晶圓封裝測(cè)試工序與半導(dǎo)體制造工藝流程19880

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1、晶圓封裝測(cè)試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程19880一、IC檢測(cè)1.缺陷檢查DefectInspection2.DR-SEM(DefectReviewScanningElectronMicroscopy)用來檢測(cè)出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對(duì)已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測(cè)。一般來說，圖案晶圓檢測(cè)系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測(cè)器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識(shí)并發(fā)現(xiàn)瑕疵。3.CD-SE

2、M(CriticalDimensioinMeasurement)對(duì)蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測(cè)。二、IC封裝1.構(gòu)裝（Packaging）IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈睿╠iesaw）、黏晶（diemount/diebond）、焊線（wirebond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim/form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗(yàn)（inspection）等。(1)晶片切

3、割（diesaw）晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。舉例來說：以0.2微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的64M微量。欲進(jìn)行晶片切割，首先必須進(jìn)行晶圓黏片，而后再送至晶片切割機(jī)上進(jìn)行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺褶與晶粒之相互碰撞。(2)黏晶（diemount/diebond）黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置于導(dǎo)線架上并以銀膠（epoxy）粘著固定。黏晶完成后之導(dǎo)線架則經(jīng)由傳輸設(shè)備送至彈匣（magazine）內(nèi)，以送至下一制程

4、進(jìn)行焊線。(3)焊線（wirebond）IC構(gòu)裝制程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（IntegratedCircuit；簡(jiǎn)稱IC），此制程的目的是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。最后整個(gè)集成電路的周圍會(huì)向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。(4)封膠（mold）封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機(jī)械方式支持導(dǎo)線、內(nèi)部產(chǎn)生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導(dǎo)線架置于框架上并預(yù)熱，再將框架置于壓模機(jī)上的構(gòu)裝模上

5、，再以樹脂充填并待硬化。(5)剪切/成形（trim/form）剪切之目的為將導(dǎo)線架上構(gòu)裝完成之晶粒獨(dú)立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預(yù)先設(shè)計(jì)好之形狀，以便于裝置于電路板上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機(jī)配上多套不同制程之模具，加上進(jìn)料及出料機(jī)構(gòu)所組成。(6)印字（mark）及電鍍（plating）印字乃將字體印于構(gòu)裝完的膠體之上，其目的在于注明商品之規(guī)格及制造者等資訊。(7)檢驗(yàn)（inspection）晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆

6、之檢驗(yàn)之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合與使用。其中項(xiàng)目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗(yàn)。(8)封裝制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導(dǎo)線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測(cè)試集成電路功能是否正常。2.測(cè)試制程（InitialTestandFinalTest）(1)芯片測(cè)試（wafersort）(2)芯片目檢（dievisual）(3)芯片粘貼測(cè)試（dieattach）(4)壓焊強(qiáng)度測(cè)試（leadbondstrength）(5)穩(wěn)定

7、性烘焙（stabilizationbake）(6)溫度循環(huán)測(cè)試（temperaturecycle）(7)離心測(cè)試（constantacceleration）(8)滲漏測(cè)試（leaktest）(9)高低溫電測(cè)試(10)高溫老化（burn-in）(11)老化后測(cè)試（post-burn-inelectricaltestB.半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)PN高頻小功率晶體管制造的工藝流程為：外延片——編批——清洗——水汽氧化——一次光刻——檢查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀積——清洗——硼再擴(kuò)散——二次光刻——

8、檢查——單結(jié)測(cè)試——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——鋁下CVD——清洗——發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散——三次光刻——檢查——雙結(jié)測(cè)試——清洗——鋁蒸發(fā)——四次光刻——檢查——?dú)錃夂辖稹驕y(cè)試——清洗——鋁上CVD——檢查——五次光刻——檢查——氮?dú)夂姹骸獧z查——中測(cè)——中測(cè)檢查——粘片——減薄——減薄后處理——檢查——清洗——背面蒸發(fā)——貼膜——?jiǎng)澠獧z查——裂片——外觀