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《畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）-serdes接收器單粒子瞬態(tài)效應(yīng)分析及加固技術(shù)研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、SerDes接收器單粒子瞬態(tài)效應(yīng)分析及加固技術(shù)研究目錄摘要iAbstractiii第一章緒論11.1課題研究背景11.1.1高速通信發(fā)展和SerDes的廣泛應(yīng)用11.1.2空間單粒子效應(yīng)及單粒子瞬態(tài)問(wèn)題日益突出31.1.3SerDes的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)及對(duì)系統(tǒng)的影響51.2國(guó)內(nèi)外研究的現(xiàn)狀和不足61.2.1關(guān)于SerDes接收器的研究現(xiàn)狀61.2.2關(guān)于SerDes接收器研究的不足71.3本文主要研究?jī)?nèi)容81.4本文組織結(jié)構(gòu)9第二章SerDes接收器概述112.1Serdes接收器基本結(jié)構(gòu)112.2CDR的各種結(jié)構(gòu)112.2.1基于PLL型CDR122.2.2基于DLL型CDR132.2
2、.3基于相位插值（PI）型CDR142.2.4基于注入鎖定型CDR142.2.5基于過(guò)采樣型CDR152.5本章小結(jié)16第三章基于脈沖激光的SerDes單粒子瞬態(tài)敏感性實(shí)驗(yàn)及分析183.1脈沖激光模擬重離子原理及實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)183.1.1脈沖激光模擬重離子原理183.1.2脈沖激光單粒子測(cè)試的特性193.1.3國(guó)內(nèi)外研究狀況203.1.4脈沖激光實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)簡(jiǎn)介213.2SerDes的脈沖激光實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備213.2.1樣品的備制213.2.2納米級(jí)電路的激光實(shí)驗(yàn)方法22第XIII頁(yè)3.3SerDes接收器的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)敏感性結(jié)果及分析253.3.1被測(cè)系統(tǒng)介紹253.3.2測(cè)試流程263.3.3
3、測(cè)試結(jié)果273.4本章小結(jié)31第四章CDR單粒子敏感性的系統(tǒng)級(jí)分析及加固324.1CDR的MATLAB建模324.1.1MATLAB簡(jiǎn)介324.1.2一階和二階CDR介紹334.1.3CDR的抖動(dòng)和線性度的定義和影響因素364.1.4CDR的相位模型建模和全系統(tǒng)模型建模374.2對(duì)CDR的數(shù)字脈沖注入及分析404.2.1數(shù)字脈沖模擬單粒子建模404.2.2DEMUX和VOTER的脈沖注入模擬及結(jié)果414.2.3循環(huán)累加器的脈沖注入模擬及結(jié)果414.2.4飽和累加器的脈沖注入模擬464.2.5結(jié)論494.3CDR的加固技術(shù)494.3.1狀態(tài)回退技術(shù)簡(jiǎn)介494.3.2CDR的狀態(tài)回退加固5
4、04.4本章小結(jié)51第五章相位插值器和高速采樣器的單粒子敏感性分析及加固技術(shù)525.1相位插值器的單粒子敏感性分析及加固525.1.1相位插值器的單粒子敏感性分析525.1.2關(guān)態(tài)柵隔離加固技術(shù)595.1.3時(shí)鐘輸入管的電荷共享版圖加固技術(shù)675.2高速采樣器的單粒子敏感性分析及加固685.2.1高速采樣器介紹685.2.2高速采樣器的單粒子敏感性分析705.2.3單粒子敏感性結(jié)論745.2.4平衡管(BGT)加固技術(shù)755.3本章小結(jié)76第六章加固SerDes接收器的測(cè)試芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試77第XIII頁(yè)6.1測(cè)試芯片整體設(shè)計(jì)776.2測(cè)試方案79第七章結(jié)束語(yǔ)817.1工作總結(jié)817.2
5、工作展望82致謝83參考文獻(xiàn)85作者在學(xué)期間取得的學(xué)術(shù)成果95第XIII頁(yè)第XIII頁(yè)表目錄表1.1常用高速串行協(xié)議及應(yīng)用2表2.1各種CDR的比較15表3.1SerDes接收器激光測(cè)試結(jié)果28表4.1循環(huán)累加器高兩位受到轟擊時(shí)的變化43表5.1XM10,XM11,NM6<0>詳細(xì)信息54表5.2粒子轟擊時(shí)刻列表56表5.3漏極收集的電荷量65表5.4傳統(tǒng)共質(zhì)心和類共質(zhì)心版圖對(duì)比68表5.5動(dòng)態(tài)比較器晶體管的尺寸69表5.6不同時(shí)刻轟擊N1的正確性(預(yù)充階段，LET10)71表5.7轟擊N1，N3，N4的正確性(預(yù)充階段，540ps)72表5.8不同LET下的轟擊N1的正確性72表5.
6、9不同LET值下的正確性(預(yù)充階段，540ps)73表5.10單粒子轟擊下的反應(yīng)類型74表5.11不同LET下有/無(wú)BGT的正確性75表5.12不同轟擊時(shí)刻下有/無(wú)BGT的正確性76表6.1鎖相環(huán)后仿抖動(dòng)結(jié)果78第XIII頁(yè)第XIII頁(yè)圖目錄圖1.1差分傳輸數(shù)據(jù)速率的需求（ITRSroadmappredication）1圖1.2高速串行協(xié)議層次3圖1.3SesDes的基本組成3圖2.1Serdes接收器基本結(jié)構(gòu)11圖2.2CDR對(duì)數(shù)據(jù)和時(shí)鐘的重定時(shí)12圖2.3基于PLL型CDR[66]12圖2.4部分?jǐn)?shù)字化實(shí)現(xiàn)的基于PLL的CDR13圖2.5基于DLL型CDR的結(jié)構(gòu)13圖2.6基于相位
7、插值型CDR的結(jié)構(gòu)14圖2.7基于注入鎖定型CDR14圖2.8基于過(guò)采樣型CDR的結(jié)構(gòu)15圖2.9模擬電路的設(shè)計(jì)要素16圖3.1漏斗效應(yīng)示意圖18圖3.2SPA和TPA在粒子入射路徑上的能量分布[78]19圖3.3脈沖激光單粒子效應(yīng)試驗(yàn)系統(tǒng)組成示意圖21圖3.4可見(jiàn)光和近紅外光在硅中的穿透深度[93]22圖3.5背部輻照的一般聚焦方法23圖3.6不同深度下SRAM中SEU的產(chǎn)生速率24圖3.7管殼基板的bump和焊盤示意圖（局部）24圖3.8D
