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《晶圓制造工藝設(shè)計(jì)ETCH》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、晶圓制造工藝流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical?Vapor?deposition)?法沉積一層Si3N4?(Hot?CVD?或LPCVD)?。（1）常壓CVD?(Normal?Pressure?CVD)?（2）低壓CVD?(Low?Pressure?CVD)?（3）熱CVD?(Hot?CVD)/(thermal?CVD)?（4）電漿增強(qiáng)CVD?(Plasma?Enhanced?CVD)?（5）MOCVD?(Metal?Organic???CVD)?&?分子磊晶成長(zhǎng)(Molecular?Beam?Epitaxy)?（
2、6）外延生長(zhǎng)法?(LPE)?4、涂敷光刻膠?（1）光刻膠的涂敷?（2）預(yù)烘(pre?bake)?（3）曝光（4）顯影（5）后烘(post?bake)?（6）腐蝕(etching)?（7）光刻膠的去除5、此處用干法氧化法將氮化硅去除6?、離子布植將硼離子(B+3)?透過(guò)SiO2?膜注入襯底，形成P?型阱7、去除光刻膠，放高溫爐中進(jìn)行退火處理8、用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷(P+5)?離子，形成N?型阱9、退火處理，然后用HF?去除SiO2?層10、干法氧化法生成一層SiO2?層，然后LPCVD?沉積一層氮化硅11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技
3、術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層12、濕法氧化，生長(zhǎng)未有氮化硅保護(hù)的SiO2?層，形成PN?之間的隔離區(qū)13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD?沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成SiO2?保護(hù)層。15、表面涂敷光阻，去除P?阱區(qū)的光阻，注入砷(As)?離子，形成NMOS?的源漏極。用同樣的方法，在N?阱區(qū)，注入B?離子形成PMOS?的源漏極。16、利用PECVD?沉積一層無(wú)摻雜氧化層，保護(hù)元件，并進(jìn)行退
4、火處理。17、沉積摻雜硼磷的氧化層18、濺鍍第一層金屬（1）薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um?。（2）真空蒸發(fā)法（Evaporation?Deposition?）（3）濺鍍（Sputtering?Deposition?）?19、光刻技術(shù)定出?VIA?孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。然后，用PECVD?法氧化層和氮化硅保護(hù)層。?20、光刻和離子刻蝕，定出PAD?位置?21、最后進(jìn)行退火處理，以保證整個(gè)Chip?的完整和連線的連接性??晶圓制造總的工藝流程?芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（Wafer?Fa
5、brication）、晶圓針測(cè)工序（Wafer?Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（Initial?Test?and?Final?Test）等幾個(gè)步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測(cè)工序?yàn)榍岸危‵ront?End）工序，而構(gòu)裝工序、測(cè)試工序?yàn)楹蠖危˙ack?End）工序。?1、晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開(kāi)關(guān)等），處理程序通常與產(chǎn)品種類(lèi)和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺
6、鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。?2、晶圓針測(cè)工序：經(jīng)過(guò)上道工序后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測(cè)試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。在用針測(cè)（Probe）儀對(duì)每個(gè)晶粒檢測(cè)其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號(hào)后，將晶圓切開(kāi)，分割成一顆顆單獨(dú)的晶粒，再按其電氣特性分類(lèi)，裝入不同的托盤(pán)中，不合格的晶粒則舍棄。3、構(gòu)裝工序：就是將單個(gè)的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與
7、外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護(hù)晶粒避免受到機(jī)械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們?cè)陔娔X里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。4、測(cè)試工序：芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試，其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是根據(jù)客戶(hù)特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對(duì)性的專(zhuān)門(mén)測(cè)試，看是否能滿(mǎn)足客戶(hù)的特殊需求，以
8、決定是否須為客戶(hù)設(shè)計(jì)專(zhuān)用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過(guò)測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品ETCH?何謂蝕刻(Etch)???答：將形
