單晶爐拉棒操作步驟.doc

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1、.單晶爐拉棒的具體操作步驟利用區(qū)熔單晶爐進(jìn)行以下操作：1.清爐、裝爐；2.抽空、充氣、預(yù)熱；3.化料、引晶；4.生長(zhǎng)細(xì)頸；5.擴(kuò)肩及氮?dú)獾某淙耄?.轉(zhuǎn)肩、保持及夾持器釋放；7.收尾、停爐1.清爐、裝爐：清洗整個(gè)爐室內(nèi)壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸，調(diào)整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對(duì)中；將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處，然后將其安裝到上軸末端，進(jìn)行多晶料的對(duì)中；將籽晶裝入籽晶夾頭上，然后將其安裝到下軸頂端；關(guān)閉各個(gè)爐門(mén)，擰緊各緊固螺栓；2.抽空、充氣，預(yù)熱：打開(kāi)真空泵及抽氣管道閥門(mén)，對(duì)爐室進(jìn)行抽真空，真空度達(dá)到所要求值時(shí)，關(guān)閉抽氣管道閥門(mén)及真空泵，向

2、爐膛內(nèi)快速充入氬氣；當(dāng)充氣壓力達(dá)到相對(duì)壓力1bar-6bar時(shí)，停止快速充氣，改用慢速充氣，同時(shí)打開(kāi)排氣閥門(mén)進(jìn)行流氬；充氣完畢后，對(duì)多晶硅棒料進(jìn)行預(yù)熱，預(yù)熱使用石墨預(yù)熱環(huán)，使用電流檔，預(yù)熱設(shè)定點(diǎn)25-40％，預(yù)熱時(shí)間為10-20分鐘；3.化料、引晶：預(yù)熱結(jié)束后，進(jìn)行化料，化料時(shí)轉(zhuǎn)入電壓檔，發(fā)生器設(shè)定點(diǎn)在40-60％；多晶料熔化后，將籽晶與熔硅進(jìn)行熔接，熔接后對(duì)熔區(qū)進(jìn)行整形，引晶；4.生長(zhǎng)細(xì)頸：引晶結(jié)束后，進(jìn)行細(xì)頸的生長(zhǎng)，細(xì)頸的直徑在2-6mm，長(zhǎng)度在30-60mm；5.擴(kuò)肩及氮?dú)獾某淙耄杭?xì)頸生長(zhǎng)結(jié)束后，進(jìn)行擴(kuò)肩，緩慢減少下速至3±2mm/min，同時(shí)隨著擴(kuò)肩直徑的增大不斷減少

3、下轉(zhuǎn)至8±精選word范本！.4rpm，另外還要緩慢減小上轉(zhuǎn)至1±0.5rpm；為了防止高壓電離，在氬氣保護(hù)氣氛中充入一定比例的氮?dú)猓獨(dú)獾膿饺氡壤鄬?duì)于氬氣的0.01％-5％；1.轉(zhuǎn)肩、保持及夾持器釋放：在擴(kuò)肩直徑與單晶保持直徑相差3-20mm時(shí)，擴(kuò)肩的速度要放慢一些，進(jìn)行轉(zhuǎn)肩，直至達(dá)到所需直徑，單晶保持，等徑保持直徑在75mm-220mm，單晶生長(zhǎng)速度1mm/分-5mm/分，在擴(kuò)肩過(guò)程中，當(dāng)單晶的肩部單晶夾持器的銷(xiāo)子的距離小于2mm時(shí)釋放夾持器，將單晶夾??；2.收尾、停爐：當(dāng)單晶拉至尾部，開(kāi)始進(jìn)行收尾，收尾到單晶的直徑達(dá)到Φ10-80mm，將熔區(qū)拉開(kāi)，這時(shí)使下軸繼續(xù)向下運(yùn)

4、動(dòng)，上軸改向上運(yùn)動(dòng)，同時(shí)功率保持在40±10％，對(duì)晶體進(jìn)行緩慢降溫。--------------------------------------------------------------一種直拉單晶生長(zhǎng)裝置，屬于半導(dǎo)體生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。它包括液壓伺服系統(tǒng)調(diào)節(jié)坩堝桿；在加熱控制單元中，三相平衡變壓器、濾波電容器、電抗器和電阻器組合連接而成，與諧波源并聯(lián)；它還具有變頻充氣裝置。本發(fā)明克服現(xiàn)有的坩堝軸升降驅(qū)動(dòng)裝置不能有效的保證生產(chǎn)操控穩(wěn)定性及精確度不夠精確不足，克服現(xiàn)有的加熱控制單元不能消除諧波的不足，同時(shí)也克服現(xiàn)有的坩堝軸升降驅(qū)動(dòng)裝置不能有效的保證生產(chǎn)操控穩(wěn)定性及精確度不夠

5、精確不足。精選word范本！.1、目的為正確、規(guī)范地操作單晶爐，確保生產(chǎn)作業(yè)正常，特制訂本規(guī)范。2、適用范圍適用于TDR-70A/B和JRDL-800型單晶爐的操作。3、單晶爐操作工藝流程作業(yè)準(zhǔn)備→熱態(tài)檢漏→取單晶和籽晶→石墨件取出冷卻→真空過(guò)濾器清洗→真空泵油檢查更換→石墨件清洗→單晶爐室清洗→石墨件安裝→石英坩堝安裝→硅料安裝→籽晶安裝→抽空、檢漏→充氬氣、升功率、熔料→（二次加料、再熔料）→引晶、縮頸、放肩、轉(zhuǎn)肩→等徑生長(zhǎng)→收尾→降功率、停爐冷卻4、主要內(nèi)容A.作業(yè)準(zhǔn)備a.進(jìn)入單晶車(chē)間須穿戴好潔凈工作服、鞋。b.開(kāi)爐前，按工藝要求檢查水、電、氣，確認(rèn)無(wú)誤后方能開(kāi)爐。c.

6、準(zhǔn)備好一次性潔凈手套、耐高溫手套、毛巾、紙巾、研磨布、酒精、吸塵刷、吸塵管、防塵口罩。d.準(zhǔn)備好鉗子、扳手和各類(lèi)裝拆爐專(zhuān)用工具。e.取單晶的架子、裝石墨件的不銹鋼小車(chē)、裝堝底料的不銹鋼筒和裝硅料的不銹鋼小車(chē)，精選word范本！.并處理干凈。f.用毛巾將爐體從上到下擦一遍，擦洗時(shí)注意不要將所有控制接線及開(kāi)關(guān)碰斷或碰壞，并把爐子周?chē)鍜吒蓛?。B.熱態(tài)檢漏a.檢查上一爐功率關(guān)閉時(shí)間，在確認(rèn)單晶冷卻時(shí)間達(dá)到5.0小時(shí)以上后，關(guān)閉氬氣總閥門(mén)（先打開(kāi)主、副室流量計(jì)調(diào)節(jié)閥并分別調(diào)節(jié)到30L/Min，再關(guān)閉氬氣進(jìn)氣總閥門(mén)，主、精選word范本！.副室流量計(jì)調(diào)節(jié)閥仍然保持打開(kāi)狀態(tài)），開(kāi)始抽高真

7、空，并作時(shí)間記錄。b.待爐內(nèi)壓力到達(dá)極限（要求達(dá)到３Pa以下）后，先關(guān)閉主室抽空球閥而后關(guān)閉主真空泵電源進(jìn)行檢漏，并作相應(yīng)時(shí)間記錄，若0.5小時(shí)內(nèi)抽不到3Pa以下時(shí)，交有關(guān)維修人員處理，在此期間須配合有關(guān)維修人員進(jìn)行裝拆爐，并作相關(guān)記錄。c.檢漏要求3分鐘以上，漏氣率<0.34Pa/min為正常，同時(shí)作好漏氣率記錄，若漏氣率＞0.34Pa/min時(shí)，交有關(guān)維修人員處理，在此期間須配合有關(guān)維修人員進(jìn)行裝拆爐，并作相關(guān)記錄。d.做好熱態(tài)檢漏時(shí)的抽空時(shí)間，檢漏時(shí)間，極限真空，漏氣速率等記錄。C.取單晶和籽晶a