單分散納米二氧化硅的制備與表征

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1、第27卷第1期         硅 酸 鹽 通 報       Vol.27 No.1 2008年2月       BULLETINOFTHECHINESECERAMICSOCIETY      February,2008 單分散納米二氧化硅的制備與表征符遠翔,孫艷輝,葛杏心(華南師范大學化學與環(huán)境學院,廣州 510006)摘要:利用Stober溶膠2凝膠法,合成了大小約為80~150nm的單分散納米二氧化硅微球,并且探討了溫度、氨水濃度以及TEOS濃度等因素對合成二氧化硅的影響。利用XRD、IR、SEM、TEM等手段對樣品進行了表征。結(jié)果表明:水解溫度的升高加速二氧化硅顆粒在溶

2、液中的熟化引起團聚;氨水濃度的增加使得成核速度增加,水解速度加劇,二氧化硅的粒徑增大,團聚程度也增大。TEOS的量的增加也導致二氧化硅粒徑稍有增加,團聚程度加深。關鍵詞:單分散;納米SiO2;溶膠2凝膠法中圖分類號:TQ127  FUYuan2xiang,SUNYan2hui,GEXing2xin文獻標識碼:A  文章編號:100121625(2008)0120154206SynthesisandCharacterizationofMonodisperseSiO2Nanoparticles(SchoolofChemistryandEnvironment,SouthChinaNor

3、malUniversity,Guangzhou510006,China)      Abstract:AStOberSol2gelmethodhasbeenusedtopreparemonodisperseanduniform2sizefrom80~150nmsilicananoparticlesinthispaper.Thesilicaparticleswereobtainedbyhydrolysisoftetraethylorthosilicate(TEOS)inethanolmediumuseammoniumascatalystandadetailedstudywascar

4、riedoutontheeffectofdifferenttemperature,amountofammoniumandTEOSonparticlesizesandthedispersion.ThestructureofthesamplewasexaminedbyXRDandthechemicalbondofthesamplesurfacewasexaminedbyFT2IR.Theparticlesizeandthedispersionwereexaminedunderscanningelectronmicroscopyandtransmissionelectronmicros

5、copy.TheresultsobtainedinthisstudyshowedthatthehighhydrolysistemperaturespeeduptheSiO2conglomerationinthesolution.Moreover,theparticlesizeandthedispersionofSiO2obtainedwereincreasingwiththeincreasingofamountsofammoniumandTEOSwhichattributedtothereasonthatthehydrolysisspeedandnucleationspeedwa

6、sincreasing.Keywords:monodisperse;SiO2nanoparticles;sol2gel1 引 言SiO2是一種無毒、無味、無污染的非金屬材料。納米SiO2由于顆粒尺寸的微細化,比表面積急劇增加,使得SiO2納米粒子具有許多獨特的性能和廣泛的應用前景,如特殊光電特性、高磁阻現(xiàn)象、非線性電阻現(xiàn)象,高溫下仍具有高強、高韌、穩(wěn)定性好等奇異特性[125]。另外,二氧化硅因其光學透明性、化學惰性、生物兼容性等,在現(xiàn)代新材料、組合納米材料中擔當重要角色。許多科研工作者用單分散SiO2微球作核或殼[6210]制備出了很多性能優(yōu)良的新材料。因此單分散納米SiO2微球

7、的合成及其顆粒的大小控制,在實際研究中顯得越來越重要。作者簡介:符遠翔(19782),男,碩士研究生.主要從事稀土納米材料發(fā)光的研究.通訊作者:孫艷輝,E2mail:sunyanhui0102@163.com 第1期符遠翔等:單分散納米二氧化硅的制備與表征  155制備納米SiO2微球的方法已有很多報道[11213],自從Stober等提出了一種在醇介質(zhì)中氨水解正硅酸乙酯(TEOS)來合成單分散二氧化硅的方法以來,單分散二氧化硅已成為研究最多的單分散體系之一。這不僅是因為這一方法

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