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《一款無(wú)片外電容ldo的設(shè)計(jì)和研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、分類號(hào)學(xué)號(hào)M201272124學(xué)校代碼10487密級(jí)碩士學(xué)位論文一款無(wú)片外電容LDO的設(shè)計(jì)和研究學(xué)位申請(qǐng)人：羅亞麗學(xué)科專業(yè)：軟件工程指導(dǎo)教師：陳曉飛副教授答辯日期：2015.1.ADissertationSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofEngineeringAOff-ChipCapacitor-FreeLDODesignandResearchCandidate:YaLiLuoMajor:SoftwareEngineeringSuperv
2、isor:AssociateProf.XiaofeiChenHuazhongUniversityofScience&TechnologyWuhan430074,P.R.ChinaJanuary,2015獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除文中已經(jīng)標(biāo)明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過(guò)的研究成果。對(duì)本文的研究做出貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名：日期：年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位
3、論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)華中科技大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。保密□，在年解密后適用本授權(quán)書。本論文屬于不保密□。（請(qǐng)?jiān)谝陨戏娇騼?nèi)打“√”）學(xué)位論文作者簽名：指導(dǎo)教師簽名：日期：年月日日期：年月日華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要隨著電子產(chǎn)品逐漸向便攜式以及多功能的方向發(fā)展，低壓差線性穩(wěn)壓器由于其尺寸小、噪聲低、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及成本低等優(yōu)點(diǎn)，
4、則在電源管理芯片中占有重要地位。而SoC技術(shù)和IP復(fù)用對(duì)于芯片集成度的要求相對(duì)來(lái)說(shuō)較高，所以如何能夠去掉LDO中片外大電容來(lái)提高芯片集成度也受到了很多的關(guān)注和研究。因此無(wú)片外電容LDO的研究是極具現(xiàn)實(shí)意義的。本文旨在研發(fā)一款負(fù)載變化范圍較寬并具有較好的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性的無(wú)片外電容LDO。其輸入電壓范圍為3~5V,輸出電流范圍0~100mA，輸出電壓為2.8V，本文討論和分析了無(wú)片外電容LDO穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)問(wèn)題，介紹了目前無(wú)片外電容LDO的穩(wěn)定性設(shè)計(jì)技術(shù)和瞬態(tài)響應(yīng)改善技術(shù)。在此基礎(chǔ)上，提出了本設(shè)計(jì)優(yōu)化方案，主要是采用嵌套式米勒補(bǔ)償進(jìn)行穩(wěn)定
5、性設(shè)計(jì)，通過(guò)添加擺率增強(qiáng)電路來(lái)優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)?；贑SMC0.5μmN阱工藝，完成了電路設(shè)計(jì)與仿真。最后得到的仿真結(jié)果為：最小壓降VDROP小于200mV；靜態(tài)電流IQ大約為60μA；線性調(diào)整率LR約為0.073%；負(fù)載調(diào)整率LDR約為0.03%；負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí)過(guò)沖電壓不超過(guò)150mV。關(guān)鍵詞：無(wú)片外電容LDO嵌套式米勒補(bǔ)償擺率增強(qiáng)電路I華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文AbstractWiththegradualdevelopmentoftheportableelectronicproducts,aswellasthedirectionofmu
6、lti-functional,low-dropoutlinearregulatorbecauseofitssmallsize,lownoise,simplecircuitstructureandlowcost,itplaysanimportantroleinthepowermanagementchip.TheSoCandIPreusetechnologyforchipintegrationrequirementsarerelativelyhigh,sohowcanwegetridofthechipLDOlargecapacitortoin
7、creasechipintegrationhasalsobeenalotofattentionandresearch.Therefore,nooff-chipcapacitorLDOstudyisofgreatpracticalsignificance.Thispaperaimstodevelopahigh-performancechipwithoutexternalcapacitorLDO.Itswideinputvoltagerangeforthe3~5V.Outputcurrentrange0~100mA,theoutputvolt
8、agewas2.8V.WhenVINis3.3V,theloadtransientresponseoverchargevoltageislessthan150mV.Thispaperdescr
