含低聚硅氧烷紅光磷光材料的合成及性能研究

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1、０６１４公開中圖分類號：密紙ＵＤＣ：本校編號：讀州交追義肇——碩±學(xué)位論文一．＇＾棠－－－裏甲一＂Ｉ一Ｖ乂：：１５．二‘．－ｉｆ以論規(guī)目＝含低聚娃氧婉紅光鱗光材料的合成及性能研究．—項：研究生掛名：邱晚莉學(xué)號：０２１３０６９５’＇身：．－；天智教授：俞職祿學(xué)校指導(dǎo)教師姓名：申請學(xué)位等級工材料物理與化學(xué)：專業(yè)；２〇１６年ｎ日２０１６論文提交日期：６月論義答辯日期：年６月７日獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指

2、導(dǎo)下進行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特別加Ｗ標(biāo)注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研，也不包含獲得蘭州交通大學(xué)或其他教育機構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料究成果。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并表示了謝意。學(xué)位論文作者簽名簽字日期片月日／學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解蘭州交通大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定。特授權(quán)蘭州交通大學(xué)可＾＾＾將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編供查閱和借閱。同意學(xué)校向

3、國家有關(guān)部口或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤。（保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)說明）簽學(xué)位論文作者簽名：劇幣簽名：巧巧字曰期；年／月曰簽字曰期片＾年（月／７曰若碩士學(xué)位論文含低聚硅氧烷紅光磷光材料的合成及性能研究SynthesisandPropertiesoftheRedPhosphorescentMaterialsContainingOligomericSiloxaneCore作者姓名：邱曉莉?qū)W科、專業(yè)：材料物理與化學(xué)研究方向：光電材料學(xué)號：02130695指導(dǎo)教師：俞天智完成日期：2016.04蘭州交通大學(xué)LanzhouJi

4、aotongUniversity蘭州交通大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要OLED技術(shù)由于其工藝簡單、響應(yīng)迅速、成本低、能同時實現(xiàn)剛性顯示和柔性顯示等優(yōu)勢，已成為目前顯示技術(shù)的主要研究方向。經(jīng)過近幾十年的發(fā)展，OLED手機、OLED燈、OLED電視機已經(jīng)逐步面市。但是，相比于綠光材料與藍(lán)光材料，紅光材料的發(fā)展卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，目前報道的外量子效率最高的紅光磷光材料僅為20.2%。為了解決紅光材料發(fā)展的不足，減少分子堆積引起的淬滅現(xiàn)象，我們將紅光材料中引入分子水平上的有機/無機雜化材料——低聚硅氧烷。在該結(jié)構(gòu)中，無機低聚硅氧烷材料表現(xiàn)出較高的熱穩(wěn)定性和機械強度，而有機材料則

5、柔韌性比較好。此外，低聚硅氧烷結(jié)構(gòu)的引入，可以有效地抑制發(fā)光團之間的聚集和相互作用，從而提高了材料的發(fā)光效率和光色純度。本文的研究工作受到國家自然科學(xué)基金項目資助，主要內(nèi)容包括：以2-(1-萘基)-苯并噻唑(nbt)作為第一配體，以吡啶酸和載流子傳輸基團功能化的吡啶酸衍生物為第二配體，合成了3種新型紅光銥配合物磷光材料(Ir(nbt)2(pic)、Ir(nbt)2(pic-Ox)和Ir(nbt)2(pic-Cz))；引入具有納米尺寸結(jié)構(gòu)的倍半硅氧烷(POSS)，得到了一種新型有機/1無機雜化磷光材料POSS-7Cz-Ir(nbt)2(pic)(POSS

6、-pic)。通過HNMR和質(zhì)譜分析，確定了所合成材料的結(jié)構(gòu)；通過紫外-可見吸收光譜、光致發(fā)光光譜、熱重分析和電化學(xué)分析，研究了它們的光物理特性、熱穩(wěn)定性和電化學(xué)性能。結(jié)果表明，四種材料的光致發(fā)光的主發(fā)射峰均在605nm處，并且在650nm有一個肩峰，是典型的紅光材料。四種材料的熱分解溫度均在280℃以上，具有較高的穩(wěn)定性。采用真空熱蒸鍍法，制備了材料Ir(nbt)2(pic)的電致發(fā)光器件；采用溶液旋涂法，制備了材料Ir(nbt)2(pic-Ox)和Ir(nbt)2(pic-Cz)的電致發(fā)光器件。詳細(xì)地研究了它們的電致發(fā)光性能。其中電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)分

7、別為：ITO/TAPC(20nm)/CBP:Ir(nbt)2(pic)(30nm)/TPBi(50nm)/Liq(2nm)/Al(150nm)(器件1)；ITO/PEDOT:PSS(30nm)/CBP:Ir(nbt)2(pic-Ox)/TPBi(50nm)/Liq(2nm)/Al(器件2)；ITO/PEDOT:PSS(30nm)/CBP:Ir(nbt)2(pic-Cz)/TPBi(502nm)/Liq(2nm)/Al(器件3)。結(jié)果表明，三種材料的發(fā)光器件的最大亮度均在在1000cd/m以上，發(fā)光效率分別為3.8cd/A，3.5cd/A，3.25cd/

8、A。本文旨在合成新型紅光磷光材料，簡化器件結(jié)構(gòu)，改善紅光OLED材料的發(fā)展落后的問題，為紅光磷