隔熱膜工藝參數(shù)的優(yōu)化

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1、差所對應(yīng)的時間間隔為△一一開關(guān)電源特性改進(jìn)的途徑,、〕、‘,,二因此與相差均為提高輸入級單相整流橋及濾波電容的耐壓值,,它們的基頻最大波寬為因而三個電流迭加調(diào)整開關(guān)變壓器的變比及其它電路參數(shù)使開關(guān)電,其結(jié)合成只有很小部分重合相加減果至少在很少源可直接由線電壓有效值供電而正常工,,。的重合部分產(chǎn)生抵消而主要部分彼此獨立互不干作在工程中采用不需地線的三角形接法在工程中。。人、,擾因此地線中的總電流》實際上所需電源的數(shù)量較大往往不能保證三對線,甲。甲。,,且總有關(guān)系間安裝的開關(guān)電源數(shù)量一樣多造成負(fù)載不平衡各因,,。此對于存在闡值電壓的用

2、電器在星形接法線電流不一樣大,,,,,中即使三相負(fù)載平衡地線中電流也不為零域值采用每臺電源均為三角形接法輸入不要地線越高,地線電流相對越大這是最為直接的途徑。通過使用三相整流橋,高耐壓,,造成電流頻率變高的原因電解電容使用大電流高耐壓的開關(guān)管并對原電路由前。,面討論的開關(guān)電源工作原理及其電路要求作一系列的調(diào)整便可實現(xiàn)目前該原理實驗已通,,要,,可知為了保證輸出直流電壓的穩(wěn)定求輸入級的過可直接用三相交流輸入電源輸出電壓輸入交流電經(jīng)整流濾波后的電壓保持相直流電壓,電流可達(dá)。但目前的改進(jìn)還是初步,,、對的穩(wěn)定交流電的電壓必須在高于某一閡

3、值即的要達(dá)到實用還需在工藝和電路元件等方面作進(jìn),,后才能將電流輸入開關(guān)電源而開關(guān)電源白身的一步改進(jìn)和調(diào)整。功率限制千瓦級以下又決定了闡值較高在開關(guān)電源輸入級采用有源補償技術(shù)。該方案以上,,,因此輸入電流的波形較窄造成了輸入電流的主要思想是在整流以后的初級電級不加大電容“”,,,的頻率被提高在工程中采用形接法時電線中器濾波而采用一些有源補償電路使,因?qū)?yīng)三相的電流不能同時互相抵消而地線中電的交流電在零附近便開始對開關(guān)電源的初級輸入電。,,流的有效值較大反過來這給我們一個重要的提流整流整流后的直流電具有從零值到峰值的大幅示,,則,若在

4、工程中繼續(xù)采用現(xiàn)有的開關(guān)電源地線的度變化經(jīng)有源補償電路后變成較穩(wěn)定的二級直流,截面積必須為相線的三倍以上才能確保供電線路的電供給后面的電路進(jìn)行處理最后向外輸出穩(wěn)定的,。。,,安全且地線必須搭接良好低壓直流電目前國內(nèi)外對這方面展開了研究但都尚未有結(jié)果。隔熱膜工藝參數(shù)的優(yōu)化曾長義王貴義楊作貴雷林春石剛關(guān)鍵詞隔熱膜卷繞式磁控濺射,、、本文所講的隔熱膜主要用于建筑玻璃可方便需要優(yōu)化的參數(shù)主要有抽氣速度本底真空,、、,、、、二、地貼于玻璃表面起到隔熱透光防爆節(jié)能的作用工作真空工作電流走膜速度靶表面的而且成本低廉?？朔藗鹘y(tǒng)鍍膜玻璃成本高,不

5、防爆磁場強(qiáng)度。而需要解決的問題如下。。,的缺點真空問題在初期的實驗中我們遇到了真,,隔熱膜生產(chǎn)裝置是利用閑置鍍膜設(shè)備改造而成空問題即鍍膜一開始真空就迅速下降而且走膜速,,,,。的主要改進(jìn)了濺射靶添加了能以恒定線速度鍍膜度越大真空下降越快直至熄弧我們認(rèn)為這是膜。,,的卷繞機(jī)構(gòu)的放氣所致放氣原因主要有二個問題一是膜在被在實驗中存在著真空、磁場、鍍層厚度等問題需鍍時由于溫升等原因放氣二是膜層間所夾氣體隨。,,。,要解決并且需要優(yōu)化隔熱膜工藝參數(shù)為此我們走膜而放出我們首先想到增加抽氣速率但由于設(shè)。,只·一’,進(jìn)行了一系列實驗備所限能增加至

6、尚不能使平衡膜?1994-2008ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouse.Allrightsreserved.http://www.cnki.net。,在工作中的放氣于是我們采用了在真空室內(nèi)放置與衛(wèi)生工程研究所測試測試結(jié)果表明其性能優(yōu)于,。。屏蔽罩屏蔽一部分受鍍面積的方法減少放氣實踐美國公司的同類產(chǎn)品·一‘證明采用這種方法能在走膜速度小于的情況下維持相對穩(wěn)定的工作真空。。左磁場問題對初期實驗樣品的檢測我們發(fā)現(xiàn)左,——其在水平方向的鍍層均勻性較差兩端鍍層較中問那,。一明顯偏薄即膜兩

7、端的沉積速率偏低解決的方法有刀一一二種一是改變磁場位形增加靶兩端的濺射速率磁。,場位形改變前后的示意圖見圖二是增加靶長使,一靶的兩端進(jìn)一步向外延伸讓膜置于靶中段即粒子流較集中和均勻的范圍,由于受真空室尺寸的局限,一靶的加長余地不多。實踐證明同時采用這兩種方法能使鍍層均勻性達(dá)到要求。鍍層厚度問題。鍍層偏厚會影響膜的透光性,。能而偏薄又會影響隔熱性能鍍層厚度在走膜速度萬及磁場參數(shù)確定后主要由工作電流決定。而工作一廠二一一一夕認(rèn)一一二、一電壓應(yīng)保持在方能維持所需的異常輝二。,光放電經(jīng)過一段時間的實驗我們發(fā)現(xiàn)工作電流在一之間可以得到鍍層厚

8、度適中的合格膜經(jīng)過一年時間的實驗、探索和優(yōu)化,我們已得到·一’,一組較成功的參數(shù)又一,一一’,,一火·一‘,一‘。圖改變前磁場位形一一一一示意圖改變后磁場位形,,示意圖年月日在優(yōu)化后的參數(shù)下鍍膜取樣,送成都西物所檢測結(jié)果如下紫外光透射率小于,,,在