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1、半導體研究所2011年博士招生專業(yè)目錄中國科學院半導體研究所成立于1960年,是集半導體物理、材料、器件、電路及其應用研究于一體的綜合性研究所。研究所目前擁有2個國家級研究中心、3個國家重點實驗室、2個院級重點實驗室及研發(fā)中心，擁有大批先進的科研儀器設備和設施，承擔著一批國家重點科技支撐項目（如973計劃、863計劃、國家自然科學基金重大重點項目等），及地方、企業(yè)委托項目等。半導體所是國家首批設立博士后流動站的設站單位和博士、碩士學位授予單位，是中國科學院博士生重點培養(yǎng)基地之一，現(xiàn)有3個博士后流動站、4個博士學位授權點、5個學術型碩士學位授權點及3個專業(yè)學位碩士（工
2、程碩士）授權點。研究所現(xiàn)有在職職工640余人，其中科技人員460余人，中國科學院院士7名、中國工程院院士2名，研究員及正高級工程技術人員79名、副研究員及高級工程技術人員119名，中國科學院“百人計劃”入選者及國家杰出青年科學基金獲得者36名、國家百千萬人才工程入選者6名。半導體所擁有一支老、中、青相結合及年齡、知識結構、學科分布合理的研究生指導教師隊伍，現(xiàn)有研究生導師106人，其中博士生導師68人。研究所目前在學研究生536名，博士后在站人員28名，研究生已經(jīng)成為半導體所科研工作的生力軍。自知識創(chuàng)新工程啟動以來，半導體所累計有4人次獲全國百篇優(yōu)秀博士論文，4人次獲
3、院長獎學金特別獎，29人次獲院長獎學金優(yōu)秀獎，其他獎項49項。半導體所實行研究生兼任研究助理的方式，為研究生提供優(yōu)越的科研和生活條件，研究生可以直接參與研究所承擔的重大課題項目及前沿研究與攻關。半導體所2011年只在秋季招收攻讀博士學位研究生,并擬招87人(含碩博連讀生),實際招生人數(shù)以下達指標數(shù)為準。2011年我所代中科院蘇州納米所招收攻讀博士學位研究生,并擬招6人（僅招碩轉博考生）。熱忱歡迎廣大考生報考！網(wǎng)址：http://www.semi.ac.cnE-mail：yjsb@semi.ac.cn單位代碼：80136地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲郵政編碼:10008
4、335號聯(lián)系部門：研究生部電話：010-82304321聯(lián)系人：徐金威學科、專業(yè)名稱（代碼）預計招指導教師考試科目備注研究方向生人數(shù)070205凝聚態(tài)物理共9301半導體中磁性雜質電子鄭厚植①英語②固體物理（一）人態(tài)的自旋特性與操控③量子力學02半導體微納結構理論夏建白同上03低維納米結構、材料和李樹深同上新量子器件原理；固體量子計算和量子通信的基礎物理研究04半導體自旋電子學基礎吳曉光同上物理理論研究，半導體低維量子結構的電子態(tài)，自旋相關的電子輸運和光學性質05半導體自旋電子的實驗姬揚同上從事實驗研究工第1頁2010年8月27日10時39分10秒單位代碼：8013
5、6地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲郵政編碼:10008335號聯(lián)系部門：研究生部電話：010-82304321聯(lián)系人：徐金威學科、專業(yè)名稱（代碼）預計招指導教師考試科目備注研究方向生人數(shù)研究（微納結構中的量作子調(diào)制方案和器件應用研究）06半導體納米結構的非線常凱同上性光學性質07半導體量子結構中自旋張新惠同上相關的物理過程研究，半導體與金屬復合微納結構中光誘導集體激發(fā)、光電耦合效應與調(diào)控的研究08高品質稀磁半導體、半趙建華同上金屬、鐵磁金屬及其異質結構的分子束外延生長和自旋相關物理性質研究09半導體磁性量子結構自趙建華同上旋調(diào)控；新一代低功耗、多功能、超高速和高性能的半
6、導體自旋電子器件研發(fā)10半導體摻雜機制和納米李京波同上材料的研究11單量子態(tài)共振熒光及相孫寶權同上干控制12鐵磁半導體器件研究王開友同上具有較強的動手能力和扎實的物理基礎13半導體低維結構材料和王占國①英語②固體物理（二）量子器件、寬帶隙半導③半導體物理體材料、新型半導體光伏材料與器件、半導體第2頁2010年8月27日10時39分10秒單位代碼：80136地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲郵政編碼:10008335號聯(lián)系部門：研究生部電話：010-82304321聯(lián)系人：徐金威學科、專業(yè)名稱（代碼）預計招指導教師考試科目備注研究方向生人數(shù)材料物理等14納米電子器件秦華①英
7、語②固體物理（一）蘇州納米技術與③量子力學納米仿生研究所招生,為蘇州納米技術與納米仿生研究所代招080501材料物理與化學01大功率半導體照明技術李晉閩①英語②固體物理（二），半導體照明專用重大③半導體物理裝備02半導體低維結構材料和王占國同上量子器件、寬帶隙半導體材料、新型半導體光伏材料與器件、半導體材料物理等03寬禁帶半導體材料制備王曉亮同上、物理與應用；新型異質結半導體高效光伏材料與器件；新型半導體信息功能材料與器件；氮化鎵基微電子材料與器件04新型半導體材料和器件曾一平同上研究05半導體低維結構材料的陳涌海同上物理系畢業(yè)及有光學性質科研成績者優(yōu)先06紅外
