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1、核磁共振氫譜(上)1HNuclearMagneticResonanceSpectroscopy(PMR,1HNMR)11970年以前全都研究的是1HNMR。1970年以后開始研究13CNMR,脈沖付立葉波譜儀發(fā)明,解決了13C天然豐度小,磁旋比小,靈敏度小的問題。19F,15N,31P也開始研究。本章討論1HNMR2δ(ppm),裂分(n+1規(guī)律)J,積分曲線(H的比例)。δδδδNMR譜儀常配備有自動積分儀,對每組峰面積進行自動積分,在譜中以數(shù)字(或積分高度顯示)。各組峰的積分面積之簡比,代表
2、了相應(yīng)的氫核數(shù)目之比。上圖從左至右,三組峰的積分高度之簡比為5:2:3,其質(zhì)子數(shù)目之比也為5:2:3。核磁共振氫譜圖示3核磁共振氫譜圖示記錄NMR譜的圖紙打有刻度,上標Δν(Hz),下標δ(ppm)。δ為0~10ppm,便于讀出各組峰的化學(xué)位移及裂距Δν。超出此范圍,可通過儀器的簡單操作,以附加圖記錄在同一張譜上,并注明偏移(offset)的Hz或ppm,4附圖吸收峰的化學(xué)位移為正常讀出值加偏移值。offset5一,質(zhì)子化學(xué)位移與分子結(jié)構(gòu)的關(guān)系1.影響化學(xué)位移的因素(1)屏蔽效應(yīng)化學(xué)位移是由于核
3、外電子的屏蔽效應(yīng)引起的。屏蔽效應(yīng)的大小與質(zhì)子周圍的電子云密度有關(guān)。屏蔽效應(yīng)分為局部屏蔽效應(yīng)和遠程屏蔽效應(yīng)。A.局部屏蔽效應(yīng)局部屏蔽效應(yīng)是由原子核(1H)的核外成鍵電子的電子云密度而產(chǎn)生的。繞核電子云密度增加時屏蔽作用增大6局部屏蔽效應(yīng)(誘導(dǎo)效應(yīng)、共軛效應(yīng)):氫原子核外成鍵電子的電子云密度產(chǎn)生的屏蔽效應(yīng)。拉電子基團:去屏蔽效應(yīng),化學(xué)位移增大(向低場)推電子基團:屏蔽效應(yīng),化學(xué)位移減小(向高場)7影響電子云密度的主要因素:(1)誘導(dǎo)效應(yīng)如:CH3O-中的質(zhì)子的δ值(3.24~4.02ppm)比CH
4、3N-質(zhì)子的δ值(2.12~3.10ppm)大CH3N-質(zhì)子的δ值比CH3-C的δ值(0.79~1.2ppm)大。碳、氮、氧的電負性不同,氧的電負性最大,因此CH3O質(zhì)子周圍的電子云密度最小,屏蔽作用就小,所以CH3O質(zhì)子的信號就出現(xiàn)在較低磁場。8電負性大的取代基降低氫核外圍電子云,δ值增大δ(ppm)CH3FCH3OHCH3ClCH3BrCH3lCH4TMS4.063.403.052.682.160.230X電負性:4.03.53.02.82.52.11.8對于XCHYZ型化合物,X、Y、Z基
5、對CH的δ值影響具有加合性9取代基的誘導(dǎo)效應(yīng)可沿碳鏈伸展CH3BrCH3CH2BrδH:2.68δH:1.65CH3CH2CH2BrCH3(CH2)2CH2BrδH:1.04δH:0.9誘導(dǎo)效應(yīng):相隔3個碳以后影響可以忽略不計1011電負性較大的元素原子越多化學(xué)位移值增大CH3ClCH2Cl2CHCl3δH3.055.337.24δH:CH>CH2>CH3(ppm)3.22.42.212(2)共軛效應(yīng)影響電子云分布CH3O與苯環(huán)p-π共軛后,為供電子基團,使鄰對位氫的電子云密度增大,屏蔽作用大,
6、δ值小,而間位氫的電子云密度較小。屏蔽作用小,δ值大。13推電子共軛效應(yīng)使δH減小,拉電子共軛效應(yīng)δH增大14由于鄰對位氧原子的存在,雙氫黃酮的芳環(huán)氫a及b的化學(xué)位移為6.15ppm,通常芳環(huán)氫的化學(xué)位移大于7ppm。15(3)軌道雜化影響單鍵、雙鍵、叁鍵碳原子的軌道雜化狀態(tài)不同,屏蔽效應(yīng)不同,例如:C—C單鍵sp3雜化C=C雙鍵sp2雜化向低場C≡C三鍵sp雜化當無其它效應(yīng)存在時,隨s成分增加,氫外電子云密度減小,屏蔽作用減小,δ值增加。16B.遠程屏蔽效應(yīng)遠程屏蔽效應(yīng)又稱鄰近的反磁屏蔽或磁各
7、向異性效應(yīng)。遠程屏蔽效應(yīng)的特征是有方向性。當分子中某一原子核外的電子云分布不是球形對稱時,即磁各向異性時,它對相鄰核就附加了一個各向異性的磁場,使在某些位置上的核受屏蔽(向高場),而另一些位置上的核去屏蔽(向低場),因而改變了一些核的化學(xué)位移值,稱為磁各向異性效應(yīng)。常見的各向異性效應(yīng)(氫譜)17鄰近基團的各向異性(Anisotropy)CH3CH2—H0.96sp3雜化碳CH2=CH—H5.84sp2雜化碳2.80sp雜化碳?電負性7.2sp2雜化碳7.8~10.5sp2雜化碳δH(ppm)RC
8、H2ClδH>3超低場>181.芳烴的化學(xué)位移芳環(huán)分子中有π-環(huán)形電子云,在外磁場作用下產(chǎn)生垂直于H0的環(huán)形電子流(ringcurrenteffect)芳香性:⑴4n+2規(guī)律⑵同一平面的封閉共軛體⑶高C:H比⑷易取代不易加成⑸反磁環(huán)流19順磁性磁場反磁性磁場反磁屏蔽區(qū)(屏蔽區(qū))順磁屏蔽區(qū)(去屏蔽區(qū))在外磁場作用下,芳香環(huán)上的π電子云循環(huán),而對芳環(huán)平面產(chǎn)生反磁性磁場,使芳環(huán)外側(cè)的質(zhì)子受到去屏蔽,因此苯的質(zhì)子信號在較低磁場,而在芳環(huán)平面上、下方的質(zhì)子受到屏蔽效應(yīng),使質(zhì)子信號在較高場環(huán)電子流芳環(huán)的屏蔽