[精品]晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程

《[精品]晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。

1、晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程.txt-兩個(gè)人同時(shí)犯了錯(cuò)，站出來承擔(dān)的那一方叫寬容，另一方欠下的債，早晚都要還。-不愛就不愛，別他媽的說我們合不來。A.晶圓封裝測試工序一、IC檢測1.缺陷檢查DefectInspection2.DR-SEM(DefectReviewScanningElectronMicroscopy)用來檢測岀晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒了、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則盂要進(jìn)行深次微米范圍Z瑕疵檢測。一般來說，圖案晶鬪檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射品圓表面。轉(zhuǎn)由一或多組偵測器接收口品圓表面繞射出來

2、的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。3.CD-SEM(CriticalDimensioinMeasurement)對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。二、IC封裝1.構(gòu)裝(Packaging)IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷(ceramic)及塑膠(plastic)兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈?diesaw).黏晶(diemount/diebond)焊線(wirebond)^封膠(mold)、剪切/成形(trim/form)>印字(mark)>電鍍(plating)及檢驗(yàn)(in

3、spection)等。(1)晶片切割(diesaw)晶片切割之目的為將詢制程加工完成之品圓上一顆顆之晶粒(die)切割分離。舉例來說：以0.2微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的64M微雖。欲進(jìn)行品片切割，首先必須進(jìn)行品圓黏片，而后再送至品片切割機(jī)上進(jìn)行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺褶與晶粒之相互碰撞。(2)黏晶(diemount/diebond)黏品之目的乃將一顆顆之品粒置于導(dǎo)線架上并以銀膠(epoxy)粘著固定。黏品完成后之導(dǎo)線架則經(jīng)由傳輸設(shè)備送至彈匣(magazine)內(nèi)，以送至下一制程進(jìn)行焊線。(

4、3)焊線(wirebond)TC構(gòu)裝制程(Packaging)則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路(IntegratedCircuit；簡稱IC),此制程的目的是為了制造出所牛產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。最后整個(gè)集成電路的周圍會(huì)向外拉出腳架(Pin),稱Z為打線，作為與外界電路板連接之用。(1)封膠(mold)封膠Z主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機(jī)械方式支持導(dǎo)線、內(nèi)部產(chǎn)牛熱量之去除及提供能夠手持Z形體。其過程為將導(dǎo)線架置于框架上并預(yù)熱，再將框架置于壓模機(jī)上的構(gòu)裝模上,再以樹脂充填并待硬化。(2)剪切/成形(trim/for

5、m)剪切ZFI的為將導(dǎo)線架上構(gòu)裝完成Z品粒獨(dú)立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出Z樹脂切除(dejunk)。成形ZFI的則是將外引腳壓成各種預(yù)先設(shè)計(jì)好Z形狀，以便于裝置于電路板上使用。剪切與成形主要市一部沖壓機(jī)配上多套不同制程之模具，加上進(jìn)料及出料機(jī)構(gòu)所組成。(3)印字(mark)及電鍍(plating)卬字乃將字體印于構(gòu)裝完的膠體Z上，其H的在于注明商品Z規(guī)格及制造者等資訊。(4)檢驗(yàn)(inspection)品片切割之目的為將前制程加工完成之品圓上一顆顆之檢驗(yàn)之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合與使用。其中項(xiàng)冃包括諸如：外引腳Z平整性、共面度、腳距、印字是

6、否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗(yàn)。(5)封裝制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導(dǎo)線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。1.測試制程(InitialTestandFinalTest)(1)芯片測試(wafersort)(2)芯片目檢(dievisual)(3)芯片粘貼測試(dieattach)(4)壓焊強(qiáng)度測試(leadbondstrength)(5)穩(wěn)定性烘焙(stabilizationbake)(1)溫度循環(huán)測試(temperaturecycle)(2)離心測試(constantaccelera

7、tion)(3)滲漏測試(leaktest)(4)高低溫電測試(5)高溫老化(burn-in)(6)老化后測試(post-burn-inelectricaltestB.半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)PN高頻小功率晶體管制造的工藝流程為：外延片一一編批——清洗——水汽氧化次光刻——檢查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀積一一清洗一一硼再擴(kuò)散——二次光刻一一檢查——單結(jié)測試一一清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——鋁KCVD一清洗——發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散——三次光刻——檢査——雙結(jié)測試——清洗——鋁蒸發(fā)——四次光刻——檢查——?dú)錃夂辖稹庀驕y試——清洗——鋁上C

8、VD——檢杏——五次光刻——檢杏——氮?dú)夂姹骸獧z杳