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1、以基集b和發(fā)射極e之間的發(fā)射結作為輸入回路。以集電極c和發(fā)射極e之間的回路作為輸出回路。VON為開啟電壓。硅三極管的開啟電壓VON為0.5~0.7V,鍺三極管的開啟電壓VON為0.2~0.3V。VBE為輸入電壓,iB為輸入電流。VCE為輸出電壓,iC為輸出電流。集電極電流iC不僅受VCE影響,還受基極電流iB影響。輸出特性曲線分三個區(qū):1、曲線右邊的水平部分為放大區(qū)(線性區(qū)),特點是:iC隨iB成正比變化,幾乎不受VCE變化的影響。2、靠近縱軸部分為飽和區(qū),特點是:iC不隨iB貝塔的比例增加,而是趨向飽和。硅三極管飽和區(qū)的VCE值約為0.6~0.7V,深度飽和狀態(tài)下的飽和
2、壓降在0.2V以下。3、iB的一條輸出特性曲線以下的區(qū)域為截至區(qū)。截止區(qū)特點是iC幾乎為0.雙極型三極管的基本開關電路當VI=0,或者VIVON時,三極管導通狀態(tài),輸出電壓為低電平VOL.硅三極管的深度飽和壓降為0.3V,VCE(sat)飽和導通壓降。RCE(sat)飽和導通內阻。鍺三極管的深度飽和壓降為0.1V綜上述,保證當VI=VIL時VBEIBS,三極管工作在深度飽和狀態(tài),相當于開關接通,在開關電路
3、的輸出端VO=VOL輸出低電平。則Y=Aˊ則三極管的c-e間就相當于一個受VI控制的開關。晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結正向偏置,且集電節(jié)反向偏置.PN結加正向電壓時,空間電荷區(qū)將變窄.(幻燈片第114張和115張不明白).穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在反向擊穿.β=⊿iC/⊿iB,β是交流電流的放大系數。α=β/(1+β)當三極管截止時,發(fā)射結反偏,iC=0,相當于開關斷開;當三極管飽和時,發(fā)射結正偏,VCE=VCE(sat)≈0.相當于開關閉合.1.3圖3.5.10TTL反相器的電壓傳輸特性TTL反相器的電壓的傳輸特性壓傳輸特性1、A~B段:截止區(qū):VI<0.6V,
4、VB1<1.3VT1導通,T2,T5截止,T4導通→VOH=VCC—VR2—VBE4—VD2=3.4V。2、B~C段:線性區(qū):0.7VVO↓3、C~D段:轉折區(qū):4、D~E段:飽和區(qū):VI繼續(xù)↑,而VO不變,VO=VOL。TTL門店里的輸入端噪聲容限參數VOH(min)=2.4V,VOL(max)=0.4V,VIH(min)=2.0V,VIL(max)=0.8V,VNH=0.4V,VNL=0.4VTTL門電路的輸入特性:圖3.5.13TTL反相器的靜態(tài)輸入特性IIS輸入高電平輸入低電平D1導通輸出特性:
5、高電平輸出:輸出為VO=VOH時,T4、D2導通,T5截止.74系列最大為IOH(max)=-0.4mA.低電平輸出:輸出為VO=VOL時,T4、D2截止,T5導通.VOL基本呈線性關系.扇出系數計算:扇出系數就是一個門電路驅動同類型門電路的個數。也就是表示門電路的帶負載能力。當輸出低電平時:設有N1個非門,則有當輸出為高電平時,設可帶N2個非門,則有則取N=min{N1,N2}TTl反相器輸入端的負載特性曲線:故一般對于TTL門電路,若輸入端通過電阻接地,當RP≤0.7KΩ時,構成低電平輸入方式;當RP≥1.5KΩ時,構成高電平輸入方式。其他類型的TTL與非門圖3.5.
6、29TTL與非門電路TTL與非門電路若輸入端接低電平時,輸入電流的計算和反相器相同。輸入端接高電平,T1的兩個發(fā)射結反偏,故輸入電流為單個輸入端高電平輸入電流的2倍。輸出為高電平時,可以帶N1個同類邏輯門,則2N1*IIH≤IOH。輸出為低電平時,可以帶N2個邏輯門,則N2*IIL≤IOLN為驅動個數或非門與或非門異或門圖3.5.34異或門電路AB(A+B)′Y=A⊕B注釋:與門和或門是在與非門和或非門的基礎上加了一級反相器構成。OC門OC門的與非門電路圖和符號示意圖與非門符號OC門的與或非門Y=(AB+CD)'外界負載電阻RL的計算a:驅動輸出為高電平時 其
7、中n-驅動管的個數,m-負載管輸入端的個數,IOH-每個OC門T5管截止時的漏電流;IIH-負載門每個輸入端的高電平輸入電流。b:驅動輸出為低電平時m¢-負載管短路電流的個數;IOL-OC門T5管導通時的電流;IIL-負載門每個輸入端的短路輸入電流。TTL門電路上拉電阻計算RL(min)TTL門電路中,當輸入端并聯(lián)時:(一個負載門可能有n個輸入端)當電路為與非門時,低電平輸入,m'=負載門的個數,而不是輸入端的個數。高電平輸入時m'=輸入端的個數。當電路為或非門時,低電平輸入,高電平輸入m'=輸入端的個數。OC門(又稱集電極開