晶圓制造工藝流程

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1、晶圓制造工藝流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉積一層Si3N4(HotCVD或LPCVD)。（1）常壓CVD(NormalPressureCVD)（2）低壓CVD(LowPressureCVD)（3）熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）電漿增強CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganic??CVD)&分子磊晶成長(MolecularBeamEpitaxy)（6）外延生長法(LPE)4、涂敷光刻膠（1）光刻膠的涂敷（2）預(yù)烘(

2、prebake)（3）曝光（4）顯影（5）后烘(postbake)（6）腐蝕(etching)（7）光刻膠的去除5、此處用干法氧化法將氮化硅去除6、離子布植將硼離子(B+3)透過SiO2膜注入襯底，形成P型阱7、去除光刻膠，放高溫爐中進(jìn)行退火處理8、用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷(P+5)離子，形成N型阱9、退火處理，然后用HF去除SiO2層10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護(hù)的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)13、熱磷酸

3、去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成SiO2保護(hù)層。15、表面涂敷光阻，去除P阱區(qū)的光阻，注入砷(As)離子，形成NMOS的源漏極。用同樣的方法，在N阱區(qū)，注入B離子形成PMOS的源漏極。16、利用PECVD沉積一層無摻雜氧化層，保護(hù)元件，并進(jìn)行退火處理。17、沉積摻雜硼磷的氧化層18、濺鍍第一層金屬（1）薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。（2）真空蒸發(fā)法（Ev

4、aporationDeposition）（3）濺鍍（SputteringDeposition）19、光刻技術(shù)定出VIA孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。然后，用PECVD法氧化層和氮化硅保護(hù)層。20、光刻和離子刻蝕，定出PAD位置21、最后進(jìn)行退火處理，以保證整個Chip的完整和連線的連接性?晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（WaferFabrication）、晶圓針測工序（WaferProbe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測試工序（InitialTestandFinalTest）等幾個步驟。其中晶圓處理工序

5、和晶圓針測工序為前段（FrontEnd）工序，而構(gòu)裝工序、測試工序為后段（BackEnd）工序。1、晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。2、晶圓針測工序：經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；

6、但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。在用針測（Probe）儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號后，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。3、構(gòu)裝工序：就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護(hù)晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們在電腦里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小

7、塊）。4、測試工序：芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經(jīng)測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計專用芯片。經(jīng)一般測試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號及出廠日期等標(biāo)識的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級品或廢品?ETCH　　何謂蝕刻(Etch)?　　答：將形成

8、在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程?！　∥g刻種類:　　答：(1)干蝕刻(2)濕蝕刻　　蝕刻對象依薄膜種類可分為:　　答：poly,oxide,m