半導體器件物理第三章PN結作業(yè).ppt

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1、第三章作業(yè)題2.硅突變結二極管的摻雜濃度為ND=1015cm-3，NA＝4×1020cm-3，在室溫下計算：（1）內建電勢差；（2）零偏壓時的耗盡區(qū)寬度;(3)零偏壓下的最大內建電場。1.推導PN結空間電荷區(qū)內建電勢差公式：3.推導加偏壓的PN結空間電荷區(qū)邊緣非平衡少子濃度值公式：4.推導雜質分布公式：5.長PN結二極管處于反偏壓狀態(tài)，求解下列問題：（1）解擴散方程求少子分布np（x）和pn（x），并畫出他們的分布示意圖。（2）計算擴散區(qū)內少子存儲電荷。6.把一個硅二極管用做變容二極管，在結的兩邊的摻雜濃度分別為ND=1015cm-3，NA＝1019cm-3，求在反偏

2、電壓為1V和5V時的二極管勢壘電容（忽略二極管截面積的影響）。7.一理想硅p-n結二極管，NA=1016cm-3，ND=1018cm-3，?p0=?n0=10-6s，ni=9.65×109cm-3，Dn=30cm2/s，Dp=2cm2/s，器件面積為2×10-4cm2，計算室溫下飽和電流的理論值及±0.7V時的正向和反向電流值。8.采用載流子擴散與漂移的觀點分析PN結空間電荷區(qū)的形成。9.采用載流子擴散與漂移的觀點分析PN結的單向導電性。第二章作業(yè)答案n超量載流子注入一厚度為W的薄n型硅晶的一個表面上，并于另一個表面上取出，而其pn(W)=pno,在0

3、沒有電場。

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