總結中小型觸控面板技術.pdf

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1、關鍵詞:傳感器觸控面板玻璃基板折射率人機輸入接口可區(qū)分為指壓、聲音、身體、身體、眼睛、嘴唇等輸入方式，換言之，人機輸入接口幾乎應用了身體所有器官達成輸入訊息的目的，其中又以使用最方便的手指感應最為普遍。指壓輸入方式可分成阻抗式、靜電容量式、光學式、超音波等，其中透明狀阻抗薄膜構成的透明觸控組件，已經廣泛應用在各種攜帶式數字電子產品的顯示器，儼然成為人與機器的主要信息輸入裝置。有鑒于此，本文將探討這類中小型觸控面板的技術發(fā)展動向。觸控面板的特性東芝松下DISPLAYTECHNOLOGY開發(fā)的輸入顯示器內建光傳感器，形成所謂的板內式（In-Panel）

2、觸控面板，它的光傳感器使用Pin二極管，TFT-LCD面板內設有可以將二極管輸出電流增幅的電路，光傳感器會感測手指觸壓面板時，觸壓部位的外光減少變化，以及手指產生的反射光兩種光線的變化。飛利浦則將阻抗式觸控單元設置在Cell內部，形成所謂的TFT-LCD觸控面板，具體結構是在Cell內部設置厚度比Cell更薄的導電材料，接著利用覆膜的球狀隔離片（Spacer）與平版印刷技術，在對向基板使ITO膜層堆棧凸出形成板內式觸控面板，類似這樣的觸控面板板內化技術未來如果商品化，可能會對觸控面板業(yè)者造成巨大沖擊。各類觸控面板原理與技術動向a.阻抗式四線觸控面板

3、圖1是上下各二個電極構成的阻抗式四線觸控面板的基本結構，第一次使用阻抗式四線觸控面板時，必需依序在畫面四個角落觸壓進行初期位置偏差修正設定。b.阻抗式八線觸控面板圖2是八線觸控面板的基本結構，它是由一條平行電極連接兩條導線，其中一條是施加電壓用主電極，另一條則是檢測施加于平行電極電壓的輔助電極，它可以自動修正偏差位置，減少煩瑣的初期位置修正動作。c.高穿透率觸控面板一般阻抗式觸控面板的光線穿透率大約80％左右，主要原因是傳統(tǒng)阻抗式觸控面板，使用光線穿透率90％的ITO/玻璃基板當作下方電極，上方電極則使用光線穿透率80％的ITO/樹脂膜片，因此觸控

4、面板整體的光線穿透率只有80％。最近研究人員利用抗反射（AR；AntiReflection）技術，開發(fā)光線穿透率高達98％觸控面板用材料，它可以使傳統(tǒng)觸控面板80％的光線穿透率提高至87％。圖3是一般ITO/玻璃基板與穿透率ITO/玻璃基板的基本結構比較；圖4是高穿透率觸控面板的基本結構。c.低反射觸控面板一般阻抗式觸控面板的光線反射率大約是10～20％左右，反射光造成面板對比降低，尤其在強烈陽光下會變成致命性的傷害。如果一般阻抗式觸控面板的表面黏貼1/4λ膜片，與偏光膜片構成的圓偏光膜片，通過該膜片的反射光會被圓偏光膜片吸收，進而有效消除觸控面板

5、的反射光。圖5是內側式（Inner）觸控面板的基本結構；照片1是傳統(tǒng)阻抗式觸控面板與內側式觸控面板的比較。根據實驗結果顯示內側式觸控面板的對比，大約是傳統(tǒng)阻抗式觸控面板2倍左右。d.抗碎裂型觸控面板PDA、GPS、iPhone等攜帶型終端機器摔落時最令人擔憂之處，在于觸控面板有破裂之虞，事實上，制作過程中觸控面板也經常發(fā)生面板碎裂現象，主要原因是觸控面板的下方電極，使用厚度只有0.5~2.0mm的玻璃基板，雖然理論上玻璃越厚越不容易碎裂，然而實際上，切割方式同樣對碎裂具有決定性影響。提高玻璃基板強度除了切割面的取面加工必需非常平滑之外，采用化學強化

6、處理，將玻璃表面的鈉離子置換成鉀離子非常有效。圖6是抗碎裂型觸控面板的基本結構。e.樹脂型觸控面板最近部份觸控面板基于成本考慮，改用樹脂膜片/樹脂膜片（F/F:Film/Film，以下簡稱為F/F）觸控面板。樹脂型觸控面板主要缺點是輸入時，LCD畫面會模糊不清。如圖7（a）所示，F/F觸控面板的下方電極底部，利用黏著劑黏貼樹脂膜片，形成所謂的樹脂型觸控面板。F/F觸控面板主要缺點是下方電極膜片的背面，與黏貼層表面容易混入異物、氣泡，造成良品率偏低、生產性降低等困擾。圖7（b）是改良后的樹脂型觸控面板斷面結構，如圖所示上方電極使用聚酯（Polyest

7、er）膜片，下方電極底部則使用厚的聚碳酸酯纖維（Polycarbonate）膜片。必需注意的是樹脂型觸控面板的銀質電路硬化過程，要求不能影響光學特性。f.防窺視型觸控面板銀行的ATM與行動電話用液晶顯示器，基于隱私權等考慮要求具備防窺視功能?；旧?，防窺視型觸控面板是在下方電極的背面黏貼視角調整膜片，使用者可以從正面讀取影像，兩側斜角方向無法清楚判讀影像（照片2）。圖8是防窺視觸控面板的基本結構。g.抗EMI觸控面板某些應用要求液晶面板具備抗EMI特性，因此必須徹底遮蔽液晶面板產生的電磁波，理論上表面電氣阻抗越低電磁波遮蔽效果越高，通常使用表面阻抗

8、□左右的導電性膜片（Film）。為發(fā)揮EMI遮蔽效果，必需使帶電與帶磁負荷逃離導電面，如圖9所示EMI導電面設有電極線（匯