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《dsmc方法論文：dsmc方法 團(tuán)簇源 團(tuán)簇的尺寸 引出口的直徑》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、DSMC方法論文：團(tuán)簇源中團(tuán)簇形成的DSMC模擬研究【中文摘要】團(tuán)簇沉積成薄膜作為一種新的制膜技術(shù)而受到廣泛的關(guān)注。它不僅能生長通常方法難以復(fù)合的薄膜材料,而且還能在比分子束外延法所需溫度較低的條件下進(jìn)行。目前這一技術(shù)已被用來制備高性能金屬、半導(dǎo)體、氧化物、硫化物和有機(jī)薄膜等。由于膜的性質(zhì)由團(tuán)簇的性質(zhì)影響,所以對團(tuán)簇的形成過程的研究尤為重要。本論文中,我們利用直接模擬蒙特卡洛方法(DSMC),用Fortran語言匯編程序并自建模型,研究了在氣體凝聚團(tuán)簇源和磁控濺射氣體凝聚團(tuán)簇源中影響團(tuán)簇生長的各因素。該論文的具體內(nèi)容及結(jié)果歸納如下：1.模擬
2、了氣體凝聚團(tuán)簇源在不同的腔長,不同的腔壁溫度和不同惰性氣體的含量的條件下,Cu團(tuán)簇的尺寸分布。模擬結(jié)果表明：腔的長度越長,產(chǎn)生大團(tuán)簇的比例越大；腔壁的溫度越低,產(chǎn)生的大團(tuán)簇的比例越大；惰性氣體的含量比例越高,產(chǎn)生的大團(tuán)簇的比例越?。幌嗤亩栊詺怏w含量下,He/Ar比值越高,產(chǎn)生大團(tuán)簇的比例越大。2.模擬了氣體凝聚團(tuán)簇源的引出口尺寸和中心位置不同的條件下,Cu團(tuán)簇的尺寸分布以及模擬了隨著時(shí)間的增長,腔內(nèi)團(tuán)簇?cái)?shù)變化。模擬結(jié)果表明：引出口的直徑越大,產(chǎn)生大團(tuán)簇的比例越小；在引出口的直徑相同的情況下,引出口的中心位置偏離坐標(biāo)...【英文摘要】Thi
3、nfilmsobtainedbyclusterdepositionhaveattractedstrongattentionasanewmanufacturingtechniquetorealizethinfilmmaterialthatcan’tbeproducedinusualwayinthetemperaturethatislowerthanthatofmolecularbeamepitaxialmethod.Atpresent,highperformancemetallicmaterials,semiconductor,oxide,s
4、ulfide,organicfilmsareproducedbythistechnique.Becausethefilm’sfeaturesareinfluencedbytheclusterproperties,sothestudyoftheclustersgrowthprocessesisveryimportant....【關(guān)鍵詞】DSMC方法團(tuán)簇源團(tuán)簇的尺寸引出口的直徑【英文關(guān)鍵詞】directsimulationMonteCarlomethodclustersourceclustersizeexitnozzlediameter【目錄】
5、團(tuán)簇源中團(tuán)簇形成的DSMC模擬研究摘要3-4Abstract4-5第一章緒論8-121.1團(tuán)簇源概況8-101.1.1氣體凝聚團(tuán)簇源8-91.1.2磁控濺射氣體團(tuán)簇源9-101.2團(tuán)簇形成的研究近況101.3本文主要工作10-12第二章直接模擬Monte-Carlo方法(DSMC)12-222.1DSMC方法的一般步驟12-132.2DSMC方法模擬中的關(guān)鍵技術(shù)13-142.2.1流動計(jì)算區(qū)域的網(wǎng)格劃分132.2.2時(shí)間步長的選取13-142.2.3仿真分子數(shù)的選取142.3分子作用勢模型14-162.4碰撞的力學(xué)機(jī)制及散射模型16-182
6、.4.1碰撞參數(shù)162.4.2碰撞的力學(xué)機(jī)理16-172.4.3散射模型17-182.4.4碰撞后分子運(yùn)動速度的計(jì)算182.5Maxwel1-Boltzmann能量分布函數(shù)18-192.6DSMC方法中物面邊界的處理方法19-22第三章氣體凝聚團(tuán)簇源中團(tuán)簇形成的模擬研究22-343.1模擬方法和參數(shù)22-243.2腔的長度對團(tuán)簇形成的影響24-263.3腔壁的溫度對團(tuán)簇形成的影響26-283.4Ar的含量對團(tuán)簇形成的影響28-313.5He的含量對團(tuán)簇形成的影響31-333.6結(jié)論33-34第四章引出口的幾何參數(shù)對團(tuán)簇形成的影響的模擬研究3
7、4-394.1模擬方法和基本參數(shù)34-354.2引出口對團(tuán)簇尺寸分布的影響35-364.3引出口的中心坐標(biāo)對團(tuán)簇的尺寸分布的影響36-374.4時(shí)間的變化對腔內(nèi)團(tuán)簇?cái)?shù)目的影響37-384.5小結(jié)38-39第五章磁控濺射氣體團(tuán)簇源中團(tuán)簇形成的DSMC研究39-455.1模擬模型和基本參數(shù)39-405.2不同的帶電Cu含量比例對團(tuán)簇形成的影響40-435.2.1Cu~-含量與Cu~+含量比例相同時(shí)對團(tuán)簇形成的影響40-435.2.2Cu~-含量與Cu~+含量比例不相同時(shí)對團(tuán)簇形成的影響435.3小結(jié)43-45第六章結(jié)論45-476.1主要結(jié)論4
8、56.2研究展望45-47參考文獻(xiàn)47-49在學(xué)期間的研究成果49-50致謝50-51附錄磁控濺射氣體團(tuán)簇源的DSMC方法程序51-87
