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1、崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July20071鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電 特性之研究指導教授：管鴻學生：郭豐榮2崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007OutlineINTRODUCTIONEXPERIMENTALRESULTSANDDISCUSSIONCONCLUSIONREFERENCES3崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007OutlineINTR
2、ODUCTIONEXPERIMENTALRESULTSANDDISCUSSIONCONCLUSIONREFERENCES4崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007INTRODUCTION5崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007INTRODUCTION目前太陽能電池市場百分之八十以上皆以結(jié)晶矽(包含單晶矽與多晶矽)太陽電池為主，其薄膜吸收效率可達17%，而矽基板片厚度約為200~350μm。由於太陽能電池矽原料取自高品質(zhì)的多晶矽頭尾
3、料，但現(xiàn)今太陽能電池矽材料的使用量每年呈15~30%成長6崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007INTRODUCTION並加上半導體廠對於矽晶片的基本需求量，造成整體矽材料供應呈現(xiàn)不足之現(xiàn)象。然而，矽薄膜太陽能電池則只需膜厚約2~3μm的薄膜，相較於矽基太陽能電池基材膜厚約為十分之一厚度，可大幅減少材料的消耗。7崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007INTRODUCTION8崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘
4、發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007INTRODUCTION由於金屬誘發(fā)結(jié)晶法具有方法簡易、低溫、及省時之優(yōu)點，故可適用於一般玻璃基板製作，以達到降低生產(chǎn)成本之目的。本研究係利用二階段退火及鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法生成多晶矽薄膜，並探討此薄膜之光電特性。9崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007OutlineINTRODUCTIONEXPERIMENTALRESULTSANDDISCUSSIONCONCLUSIONREFERENCES10崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬
5、誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007EXPERIMENTAL11崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007EXPERIMENTAL12崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007OutlineINTRODUCTIONEXPERIMENTALRESULTSANDDISCUSSIONCONCLUSIONREFERENCES13崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”
6、,July2007RESULTSANDDISCUSSION非晶矽膜(500nm)/鋁膜(500nm)/二氧化矽膜(200nm)/矽基材於溫度500°C下退火時間1小時後之一階誘發(fā)SEM結(jié)果，且黑色圈中的白色結(jié)晶區(qū)域為鋁殘留結(jié)晶(a)退火後鋁膜未蝕刻表面圖；(b)退火後鋁膜未蝕刻側(cè)面圖14崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007RESULTSANDDISCUSSION非晶矽膜(500nm)/鋁膜(500nm)/二氧化矽膜(200nm)/矽基材於溫度500°C下退火時間1小時後之一階誘發(fā)SEM結(jié)果，(a)退
7、火後鋁膜已蝕刻表面圖；(b)退火後鋁膜已蝕刻側(cè)面圖15崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007RESULTSANDDISCUSSION非晶矽膜(500nm)/鋁膜(500nm)/二氧化矽膜(200nm)/矽基材於溫度500°C下退火時間1小時後之一階誘發(fā)XRD結(jié)果16崑山科技大學,機械工程系,凃在根,碩士論文,”鋁金屬誘發(fā)結(jié)晶法製備多晶矽薄膜與光電特性之研究”,July2007RESULTSANDDISCUSSION非晶矽膜(500nm)/鋁膜
