SDRAM原理及應(yīng)用

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資源描述:

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1、SDRAM原理及應(yīng)用主要內(nèi)容存儲器分類SDRAM分類及特點★SDRAM結(jié)構(gòu)及接口★SDRAM操作與時序★內(nèi)存的新特性與發(fā)展趨勢重點內(nèi)容一、存儲器分類存儲器分類1/3隨機存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)半導(dǎo)體存儲器分類存儲器分類2/3DRAM的特點1、隨機存取當(dāng)存儲器中的消息被讀寫時,所需時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的,讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(SequentialAccess)存儲設(shè)備中的信息時,所需時間與位置就會有關(guān)系(如磁帶)。2、易失性當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如需保存數(shù)據(jù),就必須把它們寫入一個長期存儲設(shè)備中(如Flash)。RAM和ROM的最大區(qū)別

2、在于RAM在斷電后所保存的數(shù)據(jù)會自動消失,而ROM不會。3、需要刷新動態(tài)隨機存取存儲器依賴內(nèi)部存儲區(qū)的電容器存儲數(shù)據(jù)。電容未充電代表0,充滿電代表1。由于電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數(shù)據(jù)會漸漸隨時間消失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài),然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電,彌補流失的電荷。需要不斷刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。存儲器分類3/3二、SDRAM分類及特點SDRAM的分類1、SDRSDRAMSingleDateRateSynchronousDynamicRandomAccessMemorySDRAM分類及特點1/62、DDRSDRAMDo

3、ubleDateRateSDRAM3、DDR2SDRAM4、DDR3SDRAM……分類SDRSDRAMDDRSDRAMDDR2SDRAMDDR3SDRAM基本特性核心頻率(MHz)66--166100--200100--200100--250時鐘頻率(MHz)66--166100--200200--400400--1000數(shù)據(jù)傳輸率(Mbps)66--166200--400400--800800--2000預(yù)取設(shè)計1bit2bit4bit8bit突發(fā)長度1/2/4/8/fullpage2/4/84/88CL值2/32/2.5/33/4/5/65/6/7/8/9Bank

4、數(shù)量2/42/44/88/16電氣特性工作電壓3.3V2.5V/2.6V1.8V1.5V封裝TSOPII-54TSOPII-54/66FBGA60/68/84FBGA78/96生產(chǎn)工藝(nm)90/110/150沿用SDRAM生產(chǎn)體系,70/80/9053/65/70/9045/50/65容量標(biāo)準(zhǔn)(Byte)2M-32M8M-128M32M-512M64M-1GSDRAM分類及特點2/6分類SDRSDRAMDDRSDRAMDDR2SDRAMDDR3SDRAM新功能及優(yōu)缺點新增特性差分時鐘,DQSODT、OCD、AL、POSTEDCAS異步重置Reset優(yōu)點制造工藝簡單

5、,TSOP封裝焊接拆卸方便,成品率高數(shù)據(jù)傳輸率有所提高,生產(chǎn)設(shè)備簡單數(shù)據(jù)傳輸率高,更好的電氣性能與散熱性,體積小,功耗低,無需上拉終結(jié)電阻,成本相對較低工作頻率進一步提高,功耗和發(fā)熱量更小,容量更大缺點速度低、焊盤與PCB接觸面積小,散熱差、高頻阻抗和寄生電容影響其穩(wěn)定性和頻率提升容量受限,高頻時穩(wěn)定性和散熱性,需要大量終結(jié)電阻CL延遲增加,成品率較低價格較高SDRAM分類及特點3/6關(guān)于頻率和預(yù)取核心時鐘頻率:SDRAM內(nèi)部核心的工作頻率。外部時鐘頻率:經(jīng)時鐘引腳從外部提供給SDRAM的時鐘。數(shù)據(jù)傳輸頻率:實際數(shù)據(jù)的傳輸頻率。SDRAM分類及特點4/6DRAM有兩個

6、時鐘,一個是內(nèi)部時鐘,一個是外部時鐘。在SDRAM與DDR1時代,這兩個時鐘頻率是相同的,但在DDR2內(nèi)存中,內(nèi)部時鐘變成了外部時鐘的一半。以DDR2400為例說明,數(shù)據(jù)傳輸頻率為400MHz(對于每個數(shù)據(jù)引腳,則是400Mbps/pin),外部時鐘頻率為200MHz,內(nèi)部時鐘頻率為100MHz。因為內(nèi)部一次傳輸?shù)臄?shù)據(jù)就可供外部接口傳輸4次,雖然以DDR方式傳輸,但數(shù)據(jù)傳輸頻率的基準(zhǔn)——外部時鐘頻率仍要是內(nèi)部時鐘的兩倍才行。SDRAM分類及特點5/6關(guān)于頻率和預(yù)取那什么是4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取呢?先從內(nèi)存基本工作步驟說起:從系統(tǒng)接收讀取命令→尋址→預(yù)讀數(shù)據(jù)→保存在內(nèi)存單元

7、隊列→傳輸?shù)絻?nèi)存I/O緩存→傳輸?shù)紺PU系統(tǒng)處理。DDR內(nèi)存采用200MHz的核心頻率,通過兩條路線同步傳輸?shù)絀/O緩存,實現(xiàn)400M的是實際頻率。DDR2采用100M的核心頻率,通過四條傳輸路線同步傳輸至I/O緩存,同樣實現(xiàn)400M的實際頻率。 正是因為DDR2可以預(yù)取4bit數(shù)據(jù),所以可以采用四路傳輸,而由于DDR只能預(yù)讀2bit數(shù)據(jù),則只能采用200M的兩條傳輸線路實現(xiàn)400M。這樣,DDR2就完全實現(xiàn)了在不降低總頻率的情況下,將核心頻率降低到100M,從而能夠?qū)崿F(xiàn)更小散熱量,更低電壓要求。 而預(yù)讀取則是指對于即將執(zhí)行的數(shù)據(jù),采用預(yù)先讀取待用的

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