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《氧化鋯基底及飾瓷結(jié)合強(qiáng)度研究》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、氧化錯(cuò)基底及飾瓷結(jié)合強(qiáng)度研究[摘要]目的分析和比較幾種全瓷系統(tǒng)基底和飾瓷的結(jié)合強(qiáng)度。方法制作直徑為8min、厚度為3mm的Lava^Cercon^IPSe.maxZirCAD、Procera試件各20個(gè),分別為Lava組、Cercon組、IPSe.maxZ讓CAD組、Procera組。每組各選10個(gè)試件表面烤制厚度為1mm的相應(yīng)飾瓷,10個(gè)試件表面烤制厚度為2mm的相應(yīng)飾瓷。對(duì)試件進(jìn)行剪切強(qiáng)度的測定和斷裂模式的觀察。結(jié)果飾瓷厚度為1mm時(shí),Lava、Cercon、IPSe.maxZirCAD、Procera組的剪切強(qiáng)度分別為:(13.82±3.71)、(13
2、.24±2.09)、(6.37±4.15)、(5.19土5.31)MPa;飾瓷厚度為2nun時(shí),各組的剪切強(qiáng)度分別為:(38.77±1.69)、(21.67±3.34)、(12.70±4.24)、(9.94±6.67)MPaoLava組和Cercon組的剪切強(qiáng)度髙于IPSe.maxZirCAD組和Procera組(P0.05),IPSe.maxZirCAD組和Procera組的剪切強(qiáng)度無統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P>0.05);飾瓷厚度為2mm的試件的剪切強(qiáng)度高于飾瓷厚度為1mm的試件(P<0.05)oneeringceramic2.2斷裂模式飾瓷和基底瓷分離后,肉眼觀察
3、大部分基底瓷結(jié)合界面處均有少量飾瓷的殘留。各組的試件斷裂模式見表2。從表2可見,各組試件破壞模式均以界面破壞為主,斷裂發(fā)生在核瓷和飾瓷之間;部分破壞模式為既發(fā)生核瓷和飾瓷界面之間的斷裂又合并飾瓷層內(nèi)的斷裂的復(fù)合型破壞。3討論二氧化錯(cuò)全瓷在最近10年得到了廣泛的應(yīng)用和發(fā)展。由于錯(cuò)瓷的撓曲強(qiáng)度可達(dá)900?1200MPa,而飾瓷的撓曲強(qiáng)度僅為60?120MPa,且二者的熱膨脹系數(shù)不同,從而導(dǎo)致燒結(jié)時(shí)界面的應(yīng)力分布不均衡[3]。因此,核瓷-飾瓷結(jié)合面是全瓷修復(fù)的薄弱環(huán)節(jié)。影響核瓷-飾瓷結(jié)合面的因素有很多:核瓷和飾瓷之間的化學(xué)匹配、熱膨脹系數(shù)的匹配、核瓷和飾瓷之間的厚
4、度比、核瓷表面的粗糙程度及反復(fù)燒結(jié)等,這些對(duì)材料的性能都有很大的影響[4-6]o在本實(shí)驗(yàn)中,選取了4種不同的二氧化錯(cuò)基底材料,測定其與相應(yīng)的飾瓷之間的剪切強(qiáng)度。結(jié)果表明:Lava組和Cercon組的剪切強(qiáng)度顯著高于IPSe.maxZirCAD組和Procera組(P<0.05),而Lava組和Cercon組的剪切強(qiáng)度無明顯差異,IPSe.maxZirCAD組和Procera組的剪切強(qiáng)度也無明顯差異。這表明不同的基底材料和飾瓷之間的結(jié)合強(qiáng)度不同。全瓷冠厚度對(duì)全瓷冠強(qiáng)度的影響尚存在爭議oWebber等[7]研究表明,飾瓷厚度的變化對(duì)飾瓷的破壞力無明顯影響;而Ha
5、rrington等[8]研究表明,隨著飾瓷厚度的增加,飾瓷抵抗破壞的能力也增加。這一點(diǎn)與本實(shí)驗(yàn)結(jié)果相似,飾瓷厚度為2mm的試件的剪切強(qiáng)度明顯高于飾瓷厚度為1mm的試件(P〈0.05)。這說明,飾瓷厚度對(duì)剪切強(qiáng)度也具有影響。在以往的研究中,飾瓷的剪切強(qiáng)度為22?41MPa。在本實(shí)驗(yàn)中,1mm飾瓷時(shí)所測得的剪切強(qiáng)度偏低,2mm飾瓷時(shí)的剪切強(qiáng)度和以前的研究結(jié)果相似。這可能和試樣飾瓷厚度的設(shè)計(jì)有關(guān)。在以往的實(shí)驗(yàn)中飾瓷厚度的設(shè)計(jì)均至少為3mm[9-10],而本實(shí)驗(yàn)中由于考慮到臨床上飾瓷不可能達(dá)到這一厚度,故設(shè)計(jì)為更接近于臨床的厚度(1mm和2mm)o本實(shí)驗(yàn)中各組試件破
6、壞模式均以界面破壞為主,斷裂發(fā)生在核瓷和飾瓷之間;部分破壞模式為復(fù)合型破壞。在氧化鋰基底的全瓷中,盡管核瓷強(qiáng)度大于飾瓷,一旦裂紋產(chǎn)生于飾瓷層,裂紋不會(huì)自動(dòng)終止,也不會(huì)偏離原來的方向,裂紋會(huì)迅速傳播。而在氧化錯(cuò)基底全瓷中,盡管裂紋產(chǎn)生于飾瓷層,由于界面的弱結(jié)合強(qiáng)度和氧化錯(cuò)的高強(qiáng)度,裂紋會(huì)在界面層終止并沿著界面?zhèn)鞑ィ?]。因此在錯(cuò)基底-飾瓷中,表現(xiàn)為大面積的飾瓷剝脫[3]。本實(shí)驗(yàn)提示,在臨床工作中應(yīng)根據(jù)臨床需要選擇適當(dāng)?shù)幕撞牧?,并保證飾瓷的厚度。由于臨床上修復(fù)體形態(tài)復(fù)雜,因此實(shí)驗(yàn)中的剪切強(qiáng)度和臨床上會(huì)有一定差距,今后還需要進(jìn)一步的深入研究。[參考文獻(xiàn)][1]O
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