SOI技術相關

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1、Skyworks推出WLAN用全新SOI單刀三擲開關時間：2011-12-29????點擊次數(shù)：43SkyworksSolutions推出首款針對無線網(wǎng)絡(WLAN)所開發(fā)的分離式絕緣硅(SOI)單刀三擲開關。新的SKY13345-368LF和SKY13385-460LF具備低插入損耗特性，適用于2.4至2.5GHz頻率范圍內的WLAN(802.11b/g)和藍牙(Bluetooth)應用。新的SOI開關可兼容于在1.8V邏輯電壓下保持線性度的芯片組──這是在低電流要求的條件下，內嵌WLAN連接功能的智能手機應

2、用最普遍的一種架構。此開關采用緊湊的四方扁平無接腳(QFN)2x2mm封裝RDA宣布世界上第一個采用IBMSOI工藝制造的SP9T單芯片RFSWITCH時間：2011-08-22????點擊次數(shù)：247中國上海,2011年8月22日.銳迪科微電子(Nasdaq:RDA),宣布成功研發(fā)了世界上第一個集成了譯碼器,低通濾波器單芯片SP9T天線開關,采用IBM的SOI工藝.該SOI工藝相比與GaAS,提供了優(yōu)秀的性能并顯著降低了成本.“對于天線開關,SOI是一個非常好的工藝,采用這種先進的工藝,我們能夠研發(fā)出世界上第

3、一個集成邏輯譯碼,低通濾波的單芯片天線開關,并擁有ESD保護.“銳迪科微電子的CEO,VincentTai說.“因為該SOI工藝是基于傳統(tǒng)的VLSI工藝,我們能夠以傳統(tǒng)GaAS集成電路一部份的成本,以較高成品率生產(chǎn)出先進的天線開關.另外,高度集成的SOI芯片,簡化了封裝,進一步提高了成本優(yōu)勢.“IBM已經(jīng)優(yōu)化了RFSOI技術,以滿足市場上大部份需求的3G,4G性能以及集成要求.”IBM專業(yè)制造總監(jiān)ReginaDarmoni說.”RDA’sRF開關產(chǎn)品,演示了IBMRFSOI如何能夠在高需求的手機市場中實現(xiàn)有前景

4、的競爭優(yōu)勢.”“SOI為先進的RF應用提供了引人注目的優(yōu)勢.IBM的RFSOI技術能力,代表了在無線集成產(chǎn)品的簡化及生產(chǎn)效率上的一個重大的提高.”SOI行業(yè)聯(lián)盟的執(zhí)行總監(jiān),HoracioMendez說道.”RF開關和濾波器的整合,展示了一個重要的成本降低,同時提供了RF市場所要求的性能.”RDASW91是一個SP9T的天線開關,2.5×2.5mm,16pinLGA封裝.該低成本開關有6個GSM通道口以及3個UMTS通道口,適合用于快速增長的多頻帶3G手機.除了高集成度,該器件同時提供了優(yōu)秀的線性諧波性能以及低插

5、入損耗.RDASW91預計將引領用SOI制造的開關新浪潮.SOIMOSFET和GaAspHEMT在射頻開關應用上的比較時間：2011-07-06????點擊次數(shù)：165由于基頻CMOS芯片的應用越來越廣泛，而總功耗持續(xù)降低，基頻控制器的控制電壓逐漸從+2.8V降至+1.8V。在某些領域，可能會繼續(xù)降至+1.3V。鑒于這類電壓逐漸接近GaAspHEMT的閾值電壓，必須使用集成的CMOS電荷泵才能滿足不斷提升的開關線性度和電源要求，這引發(fā)了人們對GaAspHEMT技術與SOIMOSFET技術相對優(yōu)勢的比較（表1）。

6、在低擲數(shù)開關中，GaAspHEMT技術提供良好的功率和線性度性能，同時占用較少的芯片面積，這意味著封裝尺寸更小。而對于SOIMOSFET開關，由于集成正負電壓發(fā)生器的要求以及較低的功率容量和較高的FET損耗，因此通常會占用較大的芯片面積。但是，由于能夠在低于+1.8V的電壓下工作，并且能夠靈活地在芯片上集成CMOS邏輯電路，使得SOIMOSFET開關在低控制電壓和高擲數(shù)開關應用中具有一定的優(yōu)勢。TowerJazz為agilentdeADS2011軟件擴展SiGe,SOI以及RFCMOS的設計套件時間：2011-

7、10-06????點擊次數(shù)：134TowerJazz宣布其0.18um工藝上提供高速SiGe,SOI以及RFCMOS設計套件.該套件是用在Agilent的ADS2011EDA軟件上,主要應用于移動電話的前端模塊器件如SOI天線開關,SiGePA以及用于光纖網(wǎng)絡,汽車,雷達和60GHzWiFi上的高頻產(chǎn)品.以及其他高速接口,比如哪些支持Light-Peak和Thunderbolt標準的.該套件通過為客戶在RFCMOS,SiGeMMIC以及PA設計方案上提供一套精確的有效工作環(huán)境,幫助他們的新產(chǎn)品快速上市.Towe

8、rJazz和Agilent將于曼徹斯特舉行的歐洲微波展上演示了這套新的設計套件.原文參考:http://www.semiconductor-today.com/news_items/2011/OCT/TOWERJAZZ_061011.html射頻元件的SOI時間：2007-05-22????點擊次數(shù)：100當射頻芯片建立在傳統(tǒng)的硅基板制時，硅組件的半導體屬性會導致基板中射頻訊號的衰減。