材料科學(xué)基礎(chǔ)-復(fù)習(xí)-學(xué)生用-2

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1、1、如果離位原子遷移到外表面或內(nèi)界面(如晶界等)處,這種空位稱為肖脫基空位;如果離位原子遷移到晶體點(diǎn)陣的間隙中,則稱為弗蘭克爾空位。2、由于能量起伏和原子熱振動(dòng)，點(diǎn)缺陷將不斷產(chǎn)生、運(yùn)動(dòng)和消亡，點(diǎn)缺陷是熱力學(xué)穩(wěn)定的缺陷。3、晶體缺陷按幾何組態(tài)可分為點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷。4、獲得過(guò)飽和點(diǎn)缺陷的方法有淬火法、輻照法、塑性變形。5、試闡述粉體材料與人類社會(huì)的關(guān)系及其在各領(lǐng)域中的應(yīng)用從材料古代文明、現(xiàn)代文明、社會(huì)發(fā)展、日常生活等方面進(jìn)行論述之處材料、信息、能源歸為現(xiàn)代文明的三大支柱，信息技術(shù)、生物技術(shù)和新型材料作為新的技術(shù)革命的重要標(biāo)志。先進(jìn)材料是社會(huì)現(xiàn)代化的先導(dǎo)

2、.6、什么是材料科學(xué)?研究材料的組織結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、生產(chǎn)流程和使用效能，以及它們之間相互關(guān)系的科學(xué)。材料科學(xué)是多學(xué)科交叉與結(jié)合的結(jié)晶，是一門與化學(xué)密不可分的應(yīng)用科學(xué)。7、合成指促使原子、分子結(jié)合而構(gòu)成材料的化學(xué)與物理過(guò)程。合成的研究既包括有關(guān)尋找新合成方法的科學(xué)問(wèn)題，也包括以適當(dāng)?shù)臄?shù)量和形態(tài)合成材料的技術(shù)問(wèn)題；既包括新材料的合成，也應(yīng)包括已有材料的新合成方法（如溶膠-凝膠法）及其新形態(tài)（如纖維、薄膜）的合成。8、穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散：在擴(kuò)散系統(tǒng)中,任一體積元在任意時(shí)刻,流入的物質(zhì)量與流出物質(zhì)量相等。或:在擴(kuò)散體統(tǒng)中，任一點(diǎn)的濃度不隨時(shí)間變化。9、非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散：擴(kuò)散過(guò)程中任一

3、點(diǎn)的濃度隨時(shí)間而變化10、制備:研究如何控制原子與分子使之構(gòu)成有用的材料。這一點(diǎn)是與合成相同的，但制備還包括在更為宏觀的尺度上或以更大的規(guī)?？刂撇牧系慕Y(jié)構(gòu)，使之具備所需的性能和適用效能，即包括材料的加工、處理、裝配和制造。11、擴(kuò)散的機(jī)制包括間隙機(jī)制、填隙機(jī)制、空位機(jī)制、直接換位機(jī)制和環(huán)形換位機(jī)制。12、影響固相反應(yīng)的因素有哪些？影響固相反應(yīng)的主要因素有:反應(yīng)物化學(xué)組成與結(jié)構(gòu)，反應(yīng)物的顆粒尺寸及分布，反應(yīng)溫度、壓力、氣氛，礦化劑（燒結(jié)助劑）及其它。13、材料科學(xué)與工程中的許多現(xiàn)象——燒結(jié)、氧化、蠕變、沉淀、化學(xué)熱處理以及許多相變過(guò)程都與擴(kuò)散密切相關(guān)。14、

4、組成:指構(gòu)成材料物質(zhì)的原子、分子及其分布結(jié)構(gòu):則指組成原子、分子在不同層次上彼此結(jié)合的形式、狀態(tài)和空間分布，包括原子與電子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、相結(jié)構(gòu)、晶粒結(jié)構(gòu)、表面與晶界結(jié)構(gòu)、缺陷結(jié)構(gòu)等；在尺度上則包括納米以下、納米、微米、毫米及更宏觀的結(jié)構(gòu)層次。15、離子鍵特點(diǎn):①結(jié)合力強(qiáng)，熔點(diǎn)高，硬而脆；②嚴(yán)格按化學(xué)價(jià)結(jié)合，原子比例已定，可用化學(xué)式表示；③電子固有，不存在自由電子，傳導(dǎo)性差；④無(wú)方向性；共價(jià)鍵特點(diǎn):①具有飽和性，符合8-n定律；②有方向性；③結(jié)合力強(qiáng)，熔點(diǎn)高，硬；④電子固有，沒(méi)有自由電子；16、實(shí)驗(yàn)測(cè)定結(jié)果表明，空位機(jī)制比間隙機(jī)制需要更大的擴(kuò)散激

5、活能。17、測(cè)定擴(kuò)散系數(shù)的方法有：示蹤原子法、化學(xué)擴(kuò)散法、馳豫法、核方法等。18、產(chǎn)生柯肯達(dá)爾效應(yīng)的原因是構(gòu)成擴(kuò)散的純組元A、B作為溶質(zhì)組元溶入對(duì)方一側(cè)并進(jìn)行擴(kuò)散時(shí)，各自的擴(kuò)散系數(shù)不同。19、影響擴(kuò)散系數(shù)的因素：溫度的影響、晶體結(jié)構(gòu)及固溶體類型、第三組元、晶體缺陷。20、反應(yīng)擴(kuò)散：伴隨有相變過(guò)程的擴(kuò)散21、材料的性能決定于相的種類、數(shù)量、尺寸、形狀和分布。22、相圖是具體描述在平衡條件下材料的相平衡狀態(tài)與成分和溫度、壓力等外部條件之間的關(guān)系的圖解。23、組元通常指構(gòu)成材料的最簡(jiǎn)單、最基本、可獨(dú)立存在的物質(zhì)24、晶胞的選取原則：幾何形狀與晶體具有同樣的對(duì)稱性

6、；平行六面體內(nèi)相等的棱與角的數(shù)目最多；當(dāng)平行六面體棱間有直角時(shí)，直角數(shù)目最多；在滿足上述條件下，晶胞的體積應(yīng)最小。25、系統(tǒng)中相的平衡條件是每一個(gè)組元在所有各相中的化學(xué)勢(shì)相等。26、自由度是指在平衡系統(tǒng)中獨(dú)立可變的因素；自由度數(shù)是指在平衡系統(tǒng)中獨(dú)立可變的強(qiáng)度變量的最大數(shù)目。27、配位數(shù):任一原子周圍最近鄰且等距離的原子數(shù)(Z)。Z反映了晶體中原子排列第緊密程度。Z越大，晶體排列得越緊密。28、缺陷定義:實(shí)際晶體與理想晶體相比有一定程度的偏離或不完美性，把兩種結(jié)構(gòu)發(fā)生偏離的區(qū)域叫缺陷。29、寫出下列缺陷反應(yīng)式：(1)MgCl2固溶在LiCl晶體中(產(chǎn)生正離子

7、空位，生成置換型SS)(2)SrO固溶在Li2O晶體中(產(chǎn)生正離子空位，生成置換型SS)(3)Al2O3固溶在MgO晶體中(產(chǎn)生正離子空位，生成置換型SS)(4)YF3固溶在CaF2晶體中(產(chǎn)生正離子空位，生成置換型SS)(5)CaO固溶在ZrO2晶體中(產(chǎn)生負(fù)離子空位，生成置換型SS)30、穩(wěn)定化合物：指具有一定的熔點(diǎn)，并在熔點(diǎn)以下保持固有結(jié)構(gòu)而不發(fā)生分解的化合物。31、二元相圖的幾何規(guī)律：兩個(gè)單相區(qū)只能交于一點(diǎn)，而不能交成線段；兩個(gè)單相區(qū)之間，必定是一個(gè)由這兩個(gè)單相構(gòu)成的兩相區(qū)；三相共存區(qū)，必定是一條水平線，該水平線必須與由這3個(gè)相組合而成的3個(gè)兩相區(qū)

8、相鄰；如果兩個(gè)恒溫轉(zhuǎn)變中有兩個(gè)是相同的相，那么在這兩條水平線之間一