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《講義-電解法氣相沉積法》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、一些先進(jìn)的粉末制備方法溶液氫還原法(高壓氫還原)液相還原法(微乳液法,還原劑聯(lián)氨、尿素)溶膠凝膠法(制備超細(xì)、納米氧化物粉末)機(jī)械化學(xué)法燃燒火焰--化學(xué)氣相法激光誘導(dǎo)溶液還原法電爆炸法聲化學(xué)法等離子體法電解法分類(lèi)水溶液電解:可生產(chǎn)銅、鎳、鐵、銀、錫等金屬粉及合金粉。熔鹽電解:制取難熔稀有金屬。特點(diǎn)有:純度高多為樹(shù)枝狀,壓制性好粒度易于控制缺點(diǎn):耗電量大,成本高。環(huán)保問(wèn)題水溶液電解法基本原理+—Cu2+陰極Cu陽(yáng)極CuSO4電解法制備Cu粉:電解的定量規(guī)律w-物質(zhì)的原子量n-原子價(jià)電解產(chǎn)量:m=q×I×tI-電流強(qiáng)度;t-電解時(shí)間法拉
2、第二定律,電化當(dāng)量:成粉條件i:電流密度c:溶液濃度K:常數(shù),例如CuSO4的K值為0.53電解銅粉工藝刷、洗滌、過(guò)濾粉末沉積物研磨還原過(guò)篩銅粉CuSO4Cu陽(yáng)極Pb陰極電解槽氣相沉積法一、概述羰基法氣相還原法化學(xué)氣相沉積(CVD,ChemicalVaporDeposition)物理氣相沉積(PVD,PhysicalVaporDeposition)1.羰基法金屬與CO生成羰基物(易揮發(fā)液體或易升華固體)。離解羰基化合物制備金屬粉末的方法叫羰基法?;驹恚?)羰基物生成:Me+nCO=Me(CO)nNi+4CO=Ni(CO)4△H=
3、-39100卡提高壓力有利于反應(yīng)發(fā)生。溫度提高有利于羰基Ni的生成,但又促使起分解。工藝中必須采用高壓。(2)羰基物離解:Me(CO)n=Me+nCONi(CO)4=Ni+4CO分解反應(yīng)在230℃左右開(kāi)始。生成物s+g。粉末粒度包含生成晶核和晶核長(zhǎng)大兩個(gè)重要因素。CO氣加熱加壓。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。Ni原料Ni(CO)4蒸氣冷凝液相存儲(chǔ)加熱Ni粉循環(huán)Ni+4CONi(CO)4180~300atm200℃冷凝液體Ni(CO)4Ni+4CO280~300℃1atm表面鈍化氧氣、氮?dú)?/p>
4、檢驗(yàn)工藝羰基法特點(diǎn)(1)粒度細(xì)(2)純度高(3)可以生產(chǎn)合金粉(4)工藝設(shè)備復(fù)雜,成本高2.氣相氫還原法用氫氣還原氣態(tài)金屬鹵化物原理:W+3Cl2=WCl6WCl6+3H2=W+6HCl特點(diǎn):容易得到細(xì)粉和超細(xì)粉化學(xué)氣相沉積CVD從氣態(tài)金屬鹵化物還原化合沉積制取難熔金屬化合物粉末和各種涂層。包括:碳化物、硼化物、硅化物、氮化物。CVD在材料表面涂層的應(yīng)用比制粉更廣泛。歷史:1923年德國(guó)人K.Schroter發(fā)明了YG硬質(zhì)合金,YG(WC-Co)在鋼切削加工中發(fā)現(xiàn)問(wèn)題(月牙凹),1930年就有人采用CVD做TiC、TiN涂層,該方法
5、法作為工業(yè)化應(yīng)用是1969年在山德維克申請(qǐng)TiC涂層刀具專(zhuān)利。它受到瑞士制表廠德啟發(fā),在滑動(dòng)件上延長(zhǎng)壽命。原理:在一定溫度下,金屬鹵化物蒸氣與反應(yīng)氣體作用形成難熔金屬化合物:碳化物:MeClx+CmHn+H2→MeC+HCl+H2氮化物:MeClx+N2+H2→MeN+HCl硼化物:MeClx+BCl3+H2→MeB+HCl硅化物:MeClx+SiCl4+H2→MeC+HClCVD涂層工藝過(guò)程:首先加熱基體,然后通入氫氣還原基體表面氧化物,再通入反應(yīng)氣體,反應(yīng)生成的物質(zhì)沉積到基體表面形成所需要的涂層。H2的作用:反應(yīng)氣體載體稀釋作用
6、舉例:碳化物:TiCl4+CH4+(H2)=2TiC+4HCl+(H2)氮化物:TiCl4+N2+4H2=2TiN+8HCl硼化物:TiCl4+2BCl3+5H2=TiB2+10HCl硅化物:2MoCl5+4SiCl4+13H2=MoSi2+26HCl氧化物:2AlCl3+3CO2+3H2=Al2O3+3CO+6HCl其它例子:BCl3+CH4+H2→B4C+HClBCl3+N2+H2→B4N+HCl……….TiCTiNAl2O3成分TiCl41~2%TiCl41~2%AlCl30.15~0.3%CH43~6%N222~26%CO2
7、0.5~0.52%H296~92%H277~92%H299%溫度1100~1200℃1100~1200℃1000~1100℃影響涂層質(zhì)量的因素(1)基體由于熱膨脹系數(shù)不同產(chǎn)生微裂紋與應(yīng)力集中(2)表面處理提高光潔度,可以涂層粘結(jié)強(qiáng)度高(3)氣體純度及比例氣體純度越高涂層質(zhì)量越好,粘結(jié)強(qiáng)度越高比例:氣體中氫氣濃度增大,涂層平均晶粒度減小沉積劑濃度增大,晶粒度增大,例如TiC涂層,當(dāng)甲烷濃度超過(guò)一定值后,形成TiC涂層孔隙增加,使粘結(jié)性降低。(4)氣流壓力:P<1a.t.m有利于質(zhì)量提高(5)溫度的影響:溫度升高,晶粒度增大溫度降低,不
8、利用提高生產(chǎn)率用于生產(chǎn)SiO2、TiO2、Al2O3、SnO2、V2O5、ZrO2等氧化物納米粉。燃燒火焰--化學(xué)氣相法將硝酸銀溶液與一種還原劑導(dǎo)入攪拌器中,用激光短時(shí)照射混合物,同時(shí)進(jìn)行攪拌。當(dāng)激光脈沖射到液體時(shí),形成極小的“熱點(diǎn)”