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《【嵌入式】2012.03.05嵌入式系統(tǒng)原理與設(shè)計》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、課前復(fù)習(xí)：判斷某位是0還是1的方法：6543210xxxxxxx位于上該位掩碼如果得到值為0，該位為0；如果的到值非0，該位為1；寫程序時可使用語句：if(DAT&1<<5!=0)——位于上第5位的掩碼，非零則該位為11……else0….一、分類SRAM：靜態(tài)隨即存儲器（cache）存取速度會計，容量小，造價高，不需刷新DRAM：動態(tài)隨即存儲器（內(nèi)存）造價低，存取速度稍慢，存儲單元需刷新SDRAM：同步動態(tài)隨機存儲器步時鐘（上升沿或下降沿存取數(shù)據(jù)）DDRSDRAM：（DualDataRate雙倍速率）（上升沿和下降沿都可以讀取數(shù)據(jù)）FLASH：閃存
2、（外存）速度慢，容量大，造價低NANDFLASH：與非閃存東芝數(shù)據(jù)NORFLASH：或非閃存Intel代碼二、SRAM介紹《嵌入式相關(guān)資料》1.存儲矩陣654321001234（立體存儲結(jié)構(gòu)）8位存儲器地址（行地址+列地址）DRAM、FLASH、SRAM結(jié)構(gòu)相同圖具體見書上P117頁2.位存儲電路一位需要1個電阻元件6個MOS管6*8*…..金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管開關(guān)：柵極G漏極D原級SG高電平DS導(dǎo)通，否則截止SRAM存儲電路：寫數(shù)據(jù)：選通信號為高電平，T5，T6導(dǎo)通如果寫1，D發(fā)出高電平，D#發(fā)低電平當(dāng)選通信號失效，T1截止，T2導(dǎo)通，T3，
3、T4做負載使用T4的內(nèi)阻>>T2內(nèi)阻《嵌入式相關(guān)資料》T3的內(nèi)阻>>T1內(nèi)阻Q為高電平，由Vcc提供Q#為低電平，由接地端提供寫1以及讀取同理。電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)能理解多少理解多少。（老師這么說的。）3.SRAM接口CER/WAddrData數(shù)據(jù)線地址線片選讀/寫SRAM地址線充足（行列地址可同時發(fā)出）DRAM（先發(fā)行地址，再發(fā)列地址）FLASH（發(fā)四次地址）地址和數(shù)據(jù)公用I/O總線三、DRAM介紹1.基本電路圖具體見書上P125頁寫1：數(shù)據(jù)線加高電平，電容充電寫0：數(shù)據(jù)線加低電平，電容放電讀數(shù)據(jù)：如果有放電電流，該位為1如果無電流，該位為0刷新（技術(shù)）
4、：《嵌入式相關(guān)資料》①讀數(shù)據(jù)時，電容放電需重寫②電容容量小，易漏電，需定時刷新SRAM比DRAM讀取速度快的原因：①DRAM電容充電放電存在延遲②DRAM存儲單元在刷新過程中不能訪問③SRAM地址線充足（行列地址可同時發(fā)出）2.SDRAM原理①SDRAM芯片結(jié)構(gòu)SDRAM之前BANKM之前BANKM之前BANKM之前BANKM之前優(yōu)點：1）提高存儲器訪問速度2）節(jié)能（片選）圖具體見書上P125頁BA0BA1————00011011————Bank選擇信號22=4A0~A12RAS#（行低電平）CAS#（列高電平）——行地址RAS#（行高電平）CAS
5、#（列低電平）——列地址CLK——時鐘WE#——寫使能選通信號詳見127頁②SDRAM讀操作：1）發(fā)送行地址和行選通信號tRCD(表示行地址發(fā)出到列地址發(fā)出的時間間隔)《嵌入式相關(guān)資料》RCD也成為——RAStoCASdelay（間隔）tRCD=2————表示延時間為2個時鐘周期2）發(fā)送列地址和列選通信號，以及數(shù)據(jù)讀命令，從命令發(fā)出到數(shù)據(jù)出現(xiàn)在總線上有延遲，這個延遲成為CAS延遲。用CL表示。從發(fā)送地址到數(shù)據(jù)出現(xiàn)到總線上時長：tRCD+CL③SDRAM寫操作1）發(fā)送行地址和行選通新號tRCD2）發(fā)送到列地址和列選通新號，以及寫命令，同時數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)
6、總線傳給芯片，不存在CL延時。神裝工作站嵌入式相關(guān)資料，歡迎下載！《嵌入式相關(guān)資料》
