高通、三星10納米首役告捷，決勝關(guān)鍵在良率及產(chǎn)能.doc

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1、高通、三星10納米首役告捷，決勝關(guān)鍵在良率及產(chǎn)能高通發(fā)布首款由三星電子10納米制程打造的旗艦級處理器芯片驍龍(Snapdragon)835，具備QuickCharge4.0快充技術(shù)、虛擬實境(VR)、機器學習等亮點，已成功吸引包括三星、樂金電子、小米、Oppo、Vivo等智能手機品牌廠下單排隊，未來三星10納米制程良率和產(chǎn)能配置，將攸關(guān)高通Snapdragon835出貨及版圖擴張。　　高通發(fā)布首款由三星電子10納米制程打造的旗艦級處理器芯片驍龍(Snapdragon)835，具備QuickCharge4.0快充技術(shù)、虛擬實境(VR)、機器學習等亮點，已成功吸引包括三星

2、、樂金電子、小米、Oppo、Vivo等智能手機品牌廠下單排隊，未來三星10納米制程良率和產(chǎn)能配置，將攸關(guān)高通Snapdragon835出貨及版圖擴張?！　〗诎雽w業(yè)界紛高度關(guān)注高通Snapdragon835發(fā)展動向，以及三星10納米制程競爭力，面對聯(lián)發(fā)科、臺積電攜手首顆10納米產(chǎn)品HelioX30大舉進逼，高通此役不僅攸關(guān)2017年手機芯片大廠競局變化，更是三星與臺積電在10納米先進制程的頂尖對決?！　「咄ㄏ惹巴瞥龅钠炫灱壭酒琒napdragon820/821，系采用三星14納米FinFET制程及改良版14納米LPP(LowPowerPlus)制程生產(chǎn)，并導入超過2

3、00款手機和平板電腦等終端移動裝置，高通新問世的Snapdragon835采用三星10納米制程，已進入量產(chǎn)階段，2017年上半搭載Snapdragon835的各家手機將陸續(xù)量產(chǎn)出貨?！　「咄⊿napdragon835芯片應用領(lǐng)域涵蓋智能手機、VR/AR頭戴式屏幕、IP網(wǎng)路攝影機、平板電腦、移動式個人電腦等終端裝置，目前已傳出多家手機大廠將采用高通Snapdragon835芯片，包括三星、小米、樂金、Oppo、Vivo等?！　“雽w業(yè)者認為，10納米制程對于半導體大廠而言是一道極具挑戰(zhàn)的關(guān)卡，高通Snapdragon835芯片后續(xù)出貨及決勝關(guān)鍵，將是三星10納米制程良率

4、是否能改善，以及有無充足的10納米制程產(chǎn)能可供應手機大客戶需求?！　「咄óa(chǎn)品管理資深副總裁KeithKressin在CES上揭露Snapdragon835細節(jié)，其采用8核心搭載Kryo280CPU，包含4個時脈可達2.45GHz的性能核心，以及4個時脈可達1.9GHz的效能核心，并加入支持機器學習功能，透過升級至Snapdragon類神經(jīng)網(wǎng)路處理引擎軟件框架，可支持如Google的人工智能(AI)技術(shù)TensorFlow，讓芯片可以自我學習各種功能，了解使用者習慣，或是強化AR/VR使用體驗等?！　napdragon835亦支持GoogleDaydream移動VR平

5、臺，強化視覺與音效、直覺互動等功能，包括高達25%的3D繪圖著色效能，以及透過Adreno540視覺處理子系統(tǒng)支持高達60倍的彩度提升，另支持4KHDR10影片格式、10位元超寬色域顯示、物體與場景式3D音效，以及6DoF技術(shù)為基礎(chǔ)的AR/VR動態(tài)追蹤?！　×硗猓咄⊿napdragon835亮點之一是QuickCharge4.0快充技術(shù)，相較于QuickCharge3.0充電速度提高20%，充電5分鐘約可達5小時的電池容量，充電15分鐘可達到裝置電池容量50%，Snapdragon835封裝尺寸縮小35%，功耗降低25%，擁有更輕薄設計及更長電池續(xù)航力，且新增高通H

6、aven安全平臺，針對生物辨識與裝置驗證提供更嚴密的防護。　　高通上一代Snapdragon820/821芯片問世至今，陸續(xù)拿下包括華碩ZenFone3Deluxe、三星S7/S7Edge、小米5、LGG5、HTC10、LeMax2、VivoXplay5、SonyXperiaXPerformance、OnePlus3等客戶產(chǎn)品訂單。