LED芯片的發(fā)展趨勢

《LED芯片的發(fā)展趨勢》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、1.4LED芯片的發(fā)展趨勢LED芯片的發(fā)展趨勢一、大功率芯片二、高效率芯片三、我國芯片發(fā)展情況一、LED芯片大功率在LED按輸入功率分類中，瓦級LED芯片的尺寸為1×1mm，小功率LED芯片為8×8mil=200×200μm。是不是會得出這樣的結(jié)論：LED的芯片尺寸越大，輸入的電功率越大，輸出光通量越大。研究表明：當芯片尺寸大于1.666×1.666mm時，發(fā)光不會與芯片面積成正比，而是隨著芯片面積的增加，發(fā)光強度減小。一、發(fā)展趨勢之大功率一、LED芯片大功率未來大功率LED的獲得方法不可能由大尺寸面積的單芯片LED完成由多個芯片

2、組合做成高亮度LED光源。一、發(fā)展趨勢之大功率二、高效率LED芯片發(fā)光效率的理論推算200lm/W二、發(fā)展趨勢之高效率目前的效率水平以白光LED為例2000年：10lm/W市場：70~100lm/W二、發(fā)展趨勢之高效率2008年Osram新款白光LED發(fā)光效率又創(chuàng)新高在350mA的工作電流下，峰值亮度達到了155lm，發(fā)光效率為136lm/W。研究人員使用了一種新型1平方毫米LED發(fā)光元件。這種LED原型的色溫為5000K，色座標為（0.349，0.393）(x，y)。歐司朗表示這種LED還可以工作于1.4A電流下，亮度可達到50

3、0lm，潛在應(yīng)用包括投影儀、汽車車燈以及其他需要高亮度照明場合，屆時僅靠單顆LED就能滿足人們的需要。目前，歐司朗準備將這項技術(shù)迅速從實驗室?guī)胧袌?。二、發(fā)展趨勢之高效率提高發(fā)光效率的方法內(nèi)量子效率：電子躍遷產(chǎn)生光子的效率。基本可以達到80％甚至90％以上。外量子效率：遠沒有上面的高，也就是光子產(chǎn)生了，卻無法有效提取，被LED吸收產(chǎn)生為熱能導(dǎo)致結(jié)溫升高。從芯片的外延片的結(jié)構(gòu)中考慮，如襯底的結(jié)構(gòu)、芯片表面處理、芯片大小、封裝方法等方面改善。二、發(fā)展趨勢之高效率提高外量子效率簡介襯底剝離技術(shù)表面粗化技術(shù)制備基于二維光子晶體的微結(jié)構(gòu)倒裝

4、芯片技術(shù)芯片表面處理技術(shù)全方位反射膜發(fā)展大功率大尺寸芯片提高側(cè)向出光的利用效率二、發(fā)展趨勢之高效率三、我國芯片發(fā)展情況“十一五”半導(dǎo)體照明戰(zhàn)略目標示意圖我國LED芯片國產(chǎn)化趨勢變化三、我國芯片發(fā)展情況國內(nèi)外白光LED芯片指標對比三、我國芯片發(fā)展情況小結(jié)LED的發(fā)展趨勢一是高功率，通過增加單個芯片的尺寸面積達到，或是組合使用大功率單個LED芯片。二是高效率，在內(nèi)部量子效率無法提高的情況下，盡可能提高外量子效率，是產(chǎn)生的光子有效地輻射出來。三、我國芯片發(fā)展情況