基于arm 嵌入式系統(tǒng)flash接口設(shè)計與編程

基于arm 嵌入式系統(tǒng)flash接口設(shè)計與編程

ID:6105467

大?。?12.00 KB

頁數(shù):4頁

時間:2018-01-02

基于arm 嵌入式系統(tǒng)flash接口設(shè)計與編程_第1頁
基于arm 嵌入式系統(tǒng)flash接口設(shè)計與編程_第2頁
基于arm 嵌入式系統(tǒng)flash接口設(shè)計與編程_第3頁
基于arm 嵌入式系統(tǒng)flash接口設(shè)計與編程_第4頁
資源描述:

《基于arm 嵌入式系統(tǒng)flash接口設(shè)計與編程》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。

1、維普資訊http://www.cqvip.com2第0051期年儀表技術(shù)與傳感器InstrumentTechni(1ueandSensorNo.1基于ARM的嵌入式系統(tǒng)FLASH接口設(shè)計與編程馬海紅,何嘉斌(武漢理工大學(xué)信息工程學(xué)院,湖北武漢430070)~:ARM芯片與FLASH存儲器的接口與編程是實現(xiàn)基于ARM的嵌入式系統(tǒng)的一個重要環(huán)節(jié)。以高性能、低功耗的$3C4510B芯片和常見的FLASH芯片HY29LV160設(shè)計的嵌入式網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)為例,具體介紹了ARM芯片與FLASH存儲器的接口電路設(shè)計、接口電路的調(diào)試方法和FLASH存儲器的擦寫編程方法。關(guān)鍵詞:接口設(shè)計;調(diào)試;擦寫編

2、程;ARM;FLASH中圖分類號:TP333文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A文章編號:1002—1841(2005)01—0039—04DesignofFLASHInterfaceandProgramforEmbeddedSystemBasedonARMMAHai.hong,HEJia.bin(SchoolofInformationEngineering,WuhanUniversityofTechnology,Wuhan430070,China)Abstract:ThedesignofinterfaceandprogrambetweenARMCMOSchipandFLASHmemoryplays

3、animportantroleintheimple—mentationofane~dedsystembasedonARM.Thedesignofinterface.thewayofdebugongandprogrambetweenARMCMOSchipandFLASHmemorywerl~introdecedindetail,throughaSuccessfulembeddednetworksystembasedon$3C4510Bwhichishighperfor-manceandlowpowerandHY29LV160oftenused.KeyWords~Interface

4、Design;Debug;EraseandProgram;ARM;FLASH1引言ARM7TDMI為低功耗、高性能的16/32位核,最適合用ARM作為一種16/32位的高性能、低成本、低功于對價格及功耗敏感的應(yīng)用場合。除了ARM7TDMI耗的嵌入式RISC微處理器,目前已經(jīng)成為應(yīng)用最為廣核以外,$3C4510B內(nèi)嵌一個以太網(wǎng)控制器,支持媒體泛的嵌入式微處理器,遍及工業(yè)控制、消費類電子產(chǎn)獨立接口(MII)和帶緩沖DMA接口(BDI),適用于嵌入品、通信系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、無線系統(tǒng)等各類產(chǎn)品市場,式以太網(wǎng)應(yīng)用的集成系統(tǒng)。占據(jù)了32位RISC微處理器75%以上的市場份額,2.2S3CA5

5、10B系統(tǒng)存儲器映射ARM技術(shù)正在逐步滲入到生活的各個方面。l5J$3C4510B采用統(tǒng)一編址的方式,將系統(tǒng)的片外存FLASH存儲器是一種可在系統(tǒng)自身(In—system)作儲器、片內(nèi)存儲器、特殊功能寄存器和外部的I/O設(shè)電擦寫,而且掉電后信息不丟失的存儲器。它具有低備,都映射到64MB的地址空間,同時,為了便于管功耗、大容量、擦寫速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編理,又將地址空間分為如圖l所示的若干個存儲器組。程(燒寫)、擦除等特點,并且可由內(nèi)部嵌入的算法完每個存儲器組在組內(nèi)通過基指針(BasePointer)尋址。成對芯片的操作,因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣其尋址范圍是64k

6、B(16位),而基指針本身為l0位,泛的應(yīng)用。因此s3C4510B的最大可尋址范圍是226=64MB(或ARM芯片與FLASH存儲器的接口電路設(shè)計與調(diào)16M字)。通過配置包含基指針和尾指針的特殊功能試以及對FLASH存儲器的編程與擦除是嵌入式系統(tǒng)寄存器,可以設(shè)定每個存儲器組的大小和位置。在進(jìn)設(shè)計中的一項重要技術(shù)。FLASH存儲器通常裝載著嵌行系統(tǒng)存儲器映射時,用戶可利用基指針和尾指針設(shè)入式系統(tǒng)的Bootloader程序和操作系統(tǒng)的核心代碼,因置連續(xù)的存儲器映射,但是每2個相連的存儲器組的此這部分的穩(wěn)定與否直接決定整個系統(tǒng)能否運作。地址空間決不能重疊,即使這些組被禁用。2嗍內(nèi)核網(wǎng)

7、絡(luò)芯片S3CA510B在上電或系統(tǒng)復(fù)位后,所有組的地址指針寄存器2.1$3C4510B芯片簡介都被初始化到其缺省值。除ROM/SRAM/FLASH組0Samsung公司的$3C4510B是基于以太網(wǎng)應(yīng)用系統(tǒng)(其尾指針和基指針的復(fù)位值分別為0x200和Ox0)和的高性價比16/32位RISC微控制器,內(nèi)含一個由ARM特殊功能寄存器組(其基址針在系統(tǒng)復(fù)位時被初始化公司設(shè)計的16/32位ARM7TDMIRISC處理器核。為0x3FF0000)以外,所有其它組在系統(tǒng)啟動時都是未收稿日期:20O4—0

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學(xué)公式或PPT動畫的文件,查看預(yù)覽時可能會顯示錯亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫負(fù)責(zé)整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權(quán)有爭議請及時聯(lián)系客服。
3. 下載前請仔細(xì)閱讀文檔內(nèi)容,確認(rèn)文檔內(nèi)容符合您的需求后進(jìn)行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標(biāo)題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時可能由于網(wǎng)絡(luò)波動等原因無法下載或下載錯誤,付費完成后未能成功下載的用戶請聯(lián)系客服處理。