資源描述：
《納米鈣銅鈦氧顆粒聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、工學(xué)碩士學(xué)位論文納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性能研究孫嘉哈爾濱理工大學(xué)2014年3月國內(nèi)圖書分類號：TB332工學(xué)碩士學(xué)位論文納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性能研究碩士研究生：導(dǎo)0ili-申請學(xué)位級別：學(xué)科、專業(yè)：所在單位：答辯日期：授予學(xué)位單位：孫嘉遲慶國副教授工學(xué)碩士材料物理與化學(xué)應(yīng)用科學(xué)學(xué)院2014年3月哈爾濱理工大學(xué)ClassifiedIndex：TB332DissertationfortheMasterDegreeinEngineeringDielectricPropertiesofCalciumCopperTitaniumOxideNanopar
2、ticles／PolyimideHybridCompositesCandidate：Supervisor：AcademicDegreeAppliedfor：Specialty：DateofOralExamination：University：SunJlaAsso．Prof．ChiQingguoMasterofEngineeringMaterialsPhysics&ChemistryMarch，2014HarbinUniversityofScienceandTechnology哈爾濱理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：此處所提交的碩士學(xué)位論文《納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺
3、復(fù)合薄膜介電性能研究》，是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下，在哈爾濱理工大學(xué)攻讀碩士學(xué)位期間獨立進行研究工作所取得的成果。據(jù)本人所知，論文中除已注明部分外不包含他人已發(fā)表或撰寫過的研究成果。對本文研究工作做出貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式注明。本聲明的法律結(jié)果將完全由本人承擔(dān)。一．童作者簽名：Z卜’一羌日期：幼甲年戶月／日哈爾濱理工大學(xué)碩士學(xué)位論文使用授權(quán)書《納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性能研究》系本人在哈爾濱理工大學(xué)攻讀碩士學(xué)位期間在導(dǎo)師指導(dǎo)下完成的碩士學(xué)位論文。本論文的研究成果歸哈爾濱理工大學(xué)所有，本論文的研究內(nèi)容不得以其它單位的名義發(fā)表。本人完全了解哈爾濱理工大學(xué)關(guān)于
4、保存、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向有關(guān)部門提交論文和電子版本，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)哈爾濱理工大學(xué)可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存論文，可以公布論文的全部或部分內(nèi)容。本學(xué)位論文屬于保密口，在年解密后適用授權(quán)書。不保密團。(請在以上相應(yīng)方框內(nèi)打4)日期：如≯年爭月，日日期：力，爭明f日哈爾濱理工大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性能研究摘要伴隨電子工業(yè)的快速發(fā)展，集成電路的小型化是重要的發(fā)展趨勢，具有高介電常數(shù)的嵌入式電容器是其小型化的前提；高介電無機／聚合物復(fù)合材料可以集合無機材料的高介電和有機高分子材料的易加工性，其研究制備具有重
5、要的意義。本文采用溶膠．凝膠法制備了納米鈣銅鈦氧顆粒(口一CCTO)，口．CCTO為非晶陶瓷，又相應(yīng)制備了晶體鈦酸銅鈣(ccro)，并制備了高介電的a—CCTO／PI和Car0腰I復(fù)合薄膜，分析其介電機制。本文以溶膠．凝膠法在3000C燒結(jié)制備了非晶體的納米顆粒a．CCTO，介電常數(shù)隨頻率急劇下降，在全頻率范圍內(nèi)介電常數(shù)遠低于1050。C燒結(jié)的晶體CCTO的介電常數(shù)；通過原位聚合法制備了低濃度摻雜的口一CCTO／PI復(fù)合薄膜，復(fù)合薄膜顯示良好的分散性并且低濃度摻雜能保持PI薄膜的加工性能；在3v01％時，復(fù)合薄膜的介電常數(shù)為4．4，高于10v01％的CCTO／PI復(fù)合薄膜介電
6、常數(shù)3．8，相比于純PI介電常數(shù)3．4，在此濃度摻雜下介電常數(shù)提高很明顯。a．CCTO／P!復(fù)合薄膜的介電常數(shù)高于CCTO／PI復(fù)合薄膜表明了口．CCTO／PI復(fù)合薄膜的介電性能不來源于a．CCTO。通過計算界面活化能磊，得出口．CCTO／PI復(fù)合薄膜的界面有大量活躍的自由電子或電荷，而Ca吣／PI復(fù)合薄膜的界面如同絕緣一樣：由于以．CCTO表面的缺陷可以為極化提供有效的電子，而納米顆粒的特性增加了缺陷密度，故而界面極化更加強烈，在低濃度下就能顯著提高復(fù)合材料介電常數(shù)。關(guān)鍵詞納米顆粒；非晶陶瓷；聚酰亞胺；界面極化哈爾濱理工大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文DielectricPropert
7、iesofCalciumCopperTitaniumOxideNanoparticles／PolyimideHybridCompositesAbstractWiththerapiddevelopmentoftheelectronicsindustry,theminiaturizationofintegratedcircuit0C)issignificantdevelopmenttrends．Thecapacitorswithhi曲dielectricpermittivityarethepremiseof
