定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究

定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究

ID:33614666

大?。?.68 MB

頁數(shù):66頁

時(shí)間:2019-02-27

定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究_第1頁
定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究_第2頁
定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究_第3頁
定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究_第4頁
定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究_第5頁
資源描述:

《定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究》由會員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫

1、萬方數(shù)據(jù)分類號UDC密級學(xué)位論文定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究作者姓名指導(dǎo)教師:李哲:厲英教授申請學(xué)位級別:學(xué)科專業(yè)名稱:論文提交日期:學(xué)位授予日期:評閱人:東北大學(xué)材料與冶金學(xué)院小)碩士學(xué)科類別:工咨化學(xué)工藝2014年6月2014年7月剖·薊弓裊I壬又琴霎竺主席:許氙飄怨投’吾】竹龕復(fù)東北大學(xué)2014年6月萬方數(shù)據(jù)AThesisinPhysicalChemistryofMetallurgyPurificationofHigh—·purityGalliumbyDirectionalCrystalliza

2、tionMethodByLiZheSupervisor:ProfessorLiYingNortheasternUniversityJune2014萬方數(shù)據(jù)獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明,所呈交的學(xué)位論文是在導(dǎo)師的指導(dǎo)下完成的。論文中取得的研究成果除加以標(biāo)注和致謝的地方外,不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果,也不包括本人為獲得其他學(xué)位而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名:杏氈日期:zoloc、6.3o學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者和指導(dǎo)教

3、師完全了解東北大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定:即學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤,允許論文被查閱和借閱。本人同意東北大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索、交流。作者和導(dǎo)師同意網(wǎng)上交流的時(shí)間為作者獲得學(xué)位后:半年口一年口一年半口兩年口學(xué)位論文作者簽名:套恕肭T白曰期:7。o!Oc、6、;D導(dǎo)師簽名:簽字日期:夕多廠陟乏咿'I餳b萬方數(shù)據(jù)東北大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要定向結(jié)晶法制備高純鎵工藝的優(yōu)化研究摘要隨著無線通訊、智能手機(jī)和LED等微電子行業(yè)和光電子行業(yè)的迅猛發(fā)展,對

4、高純鎵的需求量越來越大,而且對其純度的要求越來越高,高純鎵的制備技術(shù)成為了研究的熱點(diǎn)。結(jié)晶法具有操作簡便、生產(chǎn)周期短、生產(chǎn)過程能耗低等優(yōu)點(diǎn),可以作為理想的制備高純鎵的方法。論文以自主設(shè)計(jì)的結(jié)晶器為基礎(chǔ),系統(tǒng)的研究了結(jié)晶法制備高純鎵的工藝條件,并成功制備出符合國家標(biāo)準(zhǔn)要求的6N高純鎵和7N高純鎵。論文結(jié)合結(jié)晶法的原理和稀散金屬鎵的性質(zhì),設(shè)計(jì)制作了符合實(shí)驗(yàn)要求的結(jié)晶器;通過對幾種材料組分溶出情況的對比分析,選定化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、組分溶出量幾乎為零的聚四氟乙烯塑料作為結(jié)晶器的器壁內(nèi)襯材料;并根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求設(shè)計(jì)安裝了結(jié)晶

5、裝置,確定并優(yōu)化了實(shí)驗(yàn)流程。實(shí)驗(yàn)考察了冷卻水流量、冷卻水溫度、晶種嫁接數(shù)目等因素對結(jié)晶時(shí)間和晶體生長狀況的影響,確定了合適的工藝參數(shù)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:(1)結(jié)晶時(shí)間隨著冷卻水流量的增加不斷減小,當(dāng)流量達(dá)到60L·h‘1后,結(jié)晶時(shí)間不再隨流量的變化發(fā)生變化,且其隨流量變化的函數(shù)關(guān)系式為:仁108.8+8.2/f1+fe0-483/4.4)),冷卻水流量控制在50.75L.h。時(shí),晶體能夠均勻生長;(2)結(jié)晶時(shí)間隨著冷卻水溫度的升高不斷增大,冷卻水溫度控制在20.22。C時(shí),晶體生長均勻,晶粒大小一致,結(jié)晶時(shí)間隨

6、冷卻水溫度變化的函數(shù)關(guān)系式為:f-131.2—18.7丁+0.87T2;(3)外接晶種可以誘導(dǎo)晶核的形成,縮短結(jié)晶周期。綜合以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果,論文選取60L·h一的冷卻水流量、20.22℃的冷卻水溫度、結(jié)晶初期外接4個(gè)對稱分布的晶種作為最佳的結(jié)晶工藝參數(shù)。實(shí)驗(yàn)樣品的HR.GDMS檢測結(jié)果表明,22。C的冷卻水溫度、60L.h‘1冷卻水流量、90%凝固率的條件下,7次重結(jié)晶的實(shí)驗(yàn)樣品純度可到達(dá)6N高純鎵的國家標(biāo)準(zhǔn),且收得率為45.92%;8次重結(jié)晶的實(shí)驗(yàn)樣品純度可達(dá)到7N高純鎵的國家標(biāo)準(zhǔn),且收得率為41.33%。

7、最后,論文根據(jù)結(jié)晶過程中各雜質(zhì)元素的含量變化計(jì)算了部分雜質(zhì)元素在22。C下的分凝系數(shù)(K)值:&。=0.003、KPb=0.01、K-n:0.026、KBi--0.013。論文研究結(jié)果表明,結(jié)晶法可以作為理想的高純鎵制備方法,自主設(shè)計(jì)的結(jié)晶裝置能夠滿足結(jié)晶法制備高純鎵的生產(chǎn)要求,且在論文選定的結(jié)晶參數(shù)下,能萬方數(shù)據(jù)東北大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要夠成功制備符合國家標(biāo)準(zhǔn)的6N和7N高純鎵。關(guān)鍵詞:定向結(jié)晶;高純鎵:外接晶種:分凝系數(shù)萬方數(shù)據(jù)東北大學(xué)碩士學(xué)位論文AbstractPurificationofHigh··p

8、urityGalliumbyDirectionalCrystallizationMethodAbstractWiththerapiddevelopmentofmicroelectronicsandopticalcomponentindustrysuchaswirelesscommunication,smartphonesandLEDtechnology,thedemandsofhigh—puritygallium

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學(xué)公式或PPT動畫的文件,查看預(yù)覽時(shí)可能會顯示錯(cuò)亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫負(fù)責(zé)整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權(quán)有爭議請及時(shí)聯(lián)系客服。
3. 下載前請仔細(xì)閱讀文檔內(nèi)容,確認(rèn)文檔內(nèi)容符合您的需求后進(jìn)行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標(biāo)題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時(shí)可能由于網(wǎng)絡(luò)波動等原因無法下載或下載錯(cuò)誤,付費(fèi)完成后未能成功下載的用戶請聯(lián)系客服處理。