劉雪強畢業(yè)論文最終版

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1、吉林大學博士學位論文單位代碼：10183學　　號：2005511009吉林大學博士學位論文劉雪強吉林大學博士學位論文分類號：TN386、TN389　　　　　　　　　　　　　　密級：公開薄膜晶體管驅動OLED技術中關鍵問題的研究TheStudyiesofnKeyIssuesaboutofThinFilmTransistorsDrivingOrganicLight-emittingDisplayDrivingTechnologybyThinFilmTransistors劉雪強指導教師姓名：張彤教授專業(yè)名稱：微電子學與固體電子學論文答辯日期：2008年月日授予學位日期：2008年

2、月日答辯委員會主席：論文評閱人：年　　　月吉林大學博士學位論文未經(jīng)本論文作者的書面授權，依法收存和保管本論文書面版本、電子版本的任何單位和個人，均不得對本論文的全部或部分內(nèi)容進行任何形式的復制、修改、發(fā)行、出租、改編等有礙作者著作權的商業(yè)性使用（但純學術性使用不在此限）。否則，應承擔侵權的法律責任。吉林大學博士學位論文吉林大學博士學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交學位論文，是本人在指導教師的指導下，獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式

3、標明。本人完全意識到本聲明的法律結果由本人承擔。學位論文作者簽名：日期：年月日吉林大學博士學位論文《中國優(yōu)秀博碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫》投稿聲明研究生院：本人同意《中國優(yōu)秀博碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫》出版章程的內(nèi)容，愿意將本人的學位論文委托研究生院向中國學術期刊（光盤版）電子雜志社的《中國優(yōu)秀博碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫》投稿，希望《中國優(yōu)秀博碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫》給予出版，并同意在《中國博碩士學位論文評價數(shù)據(jù)庫》和CNKI系列數(shù)據(jù)庫中使用，同意按章程規(guī)定享受相關權益。論文級別：□□碩士■■博士學科專業(yè)：微電子學與固體電子學論文題目：薄膜晶體管驅動OLED技術中關鍵問題的研究作者

4、簽名：　　　　　　　　　　指導教師簽名：　　　　　　　　　　　　　　　　　2008年月日作者聯(lián)系地址（郵編）：吉林省長春市前進大街2699號吉林大學電子科學與工程學院（130012）作者聯(lián)系電話：0431-85168385吉林大學博士學位論文提要OLED近年來，OLED（OrganicLight-EmittingDiode）顯示屏具有超薄、超輕、自發(fā)光、高清晰、制備成本低及可實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，近年來，OLED成為平板顯示領域研究的熱點，它具有超薄、超輕、自發(fā)光、高清晰、低能耗、制備成本低及可實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點。利目前用薄膜晶體管陣列進行實現(xiàn)OLED的有源驅動來實現(xiàn)可以滿足

5、OLED屏的全彩色以及高對比度、高信息含量顯示的需要。針對圍繞OLED有源驅動這個問題，本文按照從單管到電路單元、再到集成電路設計的順序，由簡到繁的研制了單管OTFT，在此基礎上制備了有機電路單元，最后完成了128×96×3像素全彩色OLED屏有源驅動多晶硅TFT陣列布圖設計來驅動128×96×3像素全彩色OLED屏。以ITO為襯底，分別制備了底柵結構和頂柵結構的CuPc薄膜晶體管。底柵結構的TFT是利用高分子聚合物(甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸環(huán)氧丙脂)為絕緣層，三氧化鉬做為有源層和源漏接觸之間的緩沖層，在低功函數(shù)鋁作為源漏金屬為低功函數(shù)鋁的情況下，降低了器件具有開啟電壓低

6、，提高了電流開關比高的特點。頂柵結構的OTFT利用高介電常數(shù)的CaF2為絕緣層，增大了器件的開態(tài)電流，得到了獲得的器件具有較高的遷移率。提取了頂柵結構OTFT在H-SPICE下模型的參數(shù)，用此模型對OTFT構成的電路單元進行仿真。在此基礎上，制備了基于頂柵結構薄膜晶體管的反相器、與非門、電流鏡等基本電路單元。，并對電路單元的性能進行了測試。開展了低溫多晶硅薄膜晶體管有源驅動OLED的研究。，經(jīng)仿真確定了像素電路內(nèi)各個參數(shù)的值，設計采用2吉林大學博士學位論文了128×96×3像素的全P溝道低溫多晶硅薄膜晶體管驅動陣列的設計，并完成將部分周邊驅動與顯示屏的像素陣列集成在一起的布

7、圖設計，有效地減少了外接引線的數(shù)目。針對設計工作，提出了一種電流測試方法來快速檢測多晶硅TFT陣列驅動管能否正常工作狀態(tài)，具有高精度、不影響開口率、對陣列無損傷等優(yōu)點。2吉林大學博士學位論文目錄第一章緒論14§1.1薄膜晶體管的發(fā)展歷史與研究現(xiàn)狀58§1.2非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管和有機薄膜晶體管性能比較69§1.2.1非晶硅(a-Si)TFT技術簡介69§1.2.2多晶硅(Poly-Si)TFT技術簡介710§1.2.3有機(OTFT)TFT技術簡介811§1.3多晶硅薄膜晶體管制備技術及應用912§1