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《納米鈣銅鈦氧顆粒聚酰亞胺復合薄膜介電性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。
1、工學碩士學位論文納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺復合薄膜介電性能研究孫嘉哈爾濱理工大學2014年3月國內圖書分類號：TB332工學碩士學位論文納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺復合薄膜介電性能研究碩士研究生：導0ili-申請學位級別：學科、專業(yè)：所在單位：答辯日期：授予學位單位：孫嘉遲慶國副教授工學碩士材料物理與化學應用科學學院2014年3月哈爾濱理工大學ClassifiedIndex：TB332DissertationfortheMasterDegreeinEngineeringDielectricPropertiesofCalciumCopperTitaniumOxideNanopar
2、ticles／PolyimideHybridCompositesCandidate：Supervisor：AcademicDegreeAppliedfor：Specialty：DateofOralExamination：University：SunJlaAsso．Prof．ChiQingguoMasterofEngineeringMaterialsPhysics&ChemistryMarch，2014HarbinUniversityofScienceandTechnology哈爾濱理工大學碩士學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：此處所提交的碩士學位論文《納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺
3、復合薄膜介電性能研究》，是本人在導師指導下，在哈爾濱理工大學攻讀碩士學位期間獨立進行研究工作所取得的成果。據本人所知，論文中除已注明部分外不包含他人已發(fā)表或撰寫過的研究成果。對本文研究工作做出貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式注明。本聲明的法律結果將完全由本人承擔。一．童作者簽名：Z卜’一羌日期：幼甲年戶月／日哈爾濱理工大學碩士學位論文使用授權書《納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺復合薄膜介電性能研究》系本人在哈爾濱理工大學攻讀碩士學位期間在導師指導下完成的碩士學位論文。本論文的研究成果歸哈爾濱理工大學所有，本論文的研究內容不得以其它單位的名義發(fā)表。本人完全了解哈爾濱理工大學關于
4、保存、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向有關部門提交論文和電子版本，允許論文被查閱和借閱。本人授權哈爾濱理工大學可以采用影印、縮印或其他復制手段保存論文，可以公布論文的全部或部分內容。本學位論文屬于保密口，在年解密后適用授權書。不保密團。(請在以上相應方框內打4)日期：如≯年爭月，日日期：力，爭明f日哈爾濱理工大學工學碩士學位論文納米鈣銅鈦氧顆粒／聚酰亞胺復合薄膜介電性能研究摘要伴隨電子工業(yè)的快速發(fā)展，集成電路的小型化是重要的發(fā)展趨勢，具有高介電常數的嵌入式電容器是其小型化的前提；高介電無機／聚合物復合材料可以集合無機材料的高介電和有機高分子材料的易加工性，其研究制備具有重
5、要的意義。本文采用溶膠．凝膠法制備了納米鈣銅鈦氧顆粒(口一CCTO)，口．CCTO為非晶陶瓷，又相應制備了晶體鈦酸銅鈣(ccro)，并制備了高介電的a—CCTO／PI和Car0腰I復合薄膜，分析其介電機制。本文以溶膠．凝膠法在3000C燒結制備了非晶體的納米顆粒a．CCTO，介電常數隨頻率急劇下降，在全頻率范圍內介電常數遠低于1050。C燒結的晶體CCTO的介電常數；通過原位聚合法制備了低濃度摻雜的口一CCTO／PI復合薄膜，復合薄膜顯示良好的分散性并且低濃度摻雜能保持PI薄膜的加工性能；在3v01％時，復合薄膜的介電常數為4．4，高于10v01％的CCTO／PI復合薄膜介電
6、常數3．8，相比于純PI介電常數3．4，在此濃度摻雜下介電常數提高很明顯。a．CCTO／P!復合薄膜的介電常數高于CCTO／PI復合薄膜表明了口．CCTO／PI復合薄膜的介電性能不來源于a．CCTO。通過計算界面活化能磊，得出口．CCTO／PI復合薄膜的界面有大量活躍的自由電子或電荷，而Ca吣／PI復合薄膜的界面如同絕緣一樣：由于以．CCTO表面的缺陷可以為極化提供有效的電子，而納米顆粒的特性增加了缺陷密度，故而界面極化更加強烈，在低濃度下就能顯著提高復合材料介電常數。關鍵詞納米顆粒；非晶陶瓷；聚酰亞胺；界面極化哈爾濱理工大學工學碩士學位論文DielectricPropert
7、iesofCalciumCopperTitaniumOxideNanoparticles／PolyimideHybridCompositesAbstractWiththerapiddevelopmentoftheelectronicsindustry,theminiaturizationofintegratedcircuit0C)issignificantdevelopmenttrends．Thecapacitorswithhi曲dielectricpermittivityarethepremiseof
