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《無機納米-聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、第14卷第2期哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報Vol114No122009年4月JOURNALOFHARBINUNIVERSITYOFSCIENCEANDTECHNOLOGYApr.2009無機納米-聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性研究111,2張沛紅,薛玉翠,楊春(1.哈爾濱理工大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院,黑龍江哈爾濱150040;2.上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院,上海200240)摘要:測試了納米Al2O3-聚酰亞胺(PI)復(fù)合薄膜和納米SiO2-聚酰亞胺復(fù)合薄膜的介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切和電導(dǎo)電流特性.結(jié)果表明,隨著無
2、機物含量的增加,兩種復(fù)合薄膜的相對介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切增大,電老化閾值減小;無機物含量相同時,Al2O3-聚酰亞胺復(fù)合薄膜的相對介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切比SiO2-聚酰亞胺復(fù)合薄膜大,電導(dǎo)電流大,電老化閾值小.關(guān)鍵詞:無機納米-聚酰亞胺復(fù)合薄膜;介電常數(shù);介質(zhì)損耗角正切;電老化閾值中圖分類號:TM201142文獻標(biāo)識碼:A文章編號:1007-2683(2009)02-0098-05StudyontheDielectricPropertyofNano2inorganic2polyimideCompos
3、iteFilms111,2ZHANGPei2hong,XUEYu2cui,YANGChun(1.SchoolofElectricalandElectronicEngineering,HarbinUniversityofScienceandTechology,Harbin150040,China;2.SchoolofElectricalandElectronicEngineering,ShanghaiJiaotongUniversity,Shanghai200240,China)Abstract:Thec
4、haracteristicsofpermittivityanddissipationfactorandconductioncurrentofnanoAl2O32poly2imidecompositefilmandnanoSiO22polyimidecompositefilmweremeasured.Experimentresultsshowedthatthepermittivityanddissipationfactorofthetwokindsofcompositefilmsincreaseandth
5、eelectricalageingthresholdde2creasewithincreasingofnanoinorganiccontent,thepermittivityanddissipationfactorofnanoAl2O32polyimidecompositefilmarelargerthanthatofnanoSiO22polyimidecompositefilmandtheelectricalageingthresholdoftheformerissmallerthanthatofth
6、elatter.Keywords:nano2inorganic2polyimidecompositefilms;permittivity;dissipationfactor;electricalageingthreshold的顆粒、納米厚度的薄片或納米尺度直徑的纖[3]1引言維.由于填充物非常大的表面積,很少量的納米填充物能夠形成骨架狀結(jié)構(gòu).與傳統(tǒng)微米尺度填充納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展為新材料的開發(fā)和對現(xiàn)有物比較,相同體積分數(shù)的納米填充物包含10億倍的材料的改性提供了新的思路和途徑,納米介質(zhì)的出納米顆粒.如果1
7、立方米的材料中含有10%V/V的2[4]現(xiàn),開辟了電介質(zhì)新的應(yīng)用領(lǐng)域.與傳統(tǒng)介質(zhì)比較,直徑10nm的球粒,總的界面面積約為60km.納納米復(fù)合介質(zhì)的電、熱、機械性能有了很大的改米復(fù)合聚合物中的納米填充物/聚合物界面,是聚合[1-2][5]善.納米復(fù)合介質(zhì)指的是介質(zhì)中加入納米尺度物性能改變的關(guān)鍵.收稿日期:2008-12-30基金項目:黑龍江省教育廳科學(xué)技術(shù)研究項目(11511076)作者簡介:張沛紅(1962—),女,教授,博士.第2期張沛紅,等:無機納米-聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性研究99根據(jù)對納米復(fù)合物
8、的不同要求,納米填充物可錄電導(dǎo)電流.[6]以是絕緣體、半導(dǎo)體或金屬納米顆粒.目前已經(jīng)在聚合物如聚乙烯、硅有機樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰胺3結(jié)果與分析和聚酰亞胺,填充物如三氧化二鋁(alumina,Al2O3)、二氧化鈦(titania,TiO2)、二氧化硅(silica,SiO2)和311復(fù)合薄膜的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切與頻層狀硅酸鹽(layeredsilicates)的研究方面取得了一率和無機物含量的關(guān)系些結(jié)果,復(fù)合物包括環(huán)氧樹脂-TiO2、
