半導(dǎo)體制造技術(shù)導(dǎo)論

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1、半導(dǎo)體制造技術(shù)導(dǎo)論（第二版）從書(shū)名：國(guó)外電子與通信教材系列作者：（黃）蕭宏著，楊銀堂，段寶興譯出版社：電子工業(yè)出版社出版時(shí)間：2013-1-1版次：1頁(yè)數(shù)：459字?jǐn)?shù)：826000印刷時(shí)間:2013-卜1開(kāi)本：16開(kāi)紙張:膠版紙印次：1ISBN：9787121188503包裝：平裝內(nèi)容推薦本書(shū)共包括15章：笫1章概述了半導(dǎo)體制造工藝：笫2章介紹了基本的半導(dǎo)體工藝技術(shù)；笫3章介紹了半導(dǎo)體器件、集成電路芯片，以及早期的制造工藝技術(shù)；第4章描述了晶體結(jié)構(gòu)、單晶硅晶圓生長(zhǎng)，以及硅外延技術(shù)：第5章討論了半導(dǎo)體

2、工藝中的加熱過(guò)程；?6章詳細(xì)介紹了光學(xué)光刻工藝；第7章討論了半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的等離子體理論；第8章討論了離子注入工藝；第9章詳細(xì)介紹了刻蝕工藝；第】0章介紹了基本的化學(xué)氣相沉積（CVD）和電介質(zhì)薄順沉積工藝，以及多孔低k電介質(zhì)沉積、氣隙的應(yīng)用、原子層沉積（ALD）工藝過(guò)程；第11章介紹了金屬化工藝;第12章討論了化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）工藝：第13章介紹了工藝整合：第14章介紹了先進(jìn)的CMOS.DRAM和NAND閃存工藝流程；第15章總結(jié)了本書(shū)和半導(dǎo)體工業(yè)未來(lái)的發(fā)展。目錄第1章導(dǎo)論1.1集成電路發(fā)

3、展歷史1.1.1世界上第一個(gè)晶體1.1.2世界上第一個(gè)集成電路芯片1.1.3摩爾定律1.1.4圖形尺寸和晶圓尺寸1.1.5集成電路發(fā)展節(jié)點(diǎn)1.1.6摩爾定律或超摩爾定律1.2集成電路發(fā)展回顧1.2.1材料制備1.2.2半導(dǎo)體工藝設(shè)備1.2.3測(cè)量和測(cè)試工具1.2.4晶圓生產(chǎn)1.2.5電路設(shè)計(jì)1.2.6光刻版的制造1.2.7品圜制造1.3小結(jié)1.4參考文獻(xiàn)1.5習(xí)題笫2章集成電路工藝介紹2.1集成電路工藝簡(jiǎn)介2.2集成電路的成品率2.2.1成品率的定義2.2.2成品率和利潤(rùn)2.2.3缺陷和成品率2.3

4、無(wú)塵室技術(shù)2.3.1無(wú)塵室2.3.2污染物控制和成品率2.3.3無(wú)塵室的基本結(jié)構(gòu)2.3.4無(wú)塵室的無(wú)塵衣穿著程序2.3.5無(wú)塵室協(xié)議規(guī)范2.4集成電路工藝間基木結(jié)構(gòu)2.4.1晶圓的制造區(qū)2.4.2設(shè)備區(qū)2.4.3輔助區(qū)2.5集成電路測(cè)試與封裝2.5.1晶粒測(cè)試2.5.2芯片的封裝2.5.3繪終的測(cè)試2.5.43D封裝技術(shù)2.6集成電路未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)2.7小結(jié)2.8參考文獻(xiàn)2.9習(xí)題第3章半導(dǎo)體基礎(chǔ)3.1半導(dǎo)體基木槪念3.1.1能帶間隙3.1.2晶體結(jié)構(gòu)3.1.3摻雜半導(dǎo)體3.1.4摻雜物濃度和電導(dǎo)率3

5、.1.5半導(dǎo)體材料概耍3.2半導(dǎo)體基本元器件3.2.1電阻3.2.2電容3.2.3二極管3.2.4雙載流子晶體管3.2.5MOSFET3.3集成電路芯片3.3.1存儲(chǔ)器3.3.2微處理器3.3.3專用集成電路（ASIC）3.4集成電路基本工藝3.4.1雙載流子晶體管制造過(guò)程3.4.2P型MOS工藝（20世紀(jì)60年代技術(shù)）3.4.3N型MOS工藝（20世紀(jì)70年代技術(shù)）3.5互補(bǔ)型金屬氧化物晶體管3.5.1CMOS電路3.5.2CMOS工藝（20世紀(jì)80年代技術(shù)）3.5.3CMOS工藝（20世紀(jì)90年

6、代技術(shù)）3.62000年后半導(dǎo)體工藝發(fā)展趨勢(shì)3.7小結(jié)3.8參考文獻(xiàn)3.9習(xí)題第4章晶圓制造4.1簡(jiǎn)介4.2為什么使用硅材料4.3晶體結(jié)構(gòu)與缺陷4.3.1晶體的晶向4.3.2晶體的缺陷4.4晶圓生產(chǎn)技術(shù)4.4.1天然的硅材料4.4.2硅材料的提純4.4.3晶體的提拉工藝4.4.4晶圓的形成4.4.5晶惻的完成4.5外延硅生長(zhǎng)技術(shù)4.5.1氣和外延4.5.2外延層的生長(zhǎng)過(guò)程4.5.3硅外延生長(zhǎng)的駛件設(shè)備4.5.4外延生長(zhǎng)工藝4.5.5外延工藝的發(fā)展趨勢(shì)4.5.6選擇性外延4.6襯底工程4.6.1絕緣體

7、匕硅⑸licon-on-lnsulator,SOI)4.6.2泯合晶向技術(shù)(HOT)4.6.3應(yīng)變硅4.6.4絕緣體上應(yīng)變硅(StrainedSilicononInsulator,SSOI)4.6.5IC技術(shù)中的應(yīng)變硅4.7小結(jié)4.8參考文獻(xiàn)4.9習(xí)題笫5章加熱工藝5.1簡(jiǎn)介5.2加熱工藝的破件設(shè)備5.2.1簡(jiǎn)介5.2.2控制系統(tǒng)5.2.3氣體輸送系統(tǒng)5.2.4裝載;系統(tǒng)5.2.5排放系統(tǒng)5.2.6爐管5.3氧化工藝5.3.1氧化工藝的應(yīng)用5.3.2氧化前的清洗工藝5.3.3氧化生長(zhǎng)速率5.3.4干

8、氧氧化工藝5.3.5濕氧氧化工藝5.3.6高壓氧化工藝5.3.7氣化層測(cè)量技術(shù)5.3.8氧化工藝的發(fā)展趨勢(shì)5.4擴(kuò)散工藝5.4.1沉積和驅(qū)入過(guò)程5.4.2摻雜工藝中的測(cè)吊：5.5退火過(guò)程5.5.1離子注入后退火5.5.2介金化熱處理5.5.3再流動(dòng)過(guò)程5.6高溫化學(xué)氣相沉積5.6.1外延硅沉積5.6.2選擇性外延工藝5.6.3多晶硅沉積5.6.4氮化硅沉枳5.7快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)5.7.1快速加熱退火(RTA)系統(tǒng)5.7.2快速加熱氧化(RTO)5.7.3快速