超高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備.doc

《超高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備.doc》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。

1、超高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備一、首次開(kāi)機(jī)1.分子泵、各磁控靶接通冷卻水。檢查水路是否漏水。2.各單元電源與總電源接通，總電源供電。3.開(kāi)閘板G1、G2，啟動(dòng)機(jī)械泵Ⅰ、Ⅱ，開(kāi)電磁閥，預(yù)抽濺射室、進(jìn)樣室。4.根據(jù)鍍膜需要，依次開(kāi)截止閥V1（混氣室）、V3（氧氣）、V4（氬氣），將MFC1、MFC2、MFC3開(kāi)至清洗擋，預(yù)抽氣路。5.開(kāi)復(fù)合真空計(jì)熱偶測(cè)量部分（V1滿偏電流87mA,　V2滿偏電流100mA，這兩個(gè)值會(huì)因熱偶更換而改變），分別觀測(cè)濺射室、進(jìn)樣室低真空，待真空度≤20Pa時(shí)（一般2~3Pa），開(kāi)分子泵Ⅰ、Ⅱ抽高真空。待分子泵正常后，待復(fù)合電離“V1測(cè)量”濺射室、“V2測(cè)量”進(jìn)樣

2、室到0.1Pa以下后，才可以打開(kāi)DL-7超高真空計(jì)看濺射室高真空；打開(kāi)復(fù)合真空計(jì)真空規(guī)管“燈絲”看進(jìn)樣室高真空（從10-1擋隨真空度增大逐打到10-4~10-5）二、開(kāi)蓋之后1．打開(kāi)冷卻循環(huán)水機(jī)開(kāi)關(guān)，分子泵、各磁控靶接通冷卻水，檢查水路是否漏水2．總電源供電，L1、L2、L3燈亮3．鍍膜室、進(jìn)樣室均為大氣狀態(tài)時(shí)，打開(kāi)連接進(jìn)樣室、鍍膜室之間的閘板閥G3，啟動(dòng)機(jī)械泵Ⅱ，逐漸打開(kāi)進(jìn)樣室的旁抽角閥V7對(duì)兩室進(jìn)行旁抽，開(kāi)FZH-2BK3型復(fù)合真空計(jì)熱偶測(cè)量部分（V1或V2），兩室真空度低于20Pa。（一般2~3Pa）4．關(guān)閘板閥G3、關(guān)旁抽角閥V7。啟動(dòng)機(jī)械泵Ⅰ，打開(kāi)電磁閥，打開(kāi)閘板閥G1、G，

3、打開(kāi)分子泵Ⅰ、Ⅱ抽高真空。三、日常開(kāi)機(jī)一般情況下，兩個(gè)真空室都必須保持在＜20Pa的真空狀態(tài).1.接通冷卻循環(huán)水機(jī)2.總電源供電3.啟動(dòng)機(jī)械泵Ⅰ和Ⅱ。4.看復(fù)合真空計(jì)V1測(cè)量和V2測(cè)量，確認(rèn)兩室為＜20Pa真空狀態(tài)后.1.啟動(dòng)機(jī)械泵Ⅱ1~2分鐘后（可以防止機(jī)械泵Ⅱ返油），打開(kāi)電磁閥，啟動(dòng)分子泵Ⅰ和分子泵Ⅱ。6.開(kāi)閘板閥G1、G2。四、進(jìn)樣室換樣1.關(guān)閉復(fù)合真空計(jì)電離部分（高真空）（如果電離部分已經(jīng)打開(kāi)）2.關(guān)閉閘板閥G2、G33.打開(kāi)充氣閥，充滿后，關(guān)閉充氣閥4.開(kāi)窗口，換樣，關(guān)窗口（隨著真空度變好，擰緊窗口旋鈕）。（下面第5、6、7、8步操作要注意開(kāi)關(guān)電磁閥和旁抽閥V7的順序，如若操

4、作失誤，容易損壞分子泵）5.關(guān)電磁閥6.開(kāi)旁抽閥V7，約5分鐘（真空低于20Pa），7.關(guān)旁抽閥V7.8.打開(kāi)電磁閥9.打開(kāi)閘板閥G2.10.待進(jìn)樣室真空達(dá)到，E10-4Pa(與濺射室的真空度相差一個(gè)數(shù)量級(jí)時(shí)),可以打開(kāi)閘板閥G3,用磁力送樣桿將樣品送入濺射室.五、濺射室（慎重操作，一般情況下關(guān)機(jī)操作）當(dāng)濺射室短時(shí)間暴露大氣時(shí)（比如更換靶材），關(guān)閉閘板閥G1（此時(shí)閘板閥G3是關(guān)閉的），分子泵Ⅰ可以不關(guān)。當(dāng)濺射室重新抽真空時(shí)，先將進(jìn)樣室充入大氣打開(kāi)G3，可通過(guò)進(jìn)樣室作為旁抽。（旁抽關(guān)電磁閥，開(kāi)旁抽閥V7，約5分鐘，待兩室真空度＜20Pa（2～3Pa）時(shí)，關(guān)旁抽閥V7，打開(kāi)電磁閥。然后關(guān)閘

5、板閥G3，開(kāi)閘板閥G1。當(dāng)濺射室長(zhǎng)時(shí)間暴露大氣時(shí)（比如進(jìn)行清洗），可重復(fù)首次開(kāi)機(jī)步驟。（一般采用此方法）六、分子泵使用說(shuō)明分子泵Ⅰ操作步驟啟動(dòng)：（１）打開(kāi)電源（ON），屏幕出現(xiàn)“F400”（２）按下FUNC/DATA鍵，示數(shù)為零。（３）按START鍵（示數(shù)由0－400約６分鐘）H00。關(guān)閉：(1)按STOP鍵（示數(shù)由400－０約10分鐘）。(2)按開(kāi)關(guān)至OFF。分子泵Ⅱ操作步驟啟動(dòng)：（１）打開(kāi)電源。（２）顯示“400”后，按啟動(dòng)鍵。關(guān)閉：（１）按停止鍵。（２）按開(kāi)關(guān)至“關(guān)閉”。七、靶位自動(dòng)調(diào)整程序1.計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)程序for=n；（循環(huán)次數(shù)為Ｎ次）ta=m；（在A靶位濺射Ｍ秒）tb=k

6、；（在Ｂ靶位濺射Ｋ秒）te=l；（在Ｅ靶位濺射Ｌ秒）next；如果不需要循環(huán)時(shí)，可省略FOR和NEXT語(yǔ)句。程序設(shè)好后，若不運(yùn)行，則操作先“保存”，enter，再“運(yùn)行”，enter。2.舉例Ta=1;(將樣品1對(duì)準(zhǔn)A靶位，不濺射),擋板先轉(zhuǎn)至A靶位,樣品1轉(zhuǎn)至A靶位，等待1秒鐘，然后擋板再轉(zhuǎn)至B靶位（順時(shí)針轉(zhuǎn)600。）2.舉例Ta=1000；（將樣品1對(duì)準(zhǔn)A靶位，濺射1000秒）擋板先轉(zhuǎn)至A靶位,樣品1轉(zhuǎn)至A靶位。等待1000秒，然后擋板再順時(shí)針轉(zhuǎn)600。八、濺射鍍膜1．確認(rèn)樣品1及擋板1開(kāi)孔位置在A靶位(此位置為樣品交接位置，實(shí)際上是樣品2及擋板2開(kāi)孔在D靶位)2．將兩個(gè)真空室抽至

7、滿足要求的真空度（此時(shí)氣路也應(yīng)預(yù)抽過(guò)）3．開(kāi)閘板閥G34．通過(guò)磁力傳遞軸從樣品庫(kù)上取下一塊樣品，將樣品庫(kù)轉(zhuǎn)至空位再將樣品送入濺射室樣品2的位置5．退回磁力傳遞軸，關(guān)閘板閥G3，兩室各自抽真空。6．如果要將樣品托放在樣品1的位置，則設(shè)定樣品1和擋板1在D靶位九、鍍膜開(kāi)始（1）打開(kāi)直流或射頻電源預(yù)熱。接通質(zhì)量流量控制計(jì)“電源”，預(yù)熱3分鐘。將濺射室抽至所需要的真空，關(guān)閉高真空。緩緩打開(kāi)截止閥V1（混氣室）、V3（氧氣）、V4（氬氣）、，將MFC2、