué)有關(guān)規(guī)定，非公開(kāi)學(xué)位論文須經(jīng)指導(dǎo)教師同意、作者本人申請(qǐng)和相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)方能標(biāo)注。未經(jīng)批準(zhǔn)的均為公開(kāi)學(xué)位論文，公開(kāi)學(xué)位

6、論文本說(shuō)明為空白。論文題目申請(qǐng)密級(jí)口限制(≤2年)口秘密(≤10年)口機(jī)密(≤20年)保密期限20年月日至20年月日審批表編號(hào)批準(zhǔn)日期20年月日南開(kāi)大學(xué)學(xué)位評(píng)定委員會(huì)辦公室蓋章(有效)注：限制★2年(可少于2年)：秘密★10年(可少于10年)：機(jī)密★20年(可少于20年)萬(wàn)方數(shù)據(jù)摘要微晶硅鍺薄膜具有高吸收系數(shù)、窄帶隙等特點(diǎn)，是非常有前景的太陽(yáng)電池吸收層材料。目前，該材料經(jīng)過(guò)不斷的優(yōu)化已初步應(yīng)用于太陽(yáng)電池中，但是如何才能發(fā)揮該材料的最大優(yōu)勢(shì)則需要從電池結(jié)構(gòu)方面進(jìn)行全面的理論研究，為此，本論文首先采用RF—PECVD技術(shù)，對(duì)微晶硅鍺薄膜的制備工藝進(jìn)行了探索，并以獲得的薄

7、膜參數(shù)為基礎(chǔ)，對(duì)微晶硅鍺太陽(yáng)電池進(jìn)行了系統(tǒng)的光電模擬研究，本論文的主要研究?jī)?nèi)容和成果如下：第一，通過(guò)實(shí)驗(yàn)的優(yōu)化，我們確定出“c．Sil．。Ge、：H薄膜的制備參數(shù)：總流量、反應(yīng)氣壓、襯底溫度、輝光功率和電極間距分別為350sccm、300Pa、200oC、10W和10rain。硅鍺濃度隨鍺含量的不同保持在2％至1％之間。為同時(shí)提取微晶硅鍺薄膜的兩個(gè)光學(xué)常數(shù)～折射率和吸收系數(shù)，我們建立了一種由透射譜出發(fā)并結(jié)合多層結(jié)構(gòu)模型以及柯西色散公式的Matlab方法，與傳統(tǒng)Swanepeol方法、PUMA方法相比，Matlab法通過(guò)透射率極值的位置而非幅值來(lái)計(jì)算折射率，能夠有