場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡技術(shù)標(biāo)書.doc

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1、附件：場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡技術(shù)標(biāo)書一、設(shè)備用途掃描電鏡是一種多功能的儀器，廣泛地用于材料的微觀組織觀察、微區(qū)成分分析、材料的斷口分析、材料的晶粒度分析、夾雜物分析及織構(gòu)表征等，可對(duì)導(dǎo)電及不導(dǎo)電的固體材料進(jìn)行表面形貌的觀察及成分分析。場(chǎng)發(fā)射電鏡能夠?qū)崿F(xiàn)更高分辨率的形貌觀察，可實(shí)現(xiàn)對(duì)超細(xì)晶材料尤其是納米材料的表征。基于相關(guān)附件，也可以對(duì)材料在溫度及應(yīng)力作用下的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行原位觀察。儀器包括電子光學(xué)系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、樣品室和樣品臺(tái)、探測(cè)器及成像系統(tǒng)、圖像處理系統(tǒng)、應(yīng)用軟件及數(shù)據(jù)處理軟件、X射線能譜分析儀（EDS）、背散射電子衍射分析儀（EBSD）、原位

2、加熱臺(tái)。二、技術(shù)參數(shù)1．運(yùn)行環(huán)境1.1工作溫度：可以在15~25環(huán)境溫度工作1.2相對(duì)濕度：濕度小于60%RH時(shí)正常工作1.3工作電壓：在220V(±10%)、50Hz電壓下，儀器可連續(xù)使用2．電子光學(xué)系統(tǒng)2.1電子槍：Schottky場(chǎng)發(fā)射電子槍2.2加速電壓：0.2kV~30KV，步長10V連續(xù)可調(diào)2.3電子束流：束流連續(xù)可調(diào)，穩(wěn)定性優(yōu)于0.2%/h2.4放大倍數(shù)：15倍~100萬倍2.5工作距離：5~50mm，粗調(diào)、精調(diào)兩種模式2.6物鏡：無漏磁物鏡，能有效觀測(cè)磁性樣品2.7物鏡光闌：具備自清潔功能3．真空系統(tǒng)3.1機(jī)械泵、分子泵、

3、離子泵三級(jí)抽真空系統(tǒng)*3.2真空模式：能夠滿足基本的成像、分析的高真空模式，同時(shí)滿足原位加熱臺(tái)等附件工作的需要模式3.3真空度：電子槍真空度優(yōu)于10-7Pa、樣品室高真空優(yōu)于10-4Pa3.4抽真空時(shí)間：不高于5min4．檢測(cè)器及成像系統(tǒng)4.1成像模式：背散射成像、二次電子成像、任意比例混合模式成像4.2檢測(cè)器：電子探測(cè)器不少于3個(gè)，鏡筒內(nèi)二次電子探測(cè)器1個(gè)，高靈敏度低電壓固體背散射探測(cè)器1個(gè)4.3相機(jī)：樣品室紅外高清CCD相機(jī)4.4檢測(cè)器分辨率*4.4.1二次電子分辨率：30kV時(shí)小于1.0nm或20kV時(shí)小于1.3nm，1kV時(shí)優(yōu)于3

4、.0nm*4.4.2背散射電子分辨率：30kV時(shí)小于2.5nm，1kV時(shí)優(yōu)于3.0nm5．樣品室和樣品臺(tái)55.1樣品臺(tái)：自動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)5軸以上(X、Y、Z、T、R)*5.2移動(dòng)范圍：X≥100mm、Y≥100mm、Z≥50mm、T=-5~70°、R=360°連續(xù)旋轉(zhuǎn)5.3移動(dòng)精度：優(yōu)于2μm5.4樣品室尺寸：內(nèi)徑不小于300mm，高度不小于200mm，可容納樣品直徑不小于200mm5.5樣品室有EDS、EBSD接口*5.6可加配加熱臺(tái)和原位拉伸臺(tái)，加熱臺(tái)運(yùn)行時(shí)應(yīng)保證成像系統(tǒng)和EBSD能夠同步運(yùn)行6．圖像處理系統(tǒng)6.1存儲(chǔ)分辨率：不低于像素6

5、.2活動(dòng)窗口：多個(gè)活動(dòng)窗口，可同時(shí)顯示背散射及二次電子圖像6.3圖像格式：TIFF、BMP、JPEG等多種圖像格式6.4圖像幀數(shù)：不小于256幀，可降噪處理6.5能夠進(jìn)行數(shù)字動(dòng)畫記錄6.6具有圖像注釋、測(cè)量等圖像處理功能7．控制和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)7.1基于以太網(wǎng)架構(gòu)的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)7.2軟件平臺(tái)適用于windows操作系統(tǒng)7.3顯示器：24”LED顯示器8．X射線能譜分析儀（EDS）8.1能量探測(cè)器：電制冷硅漂移探測(cè)器（SDD）*8.2有效采集面積：SDD晶體有效活區(qū)面積不小于30mm2，窗口有效面積不小于20mm2，可實(shí)現(xiàn)低電壓或者小束流條件

6、下的高質(zhì)量、高效率分析*8.3探測(cè)器定位：探測(cè)器由馬達(dá)控制精確定位，軟件可控，能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)和控制采集計(jì)數(shù)率，保證不同樣品的數(shù)據(jù)重復(fù)性和測(cè)試條件重復(fù)性的目的*8.4能量分辨率：MnKα優(yōu)于127eV，CKa優(yōu)于50eV，F(xiàn)Ka優(yōu)于60eV8.5元素分析范圍：至少為Be4~U92*8.6峰背比：優(yōu)于20000:18.7譜峰穩(wěn)定性：分辨率變化在1eV以內(nèi)，48小時(shí)內(nèi)峰位漂移小于1.5eV8.8計(jì)數(shù)率：輸出最大計(jì)數(shù)率大于800,000CPS，可處理最大計(jì)數(shù)率大于1,500,000CPS8.9具有輕元素定量分析和修正功能，可對(duì)Be、B、C、N等進(jìn)行

7、濃度定量檢測(cè)以及修正8.10采集界面：采用32位和64位雙系統(tǒng)，采集界面方便簡單，智能化設(shè)定參數(shù)，兼容原有EBSD數(shù)據(jù)，能實(shí)現(xiàn)能譜的采集與定量分析、線掃描及全息面掃描，包含常規(guī)面分布、定量面分布和快速面分布、快速智能面分布等*8.11定性分析：具備點(diǎn)、線、面掃描分析功能，可自動(dòng)和手動(dòng)進(jìn)行全譜元素譜峰識(shí)別，并具有檢驗(yàn)重疊峰剝離準(zhǔn)確性以及合峰效應(yīng)的有效方法，能夠分析夾雜和偏析等微量元素和微量相8.12定量分析：采用最先進(jìn)的修正技術(shù)和虛擬標(biāo)樣數(shù)據(jù)庫，系統(tǒng)能夠自動(dòng)有效修正元素之間的相互吸收，可對(duì)拋光表面或粗糙表面進(jìn)行點(diǎn)、線和面的分析，譜峰穩(wěn)定，數(shù)

8、據(jù)重現(xiàn)性好，不需要多元素校準(zhǔn)峰位。具備方便的虛擬標(biāo)樣分析方法，且可以得到高級(jí)的非歸一化定量結(jié)果，各元素定量誤差沒有相互干擾，數(shù)據(jù)格式可以和電子探針等高級(jí)分析方式的數(shù)據(jù)直接對(duì)應(yīng)；*8.13智能軟