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《陸麗畢業(yè)論文終稿--畢業(yè)論文》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線(xiàn)閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫(kù)。
1、OA基礎(chǔ)理論?B應(yīng)用研究OC調(diào)査報(bào)告OD其他癢科車(chē)旱嘗訟夂（殺針丿硒化法制備Cu2ZnSnSe4薄膜及其光學(xué)性質(zhì)研究二級(jí)學(xué)院:物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院業(yè):物理學(xué)2006級(jí)2006294222作者姓名指導(dǎo)教師:張軍副教授老麻日期/妣片5R20Q硒化法制備Cu2ZnSnSe4薄膜及其光學(xué)性質(zhì)研究專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)：物理學(xué)作者姓名：陸麗指導(dǎo)教師：張軍論文答辯小組組長(zhǎng)：劉貴昂成員：劉貴昂張軍王恩過(guò)（可增加、刪減行數(shù)）論文成績(jī)：目錄摘要1關(guān)鍵詞1[9]弓丨言11」Cu2ZnSnSe4薄膜的研究現(xiàn)狀和應(yīng)用前景21.2研究?jī)?nèi)容及冃的2[10]Cu2ZnSnSe4薄膜表征方法36.10X■射線(xiàn)衍射(XRD)36.10掃描電子
2、顯微鏡(SEM)32.3紫外-可見(jiàn)光(UV?VIS)透射譜分析43實(shí)驗(yàn)過(guò)程43.1實(shí)驗(yàn)儀器43.2實(shí)驗(yàn)原理63.2.1真空蒸發(fā)沉積的物理原理63.2.2真空蒸發(fā)技術(shù)73.3實(shí)驗(yàn)過(guò)程83.3」具體實(shí)施方式83.3.2前驅(qū)體硒化93.4性能測(cè)試及微觀表征94實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析94」掃描電子顯微鏡(SEM)分析95.1X射線(xiàn)衍射(XRD)分析105.2CuzZnSnSq薄膜光學(xué)性質(zhì)114.3.1紫外-可見(jiàn)光(UV?VIS)透射譜分析114.3.2Cu2ZnSnSe4薄膜拉曼光譜分析115結(jié)論12參考文獻(xiàn)13硒化法制備Cu2ZnSnSe4薄膜及其光學(xué)性質(zhì)研究作者陸麗指導(dǎo)老師：張軍副教授湛江師范學(xué)院物理科學(xué)
3、與技術(shù)學(xué)院，湛江524048摘要：利用真空蒸鍍膜法在鈉鈣玻璃上混合蒸鍍銅鋅錫金屬前驅(qū)體，在氫氣保護(hù)下，在550°C對(duì)前驅(qū)體進(jìn)行硒化，制備出具有類(lèi)黝錫礦結(jié)構(gòu)的多晶銅鋅錫硒薄膜。利用X射線(xiàn)衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV-VIS)、拉曼光譜對(duì)樣品進(jìn)行了晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)等性質(zhì)表征。SEM研究結(jié)果顯示，成膜溫度為450°C時(shí)，Cu2ZnSnSe4薄膜比較均勻，致密性好。紫外-可見(jiàn)光(UV-VIS)透射譜分析顯示Cu2ZnSnSe4薄膜具有大于104cml光吸收系數(shù)、禁帶寬度約為1.52eV,適合作為太陽(yáng)能電池吸收層。關(guān)鍵詞：Cu2ZnSnSe4薄膜真空鍍膜硒化P
4、reparationandcharacterizationofCu2ZnSnSe4thinfilmsbySelenylationofsimultaneouslyevaporatedmetalprecursorsLuLiInstructteacher:doctorZhangJunPhysicsScience&TechnologySchoolZhanjiangNormalUniversity,Zhanjiang,Guangdong,China.524048Abstract:Cu2ZnSnSc4(CZTSc)thinfilmswerepreparedbySelenylationofsimultane
5、ouslyevaporatedCu/Zn/Snmetalprecursorsonsodalimeglass(SLG)substrates.ThestructuralpropertiesofthepreparedsampleswererevealedbyRamanincombinationofXRDspectroscopy.ThecompositionandmorphologywerealsoinvestigatedwithSEMobservationandEDSmeasurements.Byoptimizingtheconditionofevaporationandsufurization,a
6、CZTSethinfilmwithsinglephaseofkesteritestructureandnearlystoichiometriccompositionweresynthesized,andhighabsorptioncoefficient(104cm-1)areobtainedaswell.Theopticalband-gapenergyoftheCZTSethinfilmcanbefittedtobeas1.52eV,whichisquiteclosetotheoptimumvalueforsolarcellabsorber.Keywords:Cu2ZnSnSe4Thinfil
7、msVacuumevaporationSelenium1引言近年來(lái)，隨著地球上有限的石油和煤炭等不可再生資源的逐漸耗盡，可再生能源的利用與開(kāi)發(fā)顯得越來(lái)越緊迫，其中，太陽(yáng)能光伏發(fā)電將取之不盡的輻射到地面上的太陽(yáng)能通過(guò)太陽(yáng)電池等光伏器件的光電轉(zhuǎn)換而源源不斷地轉(zhuǎn)變成為電能，已經(jīng)成為可再生能源屮最安全、最環(huán)保和最具潛力的競(jìng)爭(zhēng)者。冃前制約太陽(yáng)能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸在于成本較高和轉(zhuǎn)換效率偏低，從材料選擇和制
