先進(jìn)封裝.pdf

先進(jìn)封裝.pdf

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1、AdvancePackage亞科電子馬勁目錄contents1234第一部分第二部分第三部分第四部分概述應(yīng)用工藝&應(yīng)用檢測(cè)1概述摩爾定律的失效摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(GordonMoore)提出來的。其內(nèi)容為:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。但是,進(jìn)入新世紀(jì)后,實(shí)現(xiàn)等比例縮減的代價(jià)變得非常高,器件尺寸已接近單個(gè)原子,而原子無法縮減。其次,盡管目前出現(xiàn)了多內(nèi)核處理器,但日常使用的應(yīng)用軟件無法利用如此強(qiáng)大的處理能力;而建設(shè)芯片工廠的天價(jià)成本也阻礙摩爾定律了的延伸。摩爾本人也明確表示,摩爾

2、定律只能再延續(xù)十年,此后在技術(shù)上將會(huì)十分困難,在他看來,摩爾定律已經(jīng)走到盡頭。由此將引起產(chǎn)業(yè)內(nèi)的一系列的變革。新摩爾定律當(dāng)今業(yè)界的發(fā)展趨勢(shì)不是一味地追求縮小器件的幾何尺寸,而是傾向于提供更多的附加功能和特性,從而開辟全新的應(yīng)用領(lǐng)域,為客戶提供多元化服務(wù)及開發(fā)工具,實(shí)現(xiàn)超越摩爾定律的目標(biāo)。超越摩爾定律的主要3種方式有:垂直3D封裝,平面Fan-out封裝和CoWoS先進(jìn)封裝概述垂直3D封裝:三維封裝是將多個(gè)芯片垂直連接的一系列方法的統(tǒng)稱,硅通孔封裝技術(shù)(TSV)作為主流方案得到了迅猛發(fā)展。硅通孔技術(shù)(TSV)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的

3、最新技術(shù)。Fan-out封裝:Fan-out封裝是與扇入型封裝(fan-in)相對(duì)的一種先進(jìn)封裝工藝,引腳的扇出增加了I/O,同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)多功能芯片的組合,引用的工藝則為CMOS成熟工藝CoWoS封裝:CoWoS封裝是結(jié)合了Fan-out和3D封裝的一種更先進(jìn)的封裝形式,垂直封裝通過TIV實(shí)現(xiàn)層與層之間的互聯(lián),使封裝之后的芯片功能更多,能耗更少先進(jìn)封裝的優(yōu)勢(shì)大幅度節(jié)約成本省略基板工藝,省略后道封裝COST芯片工藝良率大幅度上升YEILD半導(dǎo)體成熟工藝Fan-out采用KGD芯片可靠性高reliability.高精度成熟工藝electrical電性能好省略了芯片與基板、芯片與芯

4、片直接的WirebondSIP/SOC芯片集成度高可以將多種功能芯片集成在一塊2應(yīng)用3DICIntegrationDRAM,HybridMemorychipHighBandwidth3DMEMS/IC3DHybridMemoryCubestackingMemory(HBM)IntegrationIntegration(HMC)(CoWoS)SamsungMass-ProducesIndustry'sFirstTSV-basedDDR4DRAMHybridMemoryCube(HMC)?Thehybridmemorycubeisa4-DRAM(eachonewith2000+T

5、SVs)onalogiccontroller?TheTSV-DRAMis~50-μmthick.?TheTSV-DRAMiswith20-μm(tall)Cupillar+soldercap.?ThememorycubeisassembledoneDRAMatatimewiththermalcompressionbonding.?Theheatdissipationisfrom10Wto20W.?TSVdiameter~5to6-μm.Intel’s“Knight’sLanding”with8HMCFabricatedbyMicronAMD’sgraphcardmadebyH

6、ynix’sHBM,whichisTCBoftheNCFDRAMchipsonebyoneMemoryChipStackingwithTSVformemorycapacity,lowpower,andwidebandwidth.HBMwith~2100TSVs+MicrobumpsandThermalMechanicalBumpsFingerprintidentificationCMOSImageSensorMEMStoASICSystemIntegration:PackagingandTestingtowards“FullWaferLevel”MEMStoASICSyste

7、mIntegrationNvidia’sP100withTSMC’sCoWoSandSamsung’sHBM2Fan-out50%+AdvancePackageINSMARTPHONE01IncludeWLCSP/Fan-out/CoWoS/POP/SoC…02EX.SANMSUN/IPHEONE/HUAWEI/MI……PoPfortheMobileDRAMsandApplicationProcessorofiPhone7/7+PopfortheMobileDRAMsandApplicationProc

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