2、 ,該C與相鄰C形成的鍵角 (填“>”“<”或“=”)圖甲中1號C與相鄰C形成的鍵角。?(3)若將圖乙所示的氧化石墨烯分散在H2O中,則氧化石墨烯中可與H2O形成氫鍵的原子有 (填元素符號)。?(4)石墨烯可轉(zhuǎn)化為富勒烯(C60),某金屬M(fèi)與C60可制備一種低溫超導(dǎo)材料,晶胞如圖丙所示,M原子位于晶胞的棱上與內(nèi)部。該晶胞中M原子的個(gè)數(shù)為 ,該材料的化學(xué)式為 。?3.(2014天津理綜,7,14分)元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題:(1)按原
3、子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外),以下說法正確的是 。?a.原子半徑和離子半徑均減小b.金屬性減弱,非金屬性增強(qiáng)c.氧化物對應(yīng)的水化物堿性減弱,酸性增強(qiáng)d.單質(zhì)的熔點(diǎn)降低(2)原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為 ,氧化性最弱的簡單陽離子是 。?(3)已知:化合物MgOAl2O3MgCl2AlCl3類型離子化合物離子化合物離子化合物共價(jià)化合物熔點(diǎn)/℃28002050714191工業(yè)制鎂時(shí),電解MgCl2而不電解MgO的原因是? ;?制鋁時(shí),電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是?
4、。?(4)晶體硅(熔點(diǎn)1410℃)是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純)寫出SiCl4的電子式: ;在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式: 。?(5)P2O5是非氧化性干燥劑,下列氣體不能用濃硫酸干燥,可用P2O5干燥的是 。?a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2(6)KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2,若不加催化劑,400℃時(shí)分
5、解只生成兩種鹽,其中一種是無氧酸鹽,另一種鹽的陰陽離子個(gè)數(shù)比為1∶1。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:? 。?4.(2013課標(biāo)Ⅱ,37,15分)[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A、B、C、D中,A和B的價(jià)電子層中未成對電子均只有1個(gè),并且A-和B+的電子數(shù)相差為8;與B位于同一周期的C和D,它們價(jià)電子層中的未成對電子數(shù)分別為4和2,且原子序數(shù)相差為2?；卮鹣铝袉栴}:(1)D2+的價(jià)層電子排布圖為 。?(2)四種元素中第一電離能最小的是 ,電負(fù)性最大的是
6、 。(填元素符號)?(3)A、B和D三種元素組成的一個(gè)化合物的晶胞如圖所示。①該化合物的化學(xué)式為 ;D的配位數(shù)為 ;?②列式計(jì)算該晶體的密度 g·cm-3。?(4)A-、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6,其中化學(xué)鍵的類型有 ;該化合物中存在一個(gè)復(fù)雜離子,該離子的化學(xué)式為 ,配位體是 。?5.(2012課標(biāo),37,15分)[化學(xué)——選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧
7、化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是 ;?(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)椤 ??(3)Se原子序數(shù)為 ,其核外M層電子的排布式為 ;?(4)H2Se的酸性比H2S (填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為 ,S離子的立體構(gòu)型為
8、 ;?(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因: ;?②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:? ;?(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長為540.0pm
