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《某電廠次次末級(jí)葉片斷裂原因分析.pdf》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、第35卷第6期黑龍江冶金V01.35No.62015年12月HeilongjiangMetallurgyDecember2O15某電廠次次末級(jí)葉片斷裂原因分析陳嘯,張小伍,李興東(1.哈爾濱創(chuàng)新投資有限公司,哈爾濱150001;2.哈爾濱汽輪機(jī)廠有限責(zé)任公司)摘要:某電廠檢修時(shí)發(fā)現(xiàn)次次末級(jí)葉片在葉根第一齒處出現(xiàn)裂紋,通過(guò)斷口特征分析、材質(zhì)理化檢驗(yàn)、硬度及受力分析等對(duì)葉片裂紋產(chǎn)生原因進(jìn)行分析。最終得出結(jié)論:裂紋源萌生于葉根齒面圓弧過(guò)渡區(qū)的應(yīng)力集中區(qū),機(jī)械打磨形成的缺口是形成疲勞裂紋的主要原因。關(guān)鍵詞:次次末級(jí)葉片;疲勞斷裂;應(yīng)力集中Fractureanalysisoftheseco
2、ndlaststagebladeofapowerstationChenXiao,ZhangXiaowu,LiXingdong(1.HarbinVentureCapitalCompanyLimited,Harbin,150001China;2.HarbinTurbineCompanyLimited)Abstract:Whenapowerplantoverhauling,itfoundthatthesecondlaststagebladecrackedinthefirstteethofthebladeroot.Throughthecharacteristicsoffracture,m
3、aterialphysicalandchemicalin-spection,hardnesstestandforceanalysis,theresultsshowthatthesourceofcrackinitiatedinthear_eaofstressconcentrationoftoothsurfacearctransitionalareainthebladeroot.Andthemainreasonoftheformationoffatiguecrackwasthegapthatformedbymechanicalgrinding.KeyWords:thesecondla
4、ststageblade,fatiguefracture,stressconcentration尖角,是單疲勞源,在裂紋擴(kuò)展區(qū)有清晰海灘花1事故調(diào)查樣?,葉片的斷面已氧化,葉片斷面上有發(fā)藍(lán)的現(xiàn)某電廠機(jī)組在檢修過(guò)程中發(fā)現(xiàn)次次末級(jí)葉片象。在葉根第一齒處出現(xiàn)裂紋,裂紋起始于葉根出汽邊內(nèi)弧側(cè)第一齒的圓弧過(guò)渡區(qū)根部,向出汽邊方向擴(kuò)展,葉片擴(kuò)展區(qū)在背弧側(cè),長(zhǎng)度約為62ram,內(nèi)弧裂紋長(zhǎng)度約為90mm。葉片的材質(zhì)為0Cr17Ni4Cu4Nb。在完成葉片開裂情況的整體檢查工作后,將這只葉片解剖,做斷口分析和材質(zhì)分析。2斷口分析圖1葉片的宏觀斷口照片2.1斷口宏觀分析將斷裂葉片進(jìn)行解剖觀察斷口形貌
5、,斷口的2.2斷口微觀分析宏觀照片如圖1所示,葉片葉根各個(gè)齒面的邊緣在掃描電子顯微鏡下觀察葉片裂紋斷面,斷都有去尖角修圓的痕跡,但很不規(guī)則,個(gè)別地方形口裂紋源區(qū)和擴(kuò)展區(qū)的微觀形貌見(jiàn)圖2。如圖2成小缺口,葉片裂紋起始處的修圓效果不好,留有(a)所示,斷口有發(fā)散,收斂到斷口尖角處,斷口尖收稿日期:2015—12—12作者簡(jiǎn)介:陳嘯(1985一),女,畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)學(xué)材料學(xué)院,工程師。21第6期黃雙龍:NiO—SnO:納米材料對(duì)H:的氣敏特性岫盤0ng0∞懈=2960ObH,式中k,b為常數(shù),C為被測(cè)氣體的濃度,n為冪指數(shù),通常在0.5—1.0之間。所以5mo1%NiO—SnO氣敏元
6、件和SnO氣敏元件對(duì)H:的響應(yīng)值與H:濃度的關(guān)系中,II=l。3結(jié)論(1)600焙燒2h所得NiO—SnO2粉體的衍射峰更加尖銳,說(shuō)明該粉體具有很好的結(jié)晶度,可以用作氣敏材料。(2)在400~C工作溫度下,5mo1%NiO—SnO2Time(s)氣敏元件比SnO氣敏元件具有更高的靈敏度、更短的響應(yīng)恢復(fù)特性以及更好的穩(wěn)定性。圖4SnO:基氣敏元件在400~C不同H2(3)在濃度特性方面,5mo1%NiO—SnO氣敏濃度下的響應(yīng)曲線元件和SnO氣敏元件都呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系,并且5mo1%NiO—SnO氣敏元件具有更好的線性相3330關(guān)度。27參考文獻(xiàn)24[1]KimHJ,LeeJH.
7、Highlysensitiveandselectivegassen—21瑩18SOtSusingP—typeoxidesemiconductors:Overview[J].15SensorsandActuatorsB,2014,192:607—627.l2[2]LvP.Studyonamicro—gassensorwithSnO2一NiOsen—96sitivefilmforindoorformaldehydedetection[J].Sensors3andActuatorsB,