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《微電子42014微電子器件基礎(chǔ)58章要求掌握的重點》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、非平衡載流子注入探針注入小注入、大注入非平衡載流子濃度非平衡載流子壽命（少子壽命、壽命）準(zhǔn)費(fèi)米能級（電子準(zhǔn)費(fèi)米能級、空穴準(zhǔn)費(fèi)米能級）直接復(fù)合間接復(fù)合表面復(fù)合俄歇復(fù)合最有效復(fù)合中心陷阱效應(yīng)載流子擴(kuò)散連續(xù)性方程一概念第五章非平衡載流子（非平衡半導(dǎo)體）最有效復(fù)合中心能級示意圖間接復(fù)合能帶示意圖俄歇復(fù)合能帶示意圖非平衡半導(dǎo)體能帶圖有效陷阱的能帶示意圖二圖三論述表面復(fù)合對半導(dǎo)體載流子壽命的影響金在硅半導(dǎo)體中的有效復(fù)合中心作用連續(xù)性方程中每一項的物理意義四關(guān)系式非平衡半導(dǎo)體價帶空穴濃度非平衡半導(dǎo)體導(dǎo)帶電子濃度凈復(fù)合
2、率用準(zhǔn)費(fèi)米能級表示的非平衡半導(dǎo)體載流子濃度，間接復(fù)合凈復(fù)合率擴(kuò)散電流密度漂移電流密度空穴電流密度電子電流密度半導(dǎo)體總電流密度愛因斯坦關(guān)系式空穴連續(xù)性方程電子連續(xù)性方程第六章PN結(jié)突變結(jié)單邊突變結(jié)線性緩變結(jié)結(jié)深擴(kuò)散結(jié)平衡PN結(jié)PN結(jié)空間電荷區(qū)PN結(jié)接觸電勢差PN結(jié)勢壘高度PN結(jié)勢壘寬度耗盡層近似一概念12PN結(jié)正偏13PN結(jié)反偏14勢壘電容15擴(kuò)散電容16PN結(jié)雪崩擊穿17PN結(jié)隧道擊穿18熱擊穿19隧道結(jié)20隧道二極管峰值電流、峰值電壓21隧道二極管谷值電流、谷值電壓22隧道二極管過量電流；平衡PN結(jié)能
3、帶圖正向偏壓下，PN結(jié)能帶圖PN結(jié)電流-電壓關(guān)系曲線突變PN結(jié)中電場分布圖隧道二極管電流-電壓關(guān)系曲線二圖三論述平衡PN結(jié)的形成平衡PN結(jié)的性質(zhì)PN結(jié)勢壘電容是如何形成的？勢壘電容與雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)分布的關(guān)系？PN結(jié)擴(kuò)散電容是如何形成的？用能帶圖說明隧道二極管電流-電壓關(guān)系的對應(yīng)機(jī)理雪崩擊穿電壓的溫度特性及解釋突變結(jié)泊松方程突變結(jié)空間電荷區(qū)寬度、電場強(qiáng)度、最大電場強(qiáng)度、電位求解突變結(jié)勢壘電容求解四關(guān)系式、推導(dǎo)題第七章MS接觸半導(dǎo)體功函數(shù)電子親和能金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差金屬-半導(dǎo)體接觸電勢差半導(dǎo)體表面空間電荷
4、區(qū)電子阻擋層電子反阻擋層表面勢壘高度表面勢壘寬度半導(dǎo)體表面勢一概念11表面態(tài)12釘扎效應(yīng)13施主型表面態(tài)14受主型表面態(tài)15表面中性能級16表面態(tài)密度17理想歐姆接觸18接觸電阻19高低結(jié)20肖特基勢壘二極管金屬-半導(dǎo)體接觸形成電子阻擋層情況下的能帶圖金屬-半導(dǎo)體接觸形成電子反阻擋層情況下的能帶圖正向偏壓下，金屬/N型半導(dǎo)體接觸能帶圖表示金屬與半導(dǎo)體歐姆接觸的基本結(jié)構(gòu)示意圖二圖三論述擴(kuò)散理論模型對肖特基勢壘二極管電流-電壓關(guān)系的解釋熱電子發(fā)射理論模型對肖特基勢壘二極管電流-電壓關(guān)系的解釋形成金屬與半導(dǎo)體
5、歐姆接觸的基本原理和手段肖特基勢壘二極管的主要特點四關(guān)系式、推導(dǎo)半導(dǎo)體功函數(shù)計算按肖特基功函數(shù)模型計算MS接觸電勢差、勢壘高度MS接觸中，電子隧道穿透半導(dǎo)體表面勢壘的幾率理想半導(dǎo)體表面半導(dǎo)體表面態(tài)表面懸掛鍵表面能級表面能帶理想MIS結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體表面電場效應(yīng)表面堆積表面平帶表面耗盡表面本征第八章半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)一概念12表面弱反型13表面臨界強(qiáng)反型14表面強(qiáng)反型15表面深耗盡16臨界強(qiáng)反型17半導(dǎo)體表面最大耗盡層寬度18反型層19費(fèi)米勢20場感應(yīng)結(jié)21表面空間電荷區(qū)、表面空間電荷區(qū)寬度22表面勢23表
6、面電場MIS結(jié)構(gòu)圖（包括半導(dǎo)體為P型、N型兩種）MIS結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體表面耗盡狀態(tài)下的能帶圖MIS結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體表面臨界強(qiáng)反型狀態(tài)下的能帶圖MIS結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體表面中的泊松方程耗盡狀態(tài)下的表面勢、耗盡層寬度臨界強(qiáng)反型狀態(tài)下的表面勢、耗盡層寬度費(fèi)米勢計算式二圖三論述在MIS結(jié)構(gòu)中，影響半導(dǎo)體表面出現(xiàn)強(qiáng)反型狀態(tài)的因素分析四關(guān)系式
