材料科學基礎-復習-學生用-2

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1、1、如果離位原子遷移到外表面或內(nèi)界面(如晶界等)處,這種空位稱為肖脫基空位;如果離位原子遷移到晶體點陣的間隙中,則稱為弗蘭克爾空位。2、由于能量起伏和原子熱振動，點缺陷將不斷產(chǎn)生、運動和消亡，點缺陷是熱力學穩(wěn)定的缺陷。3、晶體缺陷按幾何組態(tài)可分為點缺陷、線缺陷、面缺陷。4、獲得過飽和點缺陷的方法有淬火法、輻照法、塑性變形。5、試闡述粉體材料與人類社會的關系及其在各領域中的應用從材料古代文明、現(xiàn)代文明、社會發(fā)展、日常生活等方面進行論述之處材料、信息、能源歸為現(xiàn)代文明的三大支柱，信息技術(shù)、生物技術(shù)和新型材料作為新的技術(shù)革命的重要標志。先進材料是社會現(xiàn)代化的先

2、導.6、什么是材料科學?研究材料的組織結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、生產(chǎn)流程和使用效能，以及它們之間相互關系的科學。材料科學是多學科交叉與結(jié)合的結(jié)晶，是一門與化學密不可分的應用科學。7、合成指促使原子、分子結(jié)合而構(gòu)成材料的化學與物理過程。合成的研究既包括有關尋找新合成方法的科學問題，也包括以適當?shù)臄?shù)量和形態(tài)合成材料的技術(shù)問題；既包括新材料的合成，也應包括已有材料的新合成方法（如溶膠-凝膠法）及其新形態(tài)（如纖維、薄膜）的合成。8、穩(wěn)態(tài)擴散：在擴散系統(tǒng)中,任一體積元在任意時刻,流入的物質(zhì)量與流出物質(zhì)量相等?；?在擴散體統(tǒng)中，任一點的濃度不隨時間變化。9、非穩(wěn)態(tài)擴散：擴散過程中

3、任一點的濃度隨時間而變化10、制備:研究如何控制原子與分子使之構(gòu)成有用的材料。這一點是與合成相同的，但制備還包括在更為宏觀的尺度上或以更大的規(guī)?？刂撇牧系慕Y(jié)構(gòu)，使之具備所需的性能和適用效能，即包括材料的加工、處理、裝配和制造。11、擴散的機制包括間隙機制、填隙機制、空位機制、直接換位機制和環(huán)形換位機制。12、影響固相反應的因素有哪些？影響固相反應的主要因素有:反應物化學組成與結(jié)構(gòu)，反應物的顆粒尺寸及分布，反應溫度、壓力、氣氛，礦化劑（燒結(jié)助劑）及其它。13、材料科學與工程中的許多現(xiàn)象——燒結(jié)、氧化、蠕變、沉淀、化學熱處理以及許多相變過程都與擴散密切相關。

4、14、組成:指構(gòu)成材料物質(zhì)的原子、分子及其分布結(jié)構(gòu):則指組成原子、分子在不同層次上彼此結(jié)合的形式、狀態(tài)和空間分布，包括原子與電子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、相結(jié)構(gòu)、晶粒結(jié)構(gòu)、表面與晶界結(jié)構(gòu)、缺陷結(jié)構(gòu)等；在尺度上則包括納米以下、納米、微米、毫米及更宏觀的結(jié)構(gòu)層次。15、離子鍵特點:①結(jié)合力強，熔點高，硬而脆；②嚴格按化學價結(jié)合，原子比例已定，可用化學式表示；③電子固有，不存在自由電子，傳導性差；④無方向性；共價鍵特點:①具有飽和性，符合8-n定律；②有方向性；③結(jié)合力強，熔點高，硬；④電子固有，沒有自由電子；16、實驗測定結(jié)果表明，空位機制比間隙機制需要更大

5、的擴散激活能。17、測定擴散系數(shù)的方法有：示蹤原子法、化學擴散法、馳豫法、核方法等。18、產(chǎn)生柯肯達爾效應的原因是構(gòu)成擴散的純組元A、B作為溶質(zhì)組元溶入對方一側(cè)并進行擴散時，各自的擴散系數(shù)不同。19、影響擴散系數(shù)的因素：溫度的影響、晶體結(jié)構(gòu)及固溶體類型、第三組元、晶體缺陷。20、反應擴散：伴隨有相變過程的擴散21、材料的性能決定于相的種類、數(shù)量、尺寸、形狀和分布。22、相圖是具體描述在平衡條件下材料的相平衡狀態(tài)與成分和溫度、壓力等外部條件之間的關系的圖解。23、組元通常指構(gòu)成材料的最簡單、最基本、可獨立存在的物質(zhì)24、晶胞的選取原則：幾何形狀與晶體具有同

6、樣的對稱性；平行六面體內(nèi)相等的棱與角的數(shù)目最多；當平行六面體棱間有直角時，直角數(shù)目最多；在滿足上述條件下，晶胞的體積應最小。25、系統(tǒng)中相的平衡條件是每一個組元在所有各相中的化學勢相等。26、自由度是指在平衡系統(tǒng)中獨立可變的因素；自由度數(shù)是指在平衡系統(tǒng)中獨立可變的強度變量的最大數(shù)目。27、配位數(shù):任一原子周圍最近鄰且等距離的原子數(shù)(Z)。Z反映了晶體中原子排列第緊密程度。Z越大，晶體排列得越緊密。28、缺陷定義:實際晶體與理想晶體相比有一定程度的偏離或不完美性，把兩種結(jié)構(gòu)發(fā)生偏離的區(qū)域叫缺陷。29、寫出下列缺陷反應式：(1)MgCl2固溶在LiCl晶體中

7、(產(chǎn)生正離子空位，生成置換型SS)(2)SrO固溶在Li2O晶體中(產(chǎn)生正離子空位，生成置換型SS)(3)Al2O3固溶在MgO晶體中(產(chǎn)生正離子空位，生成置換型SS)(4)YF3固溶在CaF2晶體中(產(chǎn)生正離子空位，生成置換型SS)(5)CaO固溶在ZrO2晶體中(產(chǎn)生負離子空位，生成置換型SS)30、穩(wěn)定化合物：指具有一定的熔點，并在熔點以下保持固有結(jié)構(gòu)而不發(fā)生分解的化合物。31、二元相圖的幾何規(guī)律：兩個單相區(qū)只能交于一點，而不能交成線段；兩個單相區(qū)之間，必定是一個由這兩個單相構(gòu)成的兩相區(qū)；三相共存區(qū)，必定是一條水平線，該水平線必須與由這3個相組合而

8、成的3個兩相區(qū)相鄰；如果兩個恒溫轉(zhuǎn)變中有兩個是相同的相，那么在這兩條水平線之間一