資源描述：
《半導(dǎo)體雙極器件名詞解釋》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫(kù)。
1、1、Abruptjunctionapproximation（突變結(jié)近似）Theassumptionthatthereisanabruptdiscontinuityinspacechargedensitybetweenthespacechargeregionandneutralsemiconductorregion.認(rèn)為從中性半導(dǎo)體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個(gè)突然的不連續(xù)。2、Depletionlayerapproximation（耗盡層近似）Thenumberofcarriersisalmostzeroduetothestrongb
2、uilt-inelectricfieldinthespacechargeregion,thatthechargeinthespacechargeregionisalmostcompletelyprovidedionizedimpurity,thisspacechargeregioniscalleddepletionlayer.由于空間電荷區(qū)較強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)，載流子的數(shù)量幾乎為零，因此可以認(rèn)為空間電荷區(qū)中的電荷幾乎完全是由電離雜質(zhì)所提供的，這種空間電荷區(qū)就稱(chēng)為耗盡層。3、Built-inelectricfield（內(nèi)建電場(chǎng)）Anelectri
3、cfieldduetotheseparationofpositiveandnegativespacechargedensitiesinthedepletionregion.由于耗盡區(qū)正負(fù)空間電荷相互分離而形成的電場(chǎng)。4、Built-inpotentialharrier（內(nèi)建電勢(shì)差）Theelectrostaticpotentialdifferencebetweenthepandnregionsofapnjunctioninthermalequilibrium.熱平衡狀態(tài)下pn結(jié)內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電電勢(shì)差。5、Depletionregion/
4、spacechargeregion/barrierregion（耗盡區(qū)，空間電荷區(qū)，勢(shì)壘區(qū)）Theregiononeithersideofthemetallurgicaljunctioninwhichthereisanetchargedensityduetoionizeddonorsinthen-regionandionizedacceptorsinthepregion.冶金結(jié)兩側(cè)由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負(fù)電的區(qū)域。詳：pn結(jié)界面兩側(cè)半導(dǎo)體中的載流子由于存在濃度差梯度而互相向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散，在pn結(jié)界面附近n區(qū)與
5、p區(qū)分別留下了不可動(dòng)的電離施主和電離受主雜質(zhì)離子，分別帶有正負(fù)電荷，形成空間電荷區(qū)，在該區(qū)域中建立有電場(chǎng)，形成電位差，產(chǎn)生相應(yīng)的勢(shì)壘，因此pn結(jié)空間電荷區(qū)又稱(chēng)為pn結(jié)勢(shì)壘區(qū)，在勢(shì)壘區(qū)中載流子濃度趨于0，即載流子基本“耗盡”，因此又稱(chēng)為“耗盡層”。6、Depletionlayercapacitance/junctioncapacitance/barriercapacitance（耗盡層電容，結(jié)電容，勢(shì)壘電容）Thecapacitanceofthepnjunctionunderreversebias.反向偏置下，pn結(jié)的電容。7、Diffus
6、ioncapacitance（擴(kuò)散電容）Thecapacitanceofaforward-biasedpnjunctionduetominoritycarrierstorageeffects.正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲(chǔ)效應(yīng)而形成的電容。詳：對(duì)于正偏pn結(jié)，當(dāng)外加偏壓增加時(shí)，注入n區(qū)的空穴增加，在n區(qū)的空穴擴(kuò)散區(qū)內(nèi)形成空穴積累，為保持電中性條件，擴(kuò)散區(qū)內(nèi)電子濃度也相應(yīng)增加，電子注入p區(qū)情形類(lèi)似。這種擴(kuò)散區(qū)中的電荷隨外加偏壓變化而變化所產(chǎn)生的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)等效為電容，稱(chēng)為擴(kuò)散電容。8、Diffusionconductance（擴(kuò)散電導(dǎo)）Ther
7、atioofalow-frequency,small-signalsinusoidalcurrenttovoltageinaforward-biasedpnjunction.正偏pn結(jié)的低頻小信號(hào)正弦電流與電壓的比值。9、Diffusionresistance（擴(kuò)散電阻）Theinverseofdiffusionconductance.Theratioofalow-frequency,small-signalsinusoidalvoltagetocurrentinaforward-biasedpnjunction.擴(kuò)散電導(dǎo)的倒數(shù)。正偏pn
8、結(jié)的低頻小信號(hào)正弦電壓與電流的比值。10、Spacechargewidth（空間電荷區(qū)寬度）Thewidthofthespacechargeregion,afunctionofdopingco
