材料工程專業(yè)翻譯

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1、小角度晶界：小角度晶界是一種位錯列陣即在相鄰的晶體間產(chǎn)生的小的取向差。因為小角度晶界的表面能小于規(guī)整晶界的表面能。小角度晶界在阻止晶界滑移沒有那么有效。刃型位錯形成的小角度晶界稱為傾斜晶界，螺旋位錯形成的小角度晶界稱為扭轉(zhuǎn)晶界。圖片4-19：小角度晶界是由位錯列陣產(chǎn)生的，它是由于任何一個邊界中的晶格之間錯配角9而形成的。堆垛層錯：產(chǎn)生于面心立方金屬晶體中的堆垛層錯，代表了密堆積平面的堆積順序的差錯。一般來說，在完全面心立方晶體中產(chǎn)生的堆積順序是ABCABCABC,但是假設有以下堆積序列產(chǎn)生，ABCABABCABC,在這一部分序列中顯示出，A類平面通常都會取代位于C類平面的位置，在這個

2、有著密排六方堆積序列而不是面心立方堆積序列的小部位,代表了一個堆垛層錯。堆垛層錯會阻止滑移過程。雙晶晶界：雙晶晶界是一個穿過晶體結(jié)構(gòu)中的特殊鏡像錯位形成的平面，當剪切力持續(xù)作用在雙晶晶界上引起原子轉(zhuǎn)移時就會產(chǎn)生李晶。雙晶形成發(fā)生在一些特定金屬變形或者熱處理的過程中。雙晶晶界可以阻止金屬材料的滑移過程和增加金屬材料的強度。雙晶晶界的移動也叮以引起金屬的變形。圖片4-20展示了一個雙品的形成已經(jīng)改變了金屬材料的形狀。雙晶形成也可以發(fā)生在某些陶瓷材料例如單斜氧化鉛和硅酸二鈣。表面缺陷在阻止滑移過程中的效果可以從表面能數(shù)據(jù)中進行判斷。高能量的晶界在阻礙位錯方面比堆垛層錯或雙晶晶界更有效果。疇

3、界：鐵電體是一種可以自發(fā)的生長并且可以發(fā)生可逆電介質(zhì)極化的材料（例如PZT或者BaTi03）o以一種相似的方式發(fā)生磁化的材料是鐵磁體（例如鐵，鉆，W）或亞鐵磁體。（例如Fe304和其他磁性鐵氧體）。這些電學性或磁性材料包含磁區(qū)。一個磁區(qū)是材料磁化作用和電介質(zhì)極化的方向保持不變的一個小區(qū)域。在這些材料屮，許多小磁區(qū)形成以便為了使材料的整體自由能最小化。圖片4-21展示了四方鐵電鈦酸做為例的磁區(qū)。磁區(qū)的存在會影響許多電了材料和磁性材料中的介電性能和磁性性能。在之后的章節(jié)中我們會討論到這些材料。章節(jié)4：原子和離子排列中的缺陷。圖片4-20：應力作用在一個完全晶體（a）上可能會導致原子位移，

4、從而引起雙晶形成如（b）圖，注意此時晶體已經(jīng)變形成為雙晶。（c）圖為在一個黃銅顆粒中的雙晶的顯微照片（放大250倍）。表格4-3所選擇金屬的面缺陷能面缺陷能鋁銅鉗鐵堆垛層錯2007595—雙晶晶界12045195190晶粒交界面6256451000780圖片4-21：鐵電材料鈦酸頓中的磁區(qū)（由Dr.r.r提供）。鐵磁體和亞鐵磁體中岀現(xiàn)的相似的磁區(qū)結(jié)構(gòu)。4-9缺陷的重要性大范圍缺陷和點缺陷在影響工程材料的機械性能，電學性能，光學性能和磁性能方面起到了重要作用。在這個方面，我們概括為缺陷對材料性能的重要性，但在金屬材料領域我們強調(diào)位錯對其性能的影響是最重要的。通過控制滑移過程對材料機械性

5、能的影響: