晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程

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1、晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程.txt昨天是作廢的支票；明天是尚未兌現(xiàn)的期票；只有今天才是現(xiàn)金，才能隨時(shí)兌現(xiàn)一切。人總愛欺騙自己，因?yàn)槟潜绕垓_別人更容易。A.晶圓封裝測試工序一、TC檢測1.缺陥檢查DefectInspection2.DR-SEM(DefectReviewScanningElectronMicroscopy)用來檢測出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對(duì)己印有電路閣案的閣案品圓成品而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，閣案品圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表而。再由一或多組偵測器接收自晶圓表而繞射出來的光線，并將該

2、影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識(shí)并發(fā)現(xiàn)瑕疵。3.CD-SEM(CriticalDimensioinMeasurement)對(duì)蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。二、TC封裝1.構(gòu)裝(Packaging)1C構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷(ceramic)及塑膠(plastic)兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝巾打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈?diesaw),黏晶(diemount/diebond)、焊線(wirebond)、封膠(mold)、剪切/成形(trim/form)、印字(mark)、電鍍(plating)及檢驗(yàn)(inspection)等。(1)晶片

3、切割(diesaw)晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒(die)切割分離。舉例來說：以0.2微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的64M微量。欲進(jìn)行晶片切割，首先必須進(jìn)行晶圓黏片，而后再送至晶片切割機(jī)上進(jìn)行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺褶與晶粒之相互碰撞。(2)黏晶(diemount/diebond)黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置于導(dǎo)線架上并以銀膠(epoxy)粘著固定。黏晶完成后之導(dǎo)線架則經(jīng)由傳輸設(shè)備送至彈匣(magazine)

4、A),以送至下一制程進(jìn)行焊線。(3)焊線(wirebond)1C構(gòu)裝制程(Pac

5、kaging)則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路(IntegratedCircuit；簡稱TC),此制程的目的是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是商溫破壞。最后整個(gè)集成電路的周闈會(huì)叫外拉出腳架(Pin),稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。(1)封膠(mold)封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機(jī)械方式支持導(dǎo)線、內(nèi)部產(chǎn)生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導(dǎo)線架罝于框架上并預(yù)熱，再將框架置于壓模機(jī)上的構(gòu)裝模上，再以樹脂充填并待硬化。(2)剪切/成形(trim/form)剪切之目的為將導(dǎo)線架上構(gòu)裝完成之晶粒獨(dú)立分開，并把不需要的連接用

6、材料及部份凸出之樹脂切除(dejvmk)。成形之0的則是將外引腳壓成各種預(yù)先設(shè)計(jì)好之形狀，以便于裝置于電路板上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機(jī)配上多套不同制程之模具，加上進(jìn)料及出料機(jī)構(gòu)所組成。(3)印字(mark)及電鍍(plating)印字乃將字體印于構(gòu)裝完的膠體之上，其目的在于注明商品之規(guī)格及制造者等資訊。(4)檢驗(yàn)(inspection)晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之檢驗(yàn)之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合與使用。其中項(xiàng)目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗(yàn)。(5)封裝制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程

7、。以金線連接芯八與導(dǎo)線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。1.測試制程(InitialTestandFinalTest)(1)芯片測試(wafersort)(2)芯片目檢(dievisual)(3)芯片粘貼測試(dieattach)(4)壓煌強(qiáng)度測試(leadbondstrength)(5)穩(wěn)定性烘焙(stabilizationbake)(1)溫度循環(huán)測試(temperaturecycle)（7）離心測試（constantacceleration）（8）滲漏測試（leaktest）（9）高低溫電測試（10）高溫老化（burn-in）（11）老化后測

8、試（post-burn-inelectricaltestB.半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)PN高頻小功率晶體管制造的工藝流程為：外延片一一編批一一清洗一一水汽氧化一一一次光刻一一檢查一一清洗一一干氧氧化一一硼注入一一清洗一一UDO淀積一一清洗一一硼再擴(kuò)散一一二次光刻一一檢查一一單結(jié)測試一一清洗一一干氧氧化一一磷注入一一清洗一一鋁下CVD—一清洗一一發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散一一三次光刻一一檢查一一雙結(jié)測試一一清洗一一鋁蒸發(fā)一一四次光刻一一檢查一一氫氣合金一一正向測試一一清洗一一鋁上CVD—一檢查一一五次光刻一一檢查