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《ms晶體建模基本方法(團(tuán)簇模型)》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、【分享】MS晶體建模基本方法（團(tuán)簇模型）作者:guolianshun(站內(nèi)聯(lián)系TA)收錄:2010-10-11發(fā)布:2010-09-28第一種情況:從程序自帶的各種晶體及有機(jī)模型中導(dǎo)入體系的晶胞1．打開(kāi)MS，由file>import>structures>metals>pure-metals>Fe導(dǎo)入Fe的晶胞。2．由build>Surfaces>cleaveSurfaces打開(kāi)對(duì)話框.在對(duì)話框中輸入要建立的晶面（hkl），選擇position，其中depth控制晶面層數(shù)。3．進(jìn)入build>Supercell，輸入A、B、C的值
2、，得到想要的超晶胞。4．到該步驟，我們已經(jīng)建立了一個(gè)周期性的超晶胞。如果要做周期性計(jì)算，則應(yīng)選擇build>Crystals>buildvaccumslab，其中真空層通常選擇10埃以上。如果建立團(tuán)簇模型則選擇build>Symmetry>Non-periodicStructure，去掉模型的周期性，并跟據(jù)自己的實(shí)際需要?jiǎng)h除部分原子，得到想要的團(tuán)簇模型。5．在表面插入分子時(shí)通過(guò)菜單欄上的幾個(gè)小圖標(biāo)添加即可。第二種情況:手動(dòng)建模，優(yōu)點(diǎn)是可控制晶格常數(shù)。6．首先從文獻(xiàn)中查到晶體的晶格常數(shù)的實(shí)驗(yàn)值。7．打開(kāi)build>Crystals>b
3、uildcrystals，可見(jiàn)到對(duì)話框。在對(duì)話框中選擇空間群與點(diǎn)群，然后在LatticeParameter中設(shè)置晶胞基矢的長(zhǎng)度及夾角。8．然后打開(kāi)build>Addatom，從對(duì)話框中輸入坐標(biāo)。這里只需輸入幾個(gè)有代表性的原子的坐標(biāo)，不必全部輸入。在坐標(biāo)輸入前首先在option頁(yè)面中選擇coordinatesystem，或者分?jǐn)?shù)坐標(biāo)或者卡迪爾坐標(biāo)。9．以下步驟重復(fù)2-5步。10．需要注意的是，采取什么樣的團(tuán)簇并不是任意的。原因是很多模型構(gòu)造出來(lái)后在優(yōu)化過(guò)程中往往不收斂。要避免這個(gè)問(wèn)題的辦法是查閱文獻(xiàn)，參考文獻(xiàn)上模型進(jìn)行選取，因?yàn)樗鼈兊?/p>
4、模型通常是經(jīng)過(guò)試驗(yàn)證實(shí)收斂的。幾點(diǎn)說(shuō)明1．與高斯相比，dmol3能夠計(jì)算的體系更大。如果要研究表面的吸附，而模擬表面的團(tuán)簇模型又比較大，建議采用dmol3。如果計(jì)算的是局部化學(xué)反應(yīng)，而體系也不是很大，則可以使用高斯。2．關(guān)于是否考慮周期性條件的問(wèn)題研究金屬表面時(shí)，團(tuán)簇計(jì)算方法在前些年由于計(jì)算量小曾經(jīng)被廣泛的應(yīng)用過(guò)，直到現(xiàn)在也被很多人在使用著，主要被用來(lái)計(jì)算吸附和多個(gè)分子的共吸附等，即不考慮化學(xué)鍵的斷裂。近年來(lái)由于國(guó)際上計(jì)算能力的提升，人們開(kāi)始考慮周期性條件，這點(diǎn)從JPCA，JPCB，PRL，PRB，JACS等雜志上刊出的文章里也可以
5、看出，但是計(jì)算量要大很多。需要注意的是，由于團(tuán)簇計(jì)算方法沒(méi)有考慮周期性，即在k空間里只計(jì)算了Γ點(diǎn)，采用該方法計(jì)算表面的化學(xué)鍵的斷裂（即表面擴(kuò)散問(wèn)題等）時(shí)有可能受到質(zhì)疑。3．在研究表面時(shí)，通常把團(tuán)簇固定，只優(yōu)化吸附在表面的分子，這一點(diǎn)可以通過(guò)菜單欄上的Modify>Constraint實(shí)現(xiàn)。首先選定團(tuán)簇中需要固定的原子，然后在下面的對(duì)話框中打勾。同時(shí)也可以在Measurement里固定部分鍵長(zhǎng)和鍵角。4.關(guān)于計(jì)算參數(shù)設(shè)置主要有幾個(gè)參數(shù)需要注意1對(duì)于Electronic頁(yè)面，需要注意的是Coretreatment,對(duì)于過(guò)渡金屬原子通常需
6、要考慮相對(duì)論效應(yīng)，因此一般不使用AllElectron方法。其他幾種方法任選。Basisset應(yīng)為DNP，Setup下的Quality一般選fine。為了提高計(jì)算速度，一個(gè)較好的辦法是先用粗糙的Basisset和Quality進(jìn)行優(yōu)化，然后再提高精度。2還有一個(gè)非常重要的選項(xiàng)是Electronic>More>SCF里的Usesmearing。這個(gè)關(guān)鍵字有助于加快收斂，但是設(shè)的多大往往會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的結(jié)果，它也相當(dāng)于允許的誤差范圍。具體設(shè)置辦法可參考help。其他的關(guān)鍵字可酌情設(shè)置。chpzmm(站內(nèi)聯(lián)系TA)好貼啊，對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)可以少
7、走很多彎路，摸著石頭過(guò)河了。謝謝！liuchan1023(站內(nèi)聯(lián)系TA)嗯，不錯(cuò)，是好東西。awmc2008(站內(nèi)聯(lián)系TA)D:D學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)，謝謝樓主。jphuang_63(站內(nèi)聯(lián)系TA)我正需要計(jì)算不同密勒指數(shù)方向上的磁性,感謝分享!avast2009(站內(nèi)聯(lián)系TA)主要建模方法提到了，不錯(cuò)lgxyz(站內(nèi)聯(lián)系TA)請(qǐng)問(wèn)用dmol算團(tuán)簇和用vasp算團(tuán)簇的區(qū)別：dmol里只有一個(gè)，vasp里每個(gè)團(tuán)簇在一個(gè)格子里，也是有周期性的。請(qǐng)教二者的區(qū)別？hooge(站內(nèi)聯(lián)系TA)實(shí)實(shí)在在的好東西，可是你這里的團(tuán)簇是怎么定義的，周期性和團(tuán)簇的關(guān)
8、系是什么，為什么要切個(gè)表面開(kāi)始呢。xiaoqian830606(站內(nèi)聯(lián)系TA)如何去除模型中的周期性呢？具體的操作是什么呢？guolianshun(站內(nèi)聯(lián)系TA)Originallypostedbyxiaoqian830606at20
